IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर करेन्ट स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE

१००% मौलिक लागत प्रभावकारी फिल्म क्यापेसिटर - IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विशेष छवि

छोटो वर्णन:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (२)

हाम्रा कर्मचारीहरू सधैं "निरन्तर सुधार र उत्कृष्टता" को भावना भित्र हुन्छन्, र उत्कृष्ट उत्कृष्ट सामानहरू, अनुकूल मूल्य र राम्रो बिक्री पछि सेवाहरूको साथ, हामी प्रत्येक ग्राहकको विश्वास प्राप्त गर्ने प्रयास गर्छौं।अनुकूलित इन्भर्टर क्यापेसिटर , कम पावर लस इन्डक्सन हीटिंग क्यापेसिटर , विशेष पावर क्यापेसिटर समाधान, हामीसँग तपाईंको पैसाले तपाईंको व्यापार उद्यमलाई सुरक्षित राख्नेछ। आशा छ हामी चीनमा तपाईंको भरपर्दो आपूर्तिकर्ता बन्न सक्छौं। तपाईंको सहयोगको लागि तत्पर छौं।

१००% मौलिक लागत प्रभावकारी फिल्म क्यापेसिटर - IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विवरण:

प्राविधिक डेटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम सञ्चालन तापमान।, माथिल्लो, अधिकतम: +१०५℃ माथिल्लो श्रेणीको तापक्रम: +८५ ℃ तल्लो श्रेणीको तापक्रम: -४० ℃
क्षमता दायरा	०.१μF~५.६μF
मूल्याङ्कन गरिएको भोल्टेज	७०० भोल्टेज डीसी~३००० भोल्टेज डीसी
क्याप.टोल	±५%(जे);±१०%(के)
भोल्टेज सहन	१.५Un DC/१०S
अपव्यय कारक	tgδ≤०.०००५ C≤१μF f=१०KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤०.३३μF RS≥१५००० MΩ (२०℃ १००V.DC ६०S मा) C＞०.३३μF RS*C≥५०००S (२०℃ १००V.DC ६०S मा)
स्ट्राइक करेन्ट सहन गर्नुहोस्	डेटासिट हेर्नुहोस्
ज्वाला मंदता	UL94V-0 को लागि सोधपुछ पेश गर्नुहोस्, हामी तपाईंलाई 24 घण्टामा सम्पर्क गर्नेछौं।
आयु	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071; GB/T17702;

विशिष्टता तालिका

भोल्टेज	अन ७००V.DC, Urms४००Vac; Us१०५०V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	१०० किलोहर्ज (मिΩ) मा ESR	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	आईपीके(ए)	Irms @४०℃ @१००KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	३५.५	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	३५.५	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	२८०	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	२३०	१३८०	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	२२०	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33
भोल्टेज	१०००V.DC,Urms५००Vac;Us१५००V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	१८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	१९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32
भोल्टेज	अन १२००V.DC,Urms५५०Vac;Us१८००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	१८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	१९७४	32
भोल्टेज	अन १७००V.DC,Urms५७५Vac;Us२२५०V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	१९८०	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
भोल्टेज	२०००V.DC,Urms७००Vac;Us३०००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	३५.५	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	३५.५	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
भोल्टेज	अन ३०००V.DC,Urms७५०Vac;Us४५००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	१०२०	28

उत्पादन विवरण चित्रहरू:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

हामी सधैं "गुणस्तर प्रथम, प्रतिष्ठा सर्वोच्च" सिद्धान्तमा अडिग रहन्छौं। हामी हाम्रा ग्राहकहरूलाई १००% मौलिक लागत प्रभावकारी फिल्म क्यापेसिटरको लागि प्रतिस्पर्धी मूल्यको गुणस्तरीय उत्पादनहरू, द्रुत डेलिभरी र व्यावसायिक सेवा प्रदान गर्न पूर्ण रूपमा प्रतिबद्ध छौं। - IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE, उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: युगान्डा, संयुक्त राज्य अमेरिका, क्यानडा, हाम्रा वस्तुहरू विश्वव्यापी रूपमा निर्यात गरिन्छ। हाम्रा ग्राहकहरू सधैं हाम्रो भरपर्दो गुणस्तर, ग्राहक-उन्मुख सेवाहरू र प्रतिस्पर्धी मूल्यहरूसँग सन्तुष्ट छन्। हाम्रो लक्ष्य "हाम्रा अन्तिम प्रयोगकर्ताहरू, ग्राहकहरू, कर्मचारीहरू, आपूर्तिकर्ताहरू र हामीले सहयोग गर्ने विश्वव्यापी समुदायहरूको सन्तुष्टि सुनिश्चित गर्न हाम्रा व्यापारिक सामान र सेवाहरूको निरन्तर सुधारमा हाम्रा प्रयासहरू समर्पित गरेर तपाईंको वफादारी कमाउन जारी राख्नु हो"।

पावर गुणस्तर र विश्वसनीयता सुधार गर्न एसी क्यापेसिटर

पावर इलेक्ट्रोनिकमा एसी क्यापेसिटर

हावा पावर युनिटहरूको Dc भोल्टेज मध्यवर्ती सर्किटको लागि Dc-लिङ्क क्यापेसिटरहरू

पावर कन्भर्टरहरूमा Dc-Link क्यापेसिटरहरू

फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन

ऊर्जा भण्डारण कन्भर्टरको लागि फिल्म क्यापेसिटरको प्रयोग

उच्च गुणस्तरको फिल्म क्यापेसिटर

उच्च भोल्टेज पावर इलेक्ट्रोनिक क्यापेसिटर

कम पावर लस इन्डक्सन हीटिंग क्यापेसिटर

वायरलेस चार्जिङ अनुप्रयोगको लागि रेजोनन्ट क्यापेसिटर

यति राम्रो आपूर्तिकर्ता भेट्नु साँच्चै भाग्यमानी हो, यो हाम्रो सबैभन्दा सन्तुष्ट सहयोग हो, मलाई लाग्छ हामी फेरि काम गर्नेछौं!