• bbb

ROHS र REACH अनुरूप अक्षीय स्नबर क्यापेसिटर SMJ-TE

छोटो विवरण:

स्नबर क्यापेसिटर
IGBT snubber capacitors को CRE दायरा ROHS र REACH अनुरूप छन्।

1. ज्वाला retardant विशेषताहरु

2. प्लास्टिकको घेरा वा Mylar टेप घेरा

3. epoxy end भरिएको

4. UL94 अनुरूप

5. अनुकूलन उपलब्ध डिजाइन


उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

SMJ-TE श्रृंखला

धातुकृत पोलीप्रोपाइलीन फिल्म स्नबर संधारित्र

सेल्फ-हिलिंग, ड्राई-टाइप, स्नबर क्यापेसिटर तत्वहरू विशेष रूपमा प्रोफाइल गरिएको, वेभ-कट मेटलाइज्ड पीपी फिल्म प्रयोग गरेर उत्पादन गरिन्छ जसले कम सेल्फ-इन्डक्टन्स, उच्च फुट्ने प्रतिरोध र उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित गर्दछ।अत्यधिक दबाव विच्छेदन आवश्यक मानिने छैन।क्यापेसिटरको शीर्ष स्व-निभाउने इको-मैत्री इपोक्सीले बन्द गरिएको छ।विशेष डिजाइनले धेरै कम आत्म-प्रेरण सुनिश्चित गर्दछ।

IMG_0953.HEIC

निर्दिष्टीकरण तालिका

SMJ-TE अक्षीय संधारित्र
भोल्टेज Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.२२ 32 ९.५ १७.५ ०.८ 16 23 ३०० 66 ५.३
०.३३ 32 12 20 1 13 22 २०० 66 ६.५
०.४७ 32 १४.५ २२.५ 1 11 21 220 १०३.४ ८.३
०.६८ 32 18 26 1 10 20 १८० १२२.४ ९.५
1 37 11 19 1 8 28 १५० १५० ७.६
१.५ 37 १३.५ २१.५ 1 7 27 १५० २२५ ९.५
2 37 16 24 १.२ 6 24 130 260 १०.२
२.५ 37 18 26 १.२ ५.५ 25 १२० ३०० १०.५
3 37 20 28 १.२ 5 30 ११० ३३० १०.८
३.३ 37 21 29 १.२ ४.५ 30 ११० ३६३ ११.२
4 57 27 ३६.५ १.२ ४.२ 32 220 ८८० १२.८
४.७ 57 28 ४०.५ १.२ ३.८ 32 २०० ९४० १३.८
५.६ 57 31 ३३.५ १.२ ३.५ 32 १८५ १०३६ १३.५
६.८ 37 29 ४१.५ १.२ २.५ 28 १०० ६८० १३.८
६.८ 57 34 ४६.५ १.२ २.८ 30 १८० १२२४ १४.२
भोल्टेज Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१५ 32 10 १७.५ ०.८ 20 20 ११०० १६५ ५.५
०.२२ 32 12 20 1 15 21 १००० 220 ७.३
०.३३ 32 १५.५ 23 1 13 21 १००० ३३० ८.७
०.४७ 32 १८.५ 26 १.२ 10 23 १००० ४७० १०.५
०.४७ 44 14 22 १.२ 9 24 ९०० ४२३ ९.५
०.६८ 32 20 ३२.५ १.२ 7 25 ९०० ६१२ १०.८
०.६८ 44 17 25 १.२ 6 26 ८०० ५४४ १०.२
1 44 २१.५ २९.५ १.२ ५.६ 27 ९०० ९०० 11
१.५ 44 26 35.5 १.२ 5 29 ९०० १३५० 12
१.५ 57 21 29 १.२ 5 30 ७०० १०५० १२.२
2 44 28 ४०.५ १.२ ४.८ 30 ८०० १६०० १३.२
2 57 24 ३३.५ १.२ ४.८ 32 ६०० १२०० १२.८
२.२ 44 30 ४२.५ १.२ ४.२ 32 ६०० १३२० १३.८
२.२ 57 25 ३४.५ १.२ ४.२ 32 ५०० ११०० १३.५
२.५ 57 25 38 १.२ 4 33 ५०० १२५० १४.२
3 57 28 ४०.५ १.२ ३.५ 34 ४८० १४४० १५.६
३.३ 57 २९.५ 42 १.२ ३.२ 35 ४५० १४८५ १६.५
३.५ 57 ३०.५ 43 १.२ ३.२ 35 ४५० १५७५ १७.२
४.७ 57 35 ५०.५ १.२ 3 36 ४२० सन् १९७४ १७.८
५.६ 57 ३८.५ 65 १.२ २.८ 38 ४०० २२४० १८.२
भोल्टेज Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१ 32 ८.५ 16 ०.८ 20 20 १३०० 130 6
०.१५ 32 10 १७.५ 1 18 20 १२०० १८० ७.५
०.२२ 32 13 21 1 15 22 १२०० २६४ ८.३
०.३३ 32 16 24 1 12 23 १२०० ३९६ 9
०.४७ 32 १७.५ 30 १.२ 10 23 १२०० ५६४ ९.५
०.४७ 44 15 23 १.२ 9 26 ११०० ५१७ ९.८
०.६८ 32 २१.५ 34 १.२ 8 25 ११०० ५१७ 10
०.६८ 44 १८.५ २६.५ १.२ 6 27 १००० ६८० ११.७
1 44 23 31 १.२ 5 28 १००० १००० १२.४
१.५ 44 २६.५ 39 १.२ 5 30 ९५० १४२५ १३.५
१.५ 57 २२.५ ३०.५ १.२ 5 29 ९०० १३५० १२.६
2 44 29 45 १.२ 5 30 ८०० १६०० १४.२
2 57 २६.५ ३४.५ १.२ ४.८ 30 ७५० १५०० १३.८
२.२ 44 31 47 १.२ ४.२ 32 ८०० १७६० १४.५
२.२ 57 २७.५ 35.5 १.२ ४.२ 35 ७०० १५४० १४.५
3 57 29 ४४.५ १.२ ३.२ 37 ५०० १५०० १७.२
३.३ 57 ३०.५ 46 १.२ ३.२ 38 ४५० १४८५ १७.८
४.७ 57 38 ५३.५ १.२ 3 38 ४२० सन् १९७४ १८.२
भोल्टेज Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१ 32 ९.५ १७.५ ०.८ 18 25 १३०० 130 ७.५
०.१५ 32 12 20 1 16 24 १२०० १८० ८.५
०.२२ 32 15 23 1 15 24 १२०० २६४ ९.३
०.३३ 32 १८.५ २६.५ 1 12 22 १२०० ३९६ ९.९
०.३३ 44 १३.५ २१.५ १.२ 12 29 ११०० ३६३ १०.२
०.४७ 44 16 24 १.२ 9 28 १००० ४७० ११.२
०.६८ 44 20 28 १.२ 8 27 १००० ६८० ११.७
1 44 24 ३३.५ १.२ ५.६ 26 ९०० ९०० १२.४
1 57 १९.५ २७.५ १.२ 6 33 ८५० ८५० १०.८
१.५ 44 28 ४०.५ १.२ ४.८ 25 ८०० १२०० १३.५
१.५ 57 24 32 १.२ 5 33 ७५० ११२५ १३.५
2 44 ३१.५ 47 १.२ ४.५ 24 ७५० १५०० १४.२
2 57 २७.५ 37 १.२ ४.८ 32 ६५० १३०० १२.८
२.२ 44 ३३.५ 49 १.२ ४.५ 34 ७०० १५४० १५.६
२.२ 57 29 40 १.२ ४.२ 32 ६०० १३२० १४.५
3 57 31 ४६.५ १.२ 4 30 ५६० १६८० १७.२
३.३ 57 33 ४८.५ १.२ ३.२ 29 ५०० १६५० १७.६
4 57 37 ५२.५ १.२ 3 28 ४५० १८०० १८.२
भोल्टेज Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०६८ 32 9 17 ०.८ 25 23 १५०० १०२ ६.९
०.१ 32 ११.५ १९.५ 1 18 22 १५०० १५० ८.२
०.१ 37 १०.५ १८.५ 1 18 26 १४५० १४५ 8
०.२२ 32 १७.५ २५.५ १.२ 15 21 १४०० ३०८ ९.१
०.२२ 37 16 24 १.२ 15 25 १३०० २८६ 9
०.३३ 37 20 28 १.२ 12 24 १२५० ४१२.५ ९.५
०.३३ 44 18 26 १.२ 12 30 १२०० ३९६ १०.२
०.४७ 44 १९.५ 32 १.२ 10 29 ११०० ५१७ १२.४
०.६८ 44 24 ३६.५ १.२ 8 28 १००० ६८० १४.२
०.६८ 57 १८.५ 31 १.२ 8 27 ९०० ६१२ १४.२
1 57 २३.५ 36 १.२ 6 31 ९५० ९५० १४.५
१.५ 57 २९.५ 42 १.२ 5 31 ८५० १२७५ १४.५
2 57 33 ४८.५ १.२ ४.२ 31 ७५० १५०० १६.५
२.२ 57 35 ५०.५ १.२ 4 30 ७०० १५४० १७.८
भोल्टेज अन 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०४७ 44 १३.५ २१.५ 1 22 20 २००० 94 ८.५
०.०६८ 44 17 25 1 20 20 १८०० १२२.४ १०.५
०.१ 44 २०.५ २८.५ १.२ 18 20 १५०० १५० १२.४
०.१५ 44 26 34 १.२ 16 22 १३५० २०२.५ १३.८
०.२२ 44 29 ४१.५ १.२ १४.५ 22 १२०० २६४ १४.५

भिडियो


  • अघिल्लो:
  • अर्को:

  • हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्:

    यहाँ आफ्नो सन्देश लेख्नुहोस् र हामीलाई पठाउनुहोस्

    हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्: