अक्षीय GTO snubber capacitors

Axial GTO snubber capacitors चित्रित छवि

छोटो विवरण:

यी क्यापेसिटरहरू सामान्यतया GTO सुरक्षामा भेटिने भारी वर्तमान दालहरू सामना गर्न उपयुक्त छन्।अक्षीय जडानहरूले श्रृंखला इन्डक्टन्स कम गर्न र बलियो मेकानिकल माउन्टिङ विश्वसनीय विद्युतीय सम्पर्क र सेवाको समयमा उत्पादित तापको राम्रो थर्मल अपव्यय प्रदान गर्न अनुमति दिन्छ।

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	-40℃ देखि +85℃
क्षमता दायरा	०.१μF～5.6μF
तोकिएको भोल्टेज	630V.DC～2000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
भोल्टेज सहन	1.5Un DC/10S
अपव्यय कारक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S मा)
स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस्	डाटाशीट हेर्नुहोस्
आयु - संभाव्यता	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

आवेदन

1. IGBT स्नबर, GTO स्नबर

2. व्यापक रूपमा पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणमा प्रयोग गरिन्छ जब शिखर भोल्टेज, शिखर वर्तमान अवशोषण सुरक्षा।

रूपरेखा रेखाचित्र

SMJ-TE अक्षीय संधारित्र
भोल्टेज		Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
क्षमता (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.२२	32	९.५	१७.५	०.८	16	23	३००	66	५.३
०.३३	32	12	20	1	13	22	२००	66	६.५
०.४७	32	१४.५	२२.५	1	11	21	220	१०३.४	८.३
०.६८	32	18	26	1	10	20	१८०	१२२.४	९.५
1	37	11	19	1	8	28	१५०	१५०	७.६
१.५	37	१३.५	२१.५	1	7	27	१५०	२२५	९.५
2	37	16	24	१.२	6	24	130	260	१०.२
२.५	37	18	26	१.२	५.५	25	१२०	३००	१०.५
3	37	20	28	१.२	5	30	११०	३३०	१०.८
३.३	37	21	29	१.२	४.५	30	११०	३६३	११.२
4	57	27	३६.५	१.२	४.२	32	220	८८०	१२.८
४.७	57	28	४०.५	१.२	३.८	32	२००	९४०	१३.८
५.६	57	31	३३.५	१.२	३.५	32	१८५	१०३६	१३.५
६.८	37	29	४१.५	१.२	२.५	28	१००	६८०	१३.८
६.८	57	34	४६.५	१.२	२.८	30	१८०	१२२४	१४.२
भोल्टेज		Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
क्षमता (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१५	32	10	१७.५	०.८	20	20	११००	१६५	५.५
०.२२	32	12	20	1	15	21	१०००	220	७.३
०.३३	32	१५.५	23	1	13	21	१०००	३३०	८.७
०.४७	32	१८.५	26	१.२	10	23	१०००	४७०	१०.५
०.४७	44	14	22	१.२	9	24	९००	४२३	९.५
०.६८	32	20	३२.५	१.२	7	25	९००	६१२	१०.८
०.६८	44	17	25	१.२	6	26	८००	५४४	१०.२
1	44	२१.५	२९.५	१.२	५.६	27	९००	९००	11
१.५	44	26	35.5	१.२	5	29	९००	१३५०	12
१.५	57	21	29	१.२	5	30	७००	१०५०	१२.२
2	44	28	४०.५	१.२	४.८	30	८००	१६००	१३.२
2	57	24	३३.५	१.२	४.८	32	६००	१२००	१२.८
२.२	44	30	४२.५	१.२	४.२	32	६००	१३२०	१३.८
२.२	57	25	३४.५	१.२	४.२	32	५००	११००	१३.५
२.५	57	25	38	१.२	4	33	५००	१२५०	१४.२
3	57	28	४०.५	१.२	३.५	34	४८०	१४४०	१५.६
३.३	57	२९.५	42	१.२	३.२	35	४५०	१४८५	१६.५
३.५	57	३०.५	43	१.२	३.२	35	४५०	१५७५	१७.२
४.७	57	35	५०.५	१.२	3	36	४२०	सन् १९७४	१७.८
५.६	57	३८.५	65	१.२	२.८	38	४००	२२४०	१८.२
भोल्टेज		Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
क्षमता (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१	32	८.५	16	०.८	20	20	१३००	130	6
०.१५	32	10	१७.५	1	18	20	१२००	१८०	७.५
०.२२	32	13	21	1	15	22	१२००	२६४	८.३
०.३३	32	16	24	1	12	23	१२००	३९६	9
०.४७	32	१७.५	30	१.२	10	23	१२००	५६४	९.५
०.४७	44	15	23	१.२	9	26	११००	५१७	९.८
०.६८	32	२१.५	34	१.२	8	25	११००	५१७	10
०.६८	44	१८.५	२६.५	१.२	6	27	१०००	६८०	११.७
1	44	23	31	१.२	5	28	१०००	१०००	१२.४
१.५	44	२६.५	39	१.२	5	30	९५०	१४२५	१३.५
१.५	57	२२.५	३०.५	१.२	5	29	९००	१३५०	१२.६
2	44	29	45	१.२	5	30	८००	१६००	१४.२
2	57	२६.५	३४.५	१.२	४.८	30	७५०	१५००	१३.८
२.२	44	31	47	१.२	४.२	32	८००	१७६०	१४.५
२.२	57	२७.५	35.5	१.२	४.२	35	७००	१५४०	१४.५
3	57	29	४४.५	१.२	३.२	37	५००	१५००	१७.२
३.३	57	३०.५	46	१.२	३.२	38	४५०	१४८५	१७.८
४.७	57	38	५३.५	१.२	3	38	४२०	सन् १९७४	१८.२
भोल्टेज		Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
क्षमता (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१	32	९.५	१७.५	०.८	18	25	१३००	130	७.५
०.१५	32	12	20	1	16	24	१२००	१८०	८.५
०.२२	32	15	23	1	15	24	१२००	२६४	९.३
०.३३	32	१८.५	२६.५	1	12	22	१२००	३९६	९.९
०.३३	44	१३.५	२१.५	१.२	12	29	११००	३६३	१०.२
०.४७	44	16	24	१.२	9	28	१०००	४७०	११.२
०.६८	44	20	28	१.२	8	27	१०००	६८०	११.७
1	44	24	३३.५	१.२	५.६	26	९००	९००	१२.४
1	57	१९.५	२७.५	१.२	6	33	८५०	८५०	१०.८
१.५	44	28	४०.५	१.२	४.८	25	८००	१२००	१३.५
१.५	57	24	32	१.२	5	33	७५०	११२५	१३.५
2	44	३१.५	47	१.२	४.५	24	७५०	१५००	१४.२
2	57	२७.५	37	१.२	४.८	32	६५०	१३००	१२.८
२.२	44	३३.५	49	१.२	४.५	34	७००	१५४०	१५.६
२.२	57	29	40	१.२	४.२	32	६००	१३२०	१४.५
3	57	31	४६.५	१.२	4	30	५६०	१६८०	१७.२
३.३	57	33	४८.५	१.२	३.२	29	५००	१६५०	१७.६
4	57	37	५२.५	१.२	3	28	४५०	१८००	१८.२
भोल्टेज		Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
क्षमता (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०६८	32	9	17	०.८	25	23	१५००	१०२	६.९
०.१	32	११.५	१९.५	1	18	22	१५००	१५०	८.२
०.१	37	१०.५	१८.५	1	18	26	१४५०	१४५	8
०.२२	32	१७.५	२५.५	१.२	15	21	१४००	३०८	९.१
०.२२	37	16	24	१.२	15	25	१३००	२८६	9
०.३३	37	20	28	१.२	12	24	१२५०	४१२.५	९.५
०.३३	44	18	26	१.२	12	30	१२००	३९६	१०.२
०.४७	44	१९.५	32	१.२	10	29	११००	५१७	१२.४
०.६८	44	24	३६.५	१.२	8	28	१०००	६८०	१४.२
०.६८	57	१८.५	31	१.२	8	27	९००	६१२	१४.२
1	57	२३.५	36	१.२	6	31	९५०	९५०	१४.५
१.५	57	२९.५	42	१.२	5	31	८५०	१२७५	१४.५
2	57	33	४८.५	१.२	४.२	31	७५०	१५००	१६.५
२.२	57	35	५०.५	१.२	4	30	७००	१५४०	१७.८
भोल्टेज		अन 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
क्षमता (uF)	L (mm±1)	T (mm±1)	H (mm±1)	φd (मिमी)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०४७	44	१३.५	२१.५	1	22	20	२०००	94	८.५
०.०६८	44	17	25	1	20	20	१८००	१२२.४	१०.५
०.१	44	२०.५	२८.५	१.२	18	20	१५००	१५०	१२.४
०.१५	44	26	34	१.२	16	22	१३५०	२०२.५	१३.८
०.२२	44	29	४१.५	१.२	१४.५	22	१२००	२६४	१४.५