• bbb

बेलनाकार संरचनाको साथ ड्राई टाइप मेटलाइज्ड फिल्म एसी क्यापेसिटर

छोटो विवरण:

एसी फिल्टर क्यापेसिटर (AKMJ-MC)

CRE ले सुख्खा प्रकारको फिल्म एसी फिल्टर क्यापेसिटर विकसित गर्यो जसले उच्च भोल्टेजलाई आत्म-उपचार क्षमताको साथ प्रतिरोध गर्न सक्छ।एसी फिल्टर क्यापेसिटरहरू विशेष रूपमा एसी सर्किटको लागि डिजाइन गरिएको हो।यो पावर इलेक्ट्रोनिक उत्पादन, उच्च शक्ति UPS, इन्भर्टर आदि मा लोकप्रिय छ।


उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

AKMJ-MC श्रृंखला

डिजाइनमा आधारित छ कि मेटालाइज्ड पोलीप्रोपाइलीन फिल्म स्व-निको पार्ने प्रयोग गरिन्छ।र पोलिमेरिक डाइलेक्ट्रिकको विशेष संरचनाले तापमान दायरामा +85 ℃ सम्म उच्च डाइलेक्ट्रिक शक्तिमा पुग्न सक्षम बनाउँछ।

बसबार र जडान टर्मिनलहरूको विशेष निर्माणले कम आत्म-प्रेरण प्रदान गर्दछ।पावर इलेक्ट्रोनिक क्यापेसिटरहरू अन्य टेक्नोलोजीहरूको क्यापेसिटरहरूको विकल्प हुन सक्छ किनभने तिनीहरू विभिन्न उच्च भोल्टेज लहरहरू खडा गर्न सक्छन्।यी क्यापेसिटरहरूसँग अपरेटिङ वर्तमान र लामो सञ्चालन समयको उच्च मानहरू छन्।

Capacitors कुनै पनि स्थिति मा माउन्ट गर्न सकिन्छ।विस्तृत विद्युतीय र मेकानिकल सुविधाहरू सान्दर्भिक डाटा-शीटहरूमा फेला पार्न सकिन्छ।

IMG_4779

आवेदन

  1. औद्योगिक स्वचालन

फ्रिक्वेन्सी कन्भर्टर र सर्वो प्रणाली आदि जस्ता सबै प्रकारका स्वचालन नियन्त्रण क्षेत्रहरूमा लागू;CRE प्रसिद्ध कम्पनीहरू जस्तै सिमेन्स, फुजी इलेक्ट्रिक, एलएस आदिको विश्वव्यापी आपूर्तिकर्ता हो।

  1. विद्युत आपूर्ति

UPS, स्विचिंग पावर सप्लाई, इन्भर्टर पावर सप्लाई, कम्युनिकेशन पावर सप्लाई, वेल्डिङ मेसिन बिजुली आपूर्ति, विशेष बिजुली आपूर्ति, प्रकाश र अन्य क्षेत्रहरूमा लागू गरियो;हामी राज्य ग्रिड, TBEA, Pansonic, Huawei आदि जस्ता प्रसिद्ध उद्यमहरूको तोकिएको आपूर्तिकर्ता हौं।

  1. लिफ्टिङ उपकरण

सबै प्रकारका लिफ्टहरू, पोर्ट मेसिनरी र विभिन्न प्रकारका लिफ्टिङ उपकरणहरूका लागि;यो मित्सुबिशी जस्ता प्रसिद्ध उद्यमहरूको रुचाइएको आपूर्तिकर्ता हो)

  1. यातायात

रेल यातायात, नयाँ ऊर्जा सवारी साधन आदिका लागि CRE CRRC, BJEV, JEE आदि को तोकिएको आपूर्तिकर्ता हो।

  1. नयाँ ऊर्जा

नयाँ ऊर्जा नियन्त्रण प्रणालीहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ, जस्तै सौर ऊर्जा, वायु ऊर्जा, भू-तापीय ऊर्जा आदि।CRE TBEA, राज्य ग्रिड आदि को तोकिएको आपूर्तिकर्ता हो।

  1. मेडिकलउपकरणहरू

डिफिब्रिलेटर, एक्स-रे डिटेक्टर, सेल प्रोलिफेरेटर

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज Un=330V.AC Us=1200V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) Is(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) वजन (केजी)
80 76 80 40 80 ६.४ १९.२ 30 4 ४.२ 32 ०.५
१२० 86 80 40 70 ८.४ २५.२ 40 २.८ ३.३ 32 ०.७
१५० 96 80 45 70 १०.५ ३१.५ 50 ३.५ १.७ 45 ०.७५
१७० 76 130 50 60 १०.२ ३०.६ 60 ३.२ १.३ 32 ०.७५
230 86 130 50 60 १३.८ ४१.४ 70 २.४ १.३ 32 १.१
३०० 96 130 50 50 १५.० ४५.० 75 २.८ १.० 45 १.२
४२० ११६ 130 60 50 २१.० ६३.० 80 १.९ १.२ 50 १.६
भोल्टेज Un=450V.AC Us=1520V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) Is(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) वजन (केजी)
50 76 80 40 90 ४.५ १३.५ 30 4 ४.२ 32 ०.५
65 86 80 50 80 ५.२ १५.६ 40 २.८ ३.३ 32 ०.७
80 96 80 45 80 ६.४ १९.२ 50 ३.५ १.७ 45 ०.७५
१०० 76 130 50 70 ७.० २१.० 60 ३.२ १.३ 32 ०.७५
130 86 130 45 60 ७.८ २३.४ 70 २.४ १.३ 32 १.१
160 96 130 50 50 ८.० २४.० 75 २.८ १.० 45 १.२
२५० ११६ 130 60 50 १२.५ ३७.५ 80 १.९ १.२ 50 १.६
भोल्टेज Un=690V.AC Us=2100V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) Is(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) वजन (केजी)
40 76 130 50 १०० ४.० १२.० 30 २.८ ६.० 32 ०.७५
50 76 १५० 45 90 ४.५ १३.५ 35 २.४ ५.१ 32 ०.८५
60 86 130 45 80 ४.८ १४.४ 40 २.२ ४.३ 32 १.१
65 86 १५० 50 80 ५.२ १५.६ 45 १.८ ४.१ 32 १.२
75 96 130 50 80 ६.० १८.० 50 १.५ ४.० 45 १.२
80 96 १५० 55 75 ६.० १८.० 60 १.२ ३.५ 45 १.३
११० ११६ 130 60 70 ७.७ २३.१ 65 ०.८ ४.४ 50 १.६
१२० ११६ १५० 65 50 ६.० १८.० 75 ०.६ ४.४ 50 १.८
भोल्टेज Un=850V.AC Us=2850V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) Is(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) वजन (केजी)
25 76 130 50 ११० २.८ ८.३ 35 १.५ ८.२ 32 ०.७५
30 76 १५० 60 १०० ३.० ९.० 40 १.२ ७.८ 32 ०.८५
32 86 130 45 १०० ३.२ ९.६ 50 १.१५ ५.२ 32 १.१
45 86 १५० 50 90 ४.१ १२.२ 50 १.०५ ५.७ 32 १.२
40 96 130 50 90 ३.६ १०.८ 50 1 ६.० 45 १.२
60 96 १५० 60 85 ५.१ १५.३ 60 ०.९ ४.६ 45 १.३
60 ११६ 130 60 80 ४.८ १४.४ 65 ०.८५ ४.२ 50 १.६
90 ११६ १५० 65 75 ६.८ २०.३ 75 ०.८ ३.३ 50 १.८
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) Is(KA) Irms(A) ESR(mΩ) Rth(K/W) P(mm) वजन (केजी)
भोल्टेज Un=400V.AC Us=1200V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) Is(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) वजन (केजी)
३× ११० ११६ 130 १०० 60 ६.६ १९.८ ३×५० ३×०.७८ ४.५ ४३.५ १.६
३× १४५ ११६ १८० ११० 50 ७.३ २१.८ ३×६० ३×०.७२ ३.८ ४३.५ २.४
३× १७५ ११६ 210 १२० 50 ८.८ २६.३ ३×७५ ३×०.६७ ३.५ ४३.५ २.७
३× २०० १३६ 230 १२५ 40 ८.० २४.० ३×८५ ३×०.६ २.१ 52 ४.२
भोल्टेज Un=500V.AC Us=1520V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) Is(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) वजन (केजी)
३× १०० ११६ १८० १०० 80 ८.० २४.० ३×४५ ३×०.७८ ४.५ ४३.५ २.६
३× १२० ११६ 230 १२० 70 ८.४ २५.२ ३×५० ३×०.७२ ३.८ ४३.५ 3
३× १२५ १३६ १८० ११० 40 ५.० १५.० ३×७० ३×०.६७ ३.५ 52 ३.२
३× १३५ १३६ 230 130 50 ६.८ २०.३ ३×८० ३×०.६ २.१ 52 ४.२
भोल्टेज Un=690V.AC Us=2100V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) Is(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) वजन (केजी)
३× 49 ११६ 230 १२० 70 ३.४ १०.३ ३×५६ ३×०.५५ २.१ ४३.५ 3
३× ५५.७ १३६ 230 130 90 ५.० १५.० ३×५६ ३×०.४ २.१ 52 ४.२
भोल्टेज Un=850V.AC Us=2580V
Cn (μF) φD H ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ip(KA) Is(KA) Irms(A)50℃ ESR (mΩ) @1KHz Rth(K/W) P(mm) वजन (केजी)
३× ४१.५ ११६ 230 १२० 80 ३.० ९.० ३×५६ ३×०.५५ २.१ ४३.५ 3
३× ५५.७ १३६ 230 130 50 ०.४ १.२ ३×१०४ ३×०.४५ १.८ 52 ४.२

  • अघिल्लो:
  • अर्को:

  • हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्:

    यहाँ आफ्नो सन्देश लेख्नुहोस् र हामीलाई पठाउनुहोस्

    हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्: