पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा GTO स्नबर क्यापेसिटर

पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणमा GTO स्नबर क्यापेसिटर विशेष छवि

छोटो वर्णन:

स्विचिङ सर्किटहरूमा प्रयोग हुने डायोडहरूको लागि स्नबर सर्किटहरू आवश्यक हुन्छन्। यसले डायोडलाई ओभरभोल्टेज स्पाइकबाट बचाउन सक्छ, जुन रिभर्स रिकभरी प्रक्रियाको क्रममा उत्पन्न हुन सक्छ।

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

प्राविधिक डेटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम सञ्चालन तापमान।, माथिल्लो, अधिकतम: + ८५℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +८५℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -४०℃
क्षमता दायरा	०.२२~३μF
मूल्याङ्कन गरिएको भोल्टेज	३०००V.DC~१००००V.DC
क्याप.टोल	±५%(जे); ±१०%(के)
भोल्टेज सहन	१.३५Un DC/१०S
अपव्यय कारक	tgδ≤०.००१ f=१KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤०.३३μF RS≥१५००० MΩ (२०℃ १००V.DC ६०S मा) C＞०.३३μF RS*C≥५०००S (२०℃ १००V.DC ६०S मा)
स्ट्राइक करेन्ट सहन गर्नुहोस्	डेटासिट हेर्नुहोस्
आयु	100000h(Un; Θhotspot≤70°C)
सन्दर्भ मानक	आईईसी ६१०७१;

सुविधा

१. माइलर टेप, रालले सिल गरिएको;

२. तामाको नट लिड;

३. उच्च भोल्टेज, कम tgδ, कम तापक्रम वृद्धिको प्रतिरोध;

४. कम ESL र ESR;

५. उच्च पल्स करेन्ट।

आवेदन

१. GTO स्नबर।

२. पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ जब शिखर भोल्टेज, शिखर वर्तमान अवशोषण सुरक्षा।

सामान्य सर्किट

रूपरेखा रेखाचित्र

निर्दिष्टीकरण

अन=३०००V.DC
क्षमता (μF)	φD (मिमी)	L(मिमी)	L१(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	Irms(A)
०.२२	35	44	52	25	११००	२४२	30
०.३३	43	44	52	25	१०००	३३०	35
०.४७	51	44	52	22	८५०	३९९	45
०.६८	61	44	52	22	८००	५४४	55
१	74	44	52	20	७००	७००	65
१.२	80	44	52	20	६५०	७८०	75
१.५	52	70	84	30	६००	९००	45
२.०	60	70	84	30	५००	१०००	55
३.०	73	70	84	30	४००	१२००	65
४.०	83	70	84	30	३५०	१४००	70
अन=६०००V.DC
क्षमता (μF)	φD (मिमी)	L(मिमी)	L१(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	Irms(A)
०.२२	43	60	72	25	१५००	३३०	35
०.३३	52	60	72	25	१२००	३९६	45
०.४७	62	60	72	25	१०००	४७०	50
०.६८	74	60	72	22	९००	६१२	60
१	90	60	72	22	८००	९००	75

अन=७०००V.DC
क्षमता (μF)	φD (मिमी)	L(मिमी)	L१(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	Irms(A)
०.२२	45	57	72	25	११००	२४२	30
०.६८	36	80	92	28	१०००	६८०	25
१.०	43	80	92	28	८५०	८५०	30
१.५	52	80	92	25	८००	१२००	35
१.८	57	80	92	25	७००	१२६०	40
२.०	60	80	92	23	६५०	१३००	45
३.०	73	80	92	22	५००	१५००	50

अन=८०००V.DC
क्षमता (μF)	φD (मिमी)	L(मिमी)	L१(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	Irms(A)
०.३३	35	90	१०२	30	११००	३६३	25
०.४७	41	90	१०२	28	१०००	४७०	30
०.६८	49	90	१०२	28	८५०	५७८	35
१	60	90	१०२	25	८००	८००	40
१.५	72	90	१०२	25	७००	१०५०	45
२.०	83	90	१०२	25	६५०	१३००	50

अन=१००००V.DC
क्षमता (μF)	φD (मिमी)	L(मिमी)	L१(मिमी)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	Irms(A)
०.३३	45	११४	१२३	35	१५००	४९५	30
०.४७	54	११४	१२३	35	१३००	६११	35
०.६८	65	११४	१२३	35	१२००	८१६	40
१	78	११४	१२३	30	१०००	१०००	55
१.५	95	११४	१२३	30	८००	१२००	70