पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणमा GTO स्नबर क्यापेसिटर

छोटो विवरण:

स्विचिङ सर्किटहरूमा प्रयोग हुने डायोडहरूको लागि स्नबर सर्किटहरू आवश्यक छन्।यसले डायोडलाई ओभरभोल्टेज स्पाइकहरूबाट बचाउन सक्छ, जुन उल्टो रिकभरी प्रक्रियाको क्रममा उत्पन्न हुन सक्छ।

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम परिचालन तापमान।, शीर्ष, अधिकतम: + 85 ℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा	०.२२～3μF
तोकिएको भोल्टेज	3000V.DC～10000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
भोल्टेज सहन	1.35Un DC/10S
अपव्यय कारक	tgδ≤0.001 f=1KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा) C＞0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S मा)
स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस्	डाटाशीट हेर्नुहोस्
आयु - संभाव्यता	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
सन्दर्भ मानक	IEC 61071 ;

सुविधा

1. Mylar टेप, राल संग छाप;

2. तामा नट नेतृत्व;

3. उच्च भोल्टेज प्रतिरोध, कम tgδ, कम तापमान वृद्धि;

4. कम ESL र ESR;

5. उच्च पल्स वर्तमान।

आवेदन

1. GTO स्नबर।

2. व्यापक रूपमा पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणमा प्रयोग गरिन्छ जब शिखर भोल्टेज, शिखर वर्तमान अवशोषण सुरक्षा।

सामान्य सर्किट

रूपरेखा रेखाचित्र

निर्दिष्टीकरण

Un=3000V.DC
क्षमता (μF)	φD (मिमी)	L(mm)	L1(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
०.२२	35	44	52	25	११००	२४२	30
०.३३	43	44	52	25	१०००	३३०	35
०.४७	51	44	52	22	८५०	३९९	45
०.६८	61	44	52	22	८००	५४४	55
१	74	44	52	20	७००	७००	65
१.२	80	44	52	20	६५०	७८०	75
१.५	52	70	84	30	६००	९००	45
२.०	60	70	84	30	५००	१०००	55
३.०	73	70	84	30	४००	१२००	65
४.०	83	70	84	30	३५०	१४००	70
Un=6000V.DC
क्षमता (μF)	φD (मिमी)	L(mm)	L1(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
०.२२	43	60	72	25	१५००	३३०	35
०.३३	52	60	72	25	१२००	३९६	45
०.४७	62	60	72	25	१०००	४७०	50
०.६८	74	60	72	22	९००	६१२	60
१	90	60	72	22	८००	९००	75

Un=7000V.DC
क्षमता (μF)	φD (मिमी)	L(mm)	L1(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
०.२२	45	57	72	25	११००	२४२	30
०.६८	36	80	92	28	१०००	६८०	25
१.०	43	80	92	28	८५०	८५०	30
१.५	52	80	92	25	८००	१२००	35
१.८	57	80	92	25	७००	१२६०	40
२.०	60	80	92	23	६५०	१३००	45
३.०	73	80	92	22	५००	१५००	50

Un=8000V.DC
क्षमता (μF)	φD (मिमी)	L(mm)	L1(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
०.३३	35	90	१०२	30	११००	३६३	25
०.४७	41	90	१०२	28	१०००	४७०	30
०.६८	49	90	१०२	28	८५०	५७८	35
१	60	90	१०२	25	८००	८००	40
१.५	72	90	१०२	25	७००	१०५०	45
२.०	83	90	१०२	25	६५०	१३००	50

Un=10000V.DC
क्षमता (μF)	φD (मिमी)	L(mm)	L1(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms(A)
०.३३	45	११४	१२३	35	१५००	४९५	30
०.४७	54	११४	१२३	35	१३००	६११	35
०.६८	65	११४	१२३	35	१२००	८१६	40
१	78	११४	१२३	30	१०००	१०००	55
१.५	95	११४	१२३	30	८००	१२००	70