• bbb

Pcb क्यापेसिटरको लागि नवीकरणीय डिजाइन - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने Polypropylene Snubber Capacitors - CRE

छोटो विवरण:


उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

हामी उच्च गुणस्तर र वृद्धि, व्यापार, आम्दानी र मार्केटिङ र प्रक्रियाको लागि उत्कृष्ट शक्ति प्रदान गर्दछौं।ऊर्जा भण्डारण फिल्म संधारित्र , औद्योगिक क्यापेसिटर बिक्रीको लागि , हार्मोनिक अनुनाद संधारित्र, हामी तपाईंलाई सँगै समृद्ध र कुशल व्यापार सिर्जना गर्ने यस मार्गमा सामेल हुन स्वागत गर्दछौं।
Pcb Capacitor को लागि नवीकरणीय डिजाइन - Polypropylene Snubber Capacitors उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग गरिन्छ - CRE विवरण:

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा अधिकतम परिचालन तापमान।, शीर्ष, अधिकतम: + 85 ℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा ०.१μF~5.6μF
तोकिएको भोल्टेज

630V.DC~2000V.DC

Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)

भोल्टेज सहन

1.5Un DC/10S

अपव्यय कारक

tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz

tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz

इन्सुलेशन प्रतिरोध

C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा)

C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S मा)

स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस्
आयु - संभाव्यता

100000h(Un; Θhotspot≤85°C)

सन्दर्भ मानक

IEC 61071; IEC 61881; GB/T17702

आवेदन

1. IGBT स्नबर, GTO स्नबर

2. व्यापक रूपमा पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणमा प्रयोग गरिन्छ जब शिखर भोल्टेज, शिखर वर्तमान अवशोषण सुरक्षा।

रूपरेखा रेखाचित्र

图片१

SMJ-TE अक्षीय संधारित्र
भोल्टेज Un630V.DC;Urms400Vac;Us 945V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.२२ 32 ९.५ १७.५ ०.८ 16 23 ३०० 66 ५.३
०.३३ 32 12 20 1 13 22 २०० 66 ६.५
०.४७ 32 १४.५ २२.५ 1 11 21 220 १०३.४ ८.३
०.६८ 32 18 26 1 10 20 १८० १२२.४ ९.५
1 37 11 19 1 8 28 १५० १५० ७.६
१.५ 37 १३.५ २१.५ 1 7 27 १५० २२५ ९.५
2 37 16 24 १.२ 6 24 130 260 १०.२
२.५ 37 18 26 १.२ ५.५ 25 १२० ३०० १०.५
3 37 20 28 १.२ 5 30 ११० ३३० १०.८
३.३ 37 21 29 १.२ ४.५ 30 ११० ३६३ ११.२
4 57 27 ३६.५ १.२ ४.२ 32 220 ८८० १२.८
४.७ 57 28 ४०.५ १.२ ३.८ 32 २०० ९४० १३.८
५.६ 57 31 ३३.५ १.२ ३.५ 32 १८५ १०३६ १३.५
६.८ 37 29 ४१.५ १.२ २.५ 28 १०० ६८० १३.८
६.८ 57 34 ४६.५ १.२ २.८ 30 १८० १२२४ १४.२
भोल्टेज Un 1000V.DC;Urms 500Vac;Us 1500V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१५ 32 10 १७.५ ०.८ 20 20 ११०० १६५ ५.५
०.२२ 32 12 20 1 15 21 १००० 220 ७.३
०.३३ 32 १५.५ 23 1 13 21 १००० ३३० ८.७
०.४७ 32 १८.५ 26 १.२ 10 23 १००० ४७० १०.५
०.४७ 44 14 22 १.२ 9 24 ९०० ४२३ ९.५
०.६८ 32 20 ३२.५ १.२ 7 25 ९०० ६१२ १०.८
०.६८ 44 17 25 १.२ 6 26 ८०० ५४४ १०.२
1 44 २१.५ २९.५ १.२ ५.६ 27 ९०० ९०० 11
१.५ 44 26 35.5 १.२ 5 29 ९०० १३५० 12
१.५ 57 21 29 १.२ 5 30 ७०० १०५० १२.२
2 44 28 ४०.५ १.२ ४.८ 30 ८०० १६०० १३.२
2 57 24 ३३.५ १.२ ४.८ 32 ६०० १२०० १२.८
२.२ 44 30 ४२.५ १.२ ४.२ 32 ६०० १३२० १३.८
२.२ 57 25 ३४.५ १.२ ४.२ 32 ५०० ११०० १३.५
२.५ 57 25 38 १.२ 4 33 ५०० १२५० १४.२
3 57 28 ४०.५ १.२ ३.५ 34 ४८० १४४० १५.६
३.३ 57 २९.५ 42 १.२ ३.२ 35 ४५० १४८५ १६.५
३.५ 57 ३०.५ 43 १.२ ३.२ 35 ४५० १५७५ १७.२
४.७ 57 35 ५०.५ १.२ 3 36 ४२० सन् १९७४ १७.८
५.६ 57 ३८.५ 65 १.२ २.८ 38 ४०० २२४० १८.२
भोल्टेज Un 1200V.DC;Urms 550Vac;Us 1800V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१ 32 ८.५ 16 ०.८ 20 20 १३०० 130 6
०.१५ 32 10 १७.५ 1 18 20 १२०० १८० ७.५
०.२२ 32 13 21 1 15 22 १२०० २६४ ८.३
०.३३ 32 16 24 1 12 23 १२०० ३९६ 9
०.४७ 32 १७.५ 30 १.२ 10 23 १२०० ५६४ ९.५
०.४७ 44 15 23 १.२ 9 26 ११०० ५१७ ९.८
०.६८ 32 २१.५ 34 १.२ 8 25 ११०० ५१७ 10
०.६८ 44 १८.५ २६.५ १.२ 6 27 १००० ६८० ११.७
1 44 23 31 १.२ 5 28 १००० १००० १२.४
१.५ 44 २६.५ 39 १.२ 5 30 ९५० १४२५ १३.५
१.५ 57 २२.५ ३०.५ १.२ 5 29 ९०० १३५० १२.६
2 44 29 45 १.२ 5 30 ८०० १६०० १४.२
2 57 २६.५ ३४.५ १.२ ४.८ 30 ७५० १५०० १३.८
२.२ 44 31 47 १.२ ४.२ 32 ८०० १७६० १४.५
२.२ 57 २७.५ 35.5 १.२ ४.२ 35 ७०० १५४० १४.५
3 57 29 ४४.५ १.२ ३.२ 37 ५०० १५०० १७.२
३.३ 57 ३०.५ 46 १.२ ३.२ 38 ४५० १४८५ १७.८
४.७ 57 38 ५३.५ १.२ 3 38 ४२० सन् १९७४ १८.२
भोल्टेज Un 1700V.DC;Urms 600Vac;Us 2550V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.१ 32 ९.५ १७.५ ०.८ 18 25 १३०० 130 ७.५
०.१५ 32 12 20 1 16 24 १२०० १८० ८.५
०.२२ 32 15 23 1 15 24 १२०० २६४ ९.३
०.३३ 32 १८.५ २६.५ 1 12 22 १२०० ३९६ ९.९
०.३३ 44 १३.५ २१.५ १.२ 12 29 ११०० ३६३ १०.२
०.४७ 44 16 24 १.२ 9 28 १००० ४७० ११.२
०.६८ 44 20 28 १.२ 8 27 १००० ६८० ११.७
1 44 24 ३३.५ १.२ ५.६ 26 ९०० ९०० १२.४
1 57 १९.५ २७.५ १.२ 6 33 ८५० ८५० १०.८
१.५ 44 28 ४०.५ १.२ ४.८ 25 ८०० १२०० १३.५
१.५ 57 24 32 १.२ 5 33 ७५० ११२५ १३.५
2 44 ३१.५ 47 १.२ ४.५ 24 ७५० १५०० १४.२
2 57 २७.५ 37 १.२ ४.८ 32 ६५० १३०० १२.८
२.२ 44 ३३.५ 49 १.२ ४.५ 34 ७०० १५४० १५.६
२.२ 57 29 40 १.२ ४.२ 32 ६०० १३२० १४.५
3 57 31 ४६.५ १.२ 4 30 ५६० १६८० १७.२
३.३ 57 33 ४८.५ १.२ ३.२ 29 ५०० १६५० १७.६
4 57 37 ५२.५ १.२ 3 28 ४५० १८०० १८.२
भोल्टेज Un 2000V.DC;Urms 700Vac;Us 3000V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०६८ 32 9 17 ०.८ 25 23 १५०० १०२ ६.९
०.१ 32 ११.५ १९.५ 1 18 22 १५०० १५० ८.२
०.१ 37 १०.५ १८.५ 1 18 26 १४५० १४५ 8
०.२२ 32 १७.५ २५.५ १.२ 15 21 १४०० ३०८ ९.१
०.२२ 37 16 24 १.२ 15 25 १३०० २८६ 9
०.३३ 37 20 28 १.२ 12 24 १२५० ४१२.५ ९.५
०.३३ 44 18 26 १.२ 12 30 १२०० ३९६ १०.२
०.४७ 44 १९.५ 32 १.२ 10 29 ११०० ५१७ १२.४
०.६८ 44 24 ३६.५ १.२ 8 28 १००० ६८० १४.२
०.६८ 57 १८.५ 31 १.२ 8 27 ९०० ६१२ १४.२
1 57 २३.५ 36 १.२ 6 31 ९५० ९५० १४.५
१.५ 57 २९.५ 42 १.२ 5 31 ८५० १२७५ १४.५
2 57 33 ४८.५ १.२ ४.२ 31 ७५० १५०० १६.५
२.२ 57 35 ५०.५ १.२ 4 30 ७०० १५४० १७.८
भोल्टेज अन 3000V.DC;Urms 750Vac;Us 4500V
क्षमता (uF) L (mm±1) T (mm±1) H (mm±1) φd (मिमी) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms @25℃ @100KHz (A)
०.०४७ 44 १३.५ २१.५ 1 22 20 २००० 94 ८.५
०.०६८ 44 17 25 1 20 20 १८०० १२२.४ १०.५
०.१ 44 २०.५ २८.५ १.२ 18 20 १५०० १५० १२.४
०.१५ 44 26 34 १.२ 16 22 १३५० २०२.५ १३.८
०.२२ 44 29 ४१.५ १.२ १४.५ 22 १२०० २६४ १४.५

भिडियो


उत्पादन विवरण चित्र:

Pcb क्यापेसिटरको लागि नवीकरणीय डिजाइन - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने Polypropylene Snubber Capacitors - CRE विवरण चित्रहरू

Pcb क्यापेसिटरको लागि नवीकरणीय डिजाइन - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने Polypropylene Snubber Capacitors - CRE विवरण चित्रहरू

Pcb क्यापेसिटरको लागि नवीकरणीय डिजाइन - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने Polypropylene Snubber Capacitors - CRE विवरण चित्रहरू

Pcb क्यापेसिटरको लागि नवीकरणीय डिजाइन - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने Polypropylene Snubber Capacitors - CRE विवरण चित्रहरू


सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

हाम्रो उद्यमले इमानदारीपूर्वक सञ्चालन गर्ने, हाम्रा सबै सम्भावनाहरूलाई सेवा दिने, र Pcb क्यापेसिटरका लागि नवीकरणीय डिजाइनको लागि बारम्बार नयाँ प्रविधि र नयाँ मेसिनमा काम गर्ने लक्ष्य राखेको छ - उच्च भोल्टेज, उच्च वर्तमान र उच्च पल्स अनुप्रयोगहरूमा प्रयोग हुने Polypropylene Snubber Capacitors - CRE, उत्पादन हुनेछ। विश्वभर आपूर्ति, जस्तै: पोर्चुगल, घाना, मौरिटानिया, हाम्रो कम्पनीले पहिले नै ISO मानक पास गरिसकेको छ र हामी हाम्रा ग्राहकको पेटेन्ट र प्रतिलिपि अधिकारलाई पूर्ण रूपमा सम्मान गर्छौं।यदि ग्राहकले आफ्नै डिजाइनहरू प्रदान गर्दछ भने, हामी ग्यारेन्टी दिनेछौं कि तिनीहरू मात्र उत्पादनहरू पाउन सक्नेछन्।हामी आशा गर्छौं कि हाम्रा राम्रो उत्पादनहरूले हाम्रा ग्राहकहरूलाई ठूलो भाग्य ल्याउन सक्छ।
  • हामी धेरै वर्षदेखि यस उद्योगमा संलग्न छौं, हामी कम्पनीको काम गर्ने मनोवृत्ति र उत्पादन क्षमताको कदर गर्छौं, यो एक सम्मानित र व्यावसायिक निर्माता हो। ५ ताराहरू अल्जेरियाबाट रिगोबर्टो बोलर द्वारा - 2018.09.12 17:18
    कम्पनीको यस उद्योगमा राम्रो प्रतिष्ठा छ, र अन्तमा यो थाहा भयो कि तिनीहरूलाई छान्नु राम्रो विकल्प हो। ५ ताराहरू Joyce द्वारा जोहानेसबर्ग - 2017.08.21 14:13

    हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्:

    यहाँ आफ्नो सन्देश लेख्नुहोस् र हामीलाई पठाउनुहोस्

    हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्: