• bbb

Pcb क्यापेसिटरको लागि नवीकरणीय डिजाइन - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने Polypropylene Snubber Capacitors - CRE

छोटो विवरण:


उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

क्रेता सन्तुष्टि प्राप्त गर्नु हाम्रो फर्मको अनन्त उद्देश्य हो।हामी नयाँ र उच्च-गुणस्तरको व्यापारिक सामानहरू निर्माण गर्न, तपाईंको विशेष आवश्यकताहरू पूरा गर्न र तपाईंलाई पूर्व-बिक्री, बिक्रीमा र बिक्री पछिका उत्पादनहरू र सेवाहरू प्रदान गर्न अद्भुत प्रयास गर्नेछौं।अनुकूलित इन्भर्टर संधारित्र , फिलिम क्यापेसिटर डिफिब्रिलेटरको लागि प्रयोग गरियो , पवन पावर अनुप्रयोगको लागि क्यापेसिटर, अब हामीले 100 भन्दा बढी कर्मचारीहरूसँग निर्माण सुविधाहरू अनुभव गरेका छौं।त्यसैले हामी छोटो नेतृत्व समय र उच्च गुणवत्ता आश्वासन ग्यारेन्टी गर्न सक्छौं।
Pcb Capacitor को लागि नवीकरणीय डिजाइन - Polypropylene Snubber Capacitors उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग गरिन्छ - CRE विवरण:

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा अधिकतम परिचालन तापमान।, शीर्ष, अधिकतम: + 85 ℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा ०.१μF~5.6μF
तोकिएको भोल्टेज

630V.DC~2000V.DC

Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)

भोल्टेज सहन

1.5Un DC/10S

अपव्यय कारक

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

इन्सुलेशन प्रतिरोध

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S मा)

स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस्
आयु - संभाव्यता

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)

सन्दर्भ मानक

IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

आवेदन

1. IGBT स्नबर, GTO स्नबर

2. व्यापक रूपमा पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणमा प्रयोग गरिन्छ जब शिखर भोल्टेज, शिखर वर्तमान अवशोषण सुरक्षा।

रूपरेखा रेखाचित्र

图片१

SMJ-TE अक्षीय संधारित्र
भोल्टेज Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.२२ 32 ९.५ १७.५ ०.८ 16 23 ३०० 66 ५.३
०.३३ 32 12 20 1 13 22 २०० 66 ६.५
०.४७ 32 १४.५ २२.५ 1 11 21 220 १०३.४ ८.३
०.६८ 32 18 26 1 10 20 १८० १२२.४ ९.५
1 37 11 19 1 8 28 १५० १५० ७.६
१.५ 37 १३.५ २१.५ 1 7 27 १५० २२५ ९.५
2 37 16 24 १.२ 6 24 130 260 १०.२
२.५ 37 18 26 १.२ ५.५ 25 १२० ३०० १०.५
3 37 20 28 १.२ 5 30 ११० ३३० १०.८
३.३ 37 21 29 १.२ ४.५ 30 ११० ३६३ ११.२
4 57 27 ३६.५ १.२ ४.२ 32 220 ८८० १२.८
४.७ 57 28 ४०.५ १.२ ३.८ 32 २०० ९४० १३.८
५.६ 57 31 ३३.५ १.२ ३.५ 32 १८५ १०३६ १३.५
६.८ 37 29 ४१.५ १.२ २.५ 28 १०० ६८० १३.८
६.८ 57 34 ४६.५ १.२ २.८ 30 १८० १२२४ १४.२
भोल्टेज Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१५ 32 10 १७.५ ०.८ 20 20 ११०० १६५ ५.५
०.२२ 32 12 20 1 15 21 १००० 220 ७.३
०.३३ 32 १५.५ 23 1 13 21 १००० ३३० ८.७
०.४७ 32 १८.५ 26 १.२ 10 23 १००० ४७० १०.५
०.४७ 44 14 22 १.२ 9 24 ९०० ४२३ ९.५
०.६८ 32 20 ३२.५ १.२ 7 25 ९०० ६१२ १०.८
०.६८ 44 17 25 १.२ 6 26 ८०० ५४४ १०.२
1 44 २१.५ २९.५ १.२ ५.६ 27 ९०० ९०० 11
१.५ 44 26 35.5 १.२ 5 29 ९०० १३५० 12
१.५ 57 21 29 १.२ 5 30 ७०० १०५० १२.२
2 44 28 ४०.५ १.२ ४.८ 30 ८०० १६०० १३.२
2 57 24 ३३.५ १.२ ४.८ 32 ६०० १२०० १२.८
२.२ 44 30 ४२.५ १.२ ४.२ 32 ६०० १३२० १३.८
२.२ 57 25 ३४.५ १.२ ४.२ 32 ५०० ११०० १३.५
२.५ 57 25 38 १.२ 4 33 ५०० १२५० १४.२
3 57 28 ४०.५ १.२ ३.५ 34 ४८० १४४० १५.६
३.३ 57 २९.५ 42 १.२ ३.२ 35 ४५० १४८५ १६.५
३.५ 57 ३०.५ 43 १.२ ३.२ 35 ४५० १५७५ १७.२
४.७ 57 35 ५०.५ १.२ 3 36 ४२० सन् १९७४ १७.८
५.६ 57 ३८.५ 65 १.२ २.८ 38 ४०० २२४० १८.२
भोल्टेज Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१ 32 ८.५ 16 ०.८ 20 20 १३०० 130 6
०.१५ 32 10 १७.५ 1 18 20 १२०० १८० ७.५
०.२२ 32 13 21 1 15 22 १२०० २६४ ८.३
०.३३ 32 16 24 1 12 23 १२०० ३९६ 9
०.४७ 32 १७.५ 30 १.२ 10 23 १२०० ५६४ ९.५
०.४७ 44 15 23 १.२ 9 26 ११०० ५१७ ९.८
०.६८ 32 २१.५ 34 १.२ 8 25 ११०० ५१७ 10
०.६८ 44 १८.५ २६.५ १.२ 6 27 १००० ६८० ११.७
1 44 23 31 १.२ 5 28 १००० १००० १२.४
१.५ 44 २६.५ 39 १.२ 5 30 ९५० १४२५ १३.५
१.५ 57 २२.५ ३०.५ १.२ 5 29 ९०० १३५० १२.६
2 44 29 45 १.२ 5 30 ८०० १६०० १४.२
2 57 २६.५ ३४.५ १.२ ४.८ 30 ७५० १५०० १३.८
२.२ 44 31 47 १.२ ४.२ 32 ८०० १७६० १४.५
२.२ 57 २७.५ 35.5 १.२ ४.२ 35 ७०० १५४० १४.५
3 57 29 ४४.५ १.२ ३.२ 37 ५०० १५०० १७.२
३.३ 57 ३०.५ 46 १.२ ३.२ 38 ४५० १४८५ १७.८
४.७ 57 38 ५३.५ १.२ 3 38 ४२० सन् १९७४ १८.२
भोल्टेज Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१ 32 ९.५ १७.५ ०.८ 18 25 १३०० 130 ७.५
०.१५ 32 12 20 1 16 24 १२०० १८० ८.५
०.२२ 32 15 23 1 15 24 १२०० २६४ ९.३
०.३३ 32 १८.५ २६.५ 1 12 22 १२०० ३९६ ९.९
०.३३ 44 १३.५ २१.५ १.२ 12 29 ११०० ३६३ १०.२
०.४७ 44 16 24 १.२ 9 28 १००० ४७० ११.२
०.६८ 44 20 28 १.२ 8 27 १००० ६८० ११.७
1 44 24 ३३.५ १.२ ५.६ 26 ९०० ९०० १२.४
1 57 १९.५ २७.५ १.२ 6 33 ८५० ८५० १०.८
१.५ 44 28 ४०.५ १.२ ४.८ 25 ८०० १२०० १३.५
१.५ 57 24 32 १.२ 5 33 ७५० ११२५ १३.५
2 44 ३१.५ 47 १.२ ४.५ 24 ७५० १५०० १४.२
2 57 २७.५ 37 १.२ ४.८ 32 ६५० १३०० १२.८
२.२ 44 ३३.५ 49 १.२ ४.५ 34 ७०० १५४० १५.६
२.२ 57 29 40 १.२ ४.२ 32 ६०० १३२० १४.५
3 57 31 ४६.५ १.२ 4 30 ५६० १६८० १७.२
३.३ 57 33 ४८.५ १.२ ३.२ 29 ५०० १६५० १७.६
4 57 37 ५२.५ १.२ 3 28 ४५० १८०० १८.२
भोल्टेज Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०६८ 32 9 17 ०.८ 25 23 १५०० १०२ ६.९
०.१ 32 ११.५ १९.५ 1 18 22 १५०० १५० ८.२
०.१ 37 १०.५ १८.५ 1 18 26 १४५० १४५ 8
०.२२ 32 १७.५ २५.५ १.२ 15 21 १४०० ३०८ ९.१
०.२२ 37 16 24 १.२ 15 25 १३०० २८६ 9
०.३३ 37 20 28 १.२ 12 24 १२५० ४१२.५ ९.५
०.३३ 44 18 26 १.२ 12 30 १२०० ३९६ १०.२
०.४७ 44 १९.५ 32 १.२ 10 29 ११०० ५१७ १२.४
०.६८ 44 24 ३६.५ १.२ 8 28 १००० ६८० १४.२
०.६८ 57 १८.५ 31 १.२ 8 27 ९०० ६१२ १४.२
1 57 २३.५ 36 १.२ 6 31 ९५० ९५० १४.५
१.५ 57 २९.५ 42 १.२ 5 31 ८५० १२७५ १४.५
2 57 33 ४८.५ १.२ ४.२ 31 ७५० १५०० १६.५
२.२ 57 35 ५०.५ १.२ 4 30 ७०० १५४० १७.८
भोल्टेज अन 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०४७ 44 १३.५ २१.५ 1 22 20 २००० 94 ८.५
०.०६८ 44 17 25 1 20 20 १८०० १२२.४ १०.५
०.१ 44 २०.५ २८.५ १.२ 18 20 १५०० १५० १२.४
०.१५ 44 26 34 १.२ 16 22 १३५० २०२.५ १३.८
०.२२ 44 29 ४१.५ १.२ १४.५ 22 १२०० २६४ १४.५

भिडियो


उत्पादन विवरण चित्र:

Pcb क्यापेसिटरको लागि नवीकरणीय डिजाइन - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने Polypropylene Snubber Capacitors - CRE विवरण चित्रहरू

Pcb क्यापेसिटरको लागि नवीकरणीय डिजाइन - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने Polypropylene Snubber Capacitors - CRE विवरण चित्रहरू

Pcb क्यापेसिटरको लागि नवीकरणीय डिजाइन - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने Polypropylene Snubber Capacitors - CRE विवरण चित्रहरू

Pcb क्यापेसिटरको लागि नवीकरणीय डिजाइन - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने Polypropylene Snubber Capacitors - CRE विवरण चित्रहरू


सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

हाम्रो ध्यान सधैं वर्तमान समाधानहरूको उत्कृष्ट र सेवालाई सुदृढ र बृद्धि गर्ने हो, यस बीचमा Pcb क्यापेसिटरको लागि नवीकरणीय डिजाइनको लागि विशिष्ट ग्राहकहरूको मागहरू पूरा गर्न नियमित रूपमा नयाँ उत्पादनहरू विकास गर्न - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्समा प्रयोग हुने पोलीप्रोपाइलिन स्नबर क्यापेसिटरहरू। अनुप्रयोगहरू - CRE, उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: क्रोएशिया, अकल्यान्ड, चिली, गुणस्तरको रूपमा बाँच्नको रूपमा, ग्यारेन्टीको रूपमा प्रतिष्ठा, प्रेरणाको रूपमा नवीनता, उन्नत प्रविधिको साथ विकास, हाम्रो समूहले सँगै प्रगति गर्ने आशा गर्दछ। तपाईंसँग र यस उद्योगको उज्ज्वल भविष्यको लागि अथक प्रयासहरू गर्नुहोस्।
  • यस्तो राम्रो आपूर्तिकर्ता भेट्न यो साँच्चै भाग्यशाली छ, यो हाम्रो सबैभन्दा सन्तुष्ट सहयोग हो, मलाई लाग्छ कि हामी फेरि काम गर्नेछौं! ५ ताराहरू इजिप्टबाट मेलिसा द्वारा - 2018.09.19 18:37
    हामी दिर्घकालिन साझेदार हौं, हरेक पटक निराशा छैन, हामी यो मित्रता पछि पनि कायम राख्ने आशा गर्दछौं! ५ ताराहरू जेनी द्वारा ब्यूनस आयर्स - 2017.04.08 14:55

    हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्:

    यहाँ आफ्नो सन्देश लेख्नुहोस् र हामीलाई पठाउनुहोस्

    हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्: