उच्च आवृत्ति पावर इलेक्ट्रोनिक्सको लागि अनुकूलित ड्राई फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन

उच्च आवृत्ति पावर इलेक्ट्रोनिक्स चित्रित छविको लागि अनुकूलित ड्राई फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन

छोटो विवरण:

क्यापेसिटर मोडेल: DKMJ-S श्रृंखला

1. क्षमता दायरा: 100uf ~ 20000uf

2. रेटेड भोल्टेज: 600V.DC ~ 4000V.DC

3. अधिकतम उचाई: 2000m

4. जीवन प्रत्याशा: 100000h

5. सञ्चालन तापमान दायरा: अधिकतम: +70℃

माथिल्लो श्रेणी तापमान: +60 ℃

तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

हाम्रा बलहरू

1. CRE ले आकार, वजन, र लागत घटाउँदै ऊर्जा घनत्व, विश्वसनीयता र दक्षता बढाउन निरन्तर विकास गरिरहेको छ।

2. एक पेशेवर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइनरको रूपमा, हामी दिइएको अनुप्रयोगको लागि क्यापेसिटर प्रदर्शन विशेषताहरू अनुकूलन गर्न फिल्म/विभाजित फिल्म सामग्री र प्रविधिहरू लागू गर्छौं।

3. वर्षौंको अनुभवको साथ, CRE ले विश्वभरका हाम्रा ग्राहकहरूका लागि नवीन क्यापेसिटर समाधानहरू विकास गरिरहन्छ।

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम परिचालन तापमान: + 70 ℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +60 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा	100μF～20000μF
अन/रेटेड भोल्टेज अन	600V.DC～4000V.DC
क्षमता सहिष्णुता	±5%(J); ±10%(K)
भोल्टेज सहन	Vt-t	1.5Un DC/60S
	Vt-c	१०००+२×अन/√२(V.AC)६० सेकेन्ड (न्यूनतम ३००० V.AC)
ओभर भोल्टेज	1.1Un (अन-लोड-को 30%)
	1.15Un (30 मिनेट/दिन)
	1.2Un (5 मिनेट/दिन)
	1.3Un (1 मिनेट/दिन)
	1.5Un (100ms हरेक पटक, 1000 पटक जीवनकालमा)
अपव्यय कारक	tgδ≤0.003 f=100Hz
	tgδ0≤0.0002
ESL	म150 NH
ज्वाला मंदता	UL94V-0
अधिकतम उचाइ	२००० मि
	जब उचाइ 2000m माथि 5000m भन्दा कम हुन्छ, यो घटाइएको रकमको प्रयोगलाई विचार गर्न आवश्यक छ। (1000m को प्रत्येक वृद्धिको लागि, भोल्टेज र वर्तमान 10% ले घटाइनेछ)
आयु - संभाव्यता	100000h (Un; Θhotspot ≤70 °C)
सन्दर्भ मानक	IEC 61071 ; IEC 61881;

सुविधा

1. धातु खोल encapsulation, सुख्खा राल इन्फ्यूजन;

2. कपर नट/स्क्रू लिड, सजिलो स्थापना;

3. ठूलो क्षमता, अनुकूलित आयाम;

4. उच्च भोल्टेज को प्रतिरोध, आत्म-उपचार क्षमता संग;

5. उच्च लहर वर्तमान, उच्च dv / dt प्रतिरोध क्षमता।

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज	अन 800V.DC Us 1200V Ur 200V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
४०००	३४०	१२५	१९०	5	२०.०	१२०	१.१	०.९	१७.६
८०००	३४०	१२५	३५०	4	३२.०	१८०	०.७२	०.६	३१.२
६०००	४२०	१२५	२४५	5	३०.०	१५०	०.९५	०.७	२६.४
10000	४२०	१२५	३६०	4	४०.०	२००	०.७२	०.५	३९.२
१२०००	४२०	२३५	२४५	4	४८.०	२५०	०.९	०.३	४९.६
20000	४२०	२३५	३६०	3	६०.०	३००	०.६	०.३	७३.६
भोल्टेज	अन 1200V.DC Us 1800V Ur 300V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
२५००	३४०	१२५	१९०	8	२०.०	१२०	१.१	०.९	१७.६
३३००	३४०	१२५	२४५	8	२६.४	१५०	०.९५	०.७	२२.४
५०००	४२०	१२५	३००	7	३५.०	१८०	०.८	०.६	३२.८
7500	४२०	१२५	४३०	५.५	४१.३	२००	०.६६	०.६	४४.८
५०००	३४०	२३५	१९०	8	४०.०	२००	१.१	०.३	३२.८
10000	३४०	२३५	३५०	6	६०.०	२५०	०.८	०.३	५८.४
५०००	४२०	२३५	१७५	8	४०.०	२००	1	०.४	36
7500	४२०	२३५	२४५	7	५२.५	२५०	०.९	०.३	४९.६
10000	४२०	२३५	३००	7	७०.०	२५०	०.८	०.३	६१.६
१५०००	४२०	२३५	४३०	5	७५.०	३००	०.६	०.३	84
भोल्टेज	Un 1500V.DC Us 2250V Ur 450V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
१२००	३४०	१२५	१९०	10	१२.०	१२०	१.१	०.९	१७.६
3000	३४०	१२५	४२०	8	२४.०	१८०	०.६६	०.७	३७.६
२०००	४२०	१२५	२४५	10	२०.०	१५०	०.९५	०.७	२६.४
४०००	४२०	१२५	४३०	8	३२.०	२००	०.६६	०.६	४४.८
५०००	३४०	२३५	३५०	8	४०.०	२५०	०.८	०.३	५८.४
४०००	४२०	२३५	२४५	10	४०.०	२५०	०.९	०.३	४९.६
८०००	४२०	२३५	४३०	8	६४.०	३००	०.६	०.३	84
भोल्टेज	अन 2000V.DC Us 3000V Ur 600V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
१०००	३४०	१२५	२४५	12	१२.०	१५०	०.९५	०.७	२२.४
१५००	३४०	१२५	३५०	10	१५.०	१८०	०.७२	०.६	३१.२
२०००	४२०	१२५	३६०	10	२०.०	२००	०.७२	०.५	३९.२
२४००	४२०	१२५	४३०	9	२१.६	२००	०.६६	०.६	४४.८
३२००	३४०	२३५	३५०	10	३२.०	२५०	०.८	०.३	४६.४
४०००	४२०	२३५	३६०	10	४०.०	280	०.७	०.३	५८.४
४८००	४२०	२३५	४३०	9	४३.२	३००	०.६	०.३	६७.२
भोल्टेज	अन 2200V.DC Us 3300V Ur 600V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms (A) अधिकतम	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	वजन (केजी)
२०००	४२०	२३५	२४५	12	24	१५०	०.९	०७४०७४०७४१	40
२७५०	४२०	२३५	३००	10	२७.५	२००	०.८	०.४६८७५	४९.६
३५००	४२०	२३५	३६०	10	35	२००	०.७	०.५३५७१४२८६	५८.४
भोल्टेज	अन 3000V.DC हामीलाई 4500V र 800V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms (A) अधिकतम	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	वजन (केजी)
१०५०	४२०	२३५	२४५	20	21	१५०	०.९	०७४०७४०७४१	40
१४००	४२०	२३५	३००	15	21	२००	०.८	०.४६८७५	४९.६
१८००	४२०	२३५	३६०	15	27	२००	०.७	०.५३५७१४२८६	५८.४
भोल्टेज	अन 4000V.DC Us 6000V Ur 1000V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms (A) अधिकतम	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	वजन (केजी)
६००	४२०	२३५	२४५	20	12	१५०	०.९	०७४०७४०७४१	40
८००	४२०	२३५	३००	20	16	२००	०.८	०.४६८७५	४९.६
१०००	४२०	२३५	३६०	20	20	२००	०.७	०.५३५७१४२८६	५८.४
भोल्टेज	Un 2800V.DC Us 4200V Ur 800V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
2×1000	५६०	१९०	३१०	20	२×२०	२×३५०	1	०.२	60
भोल्टेज	अन 3200V.DC Us 4800V Ur 900V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
२×१२००	३४०	१७५	९५०	15	२×१८	२×२००	१.०	०.५	95