100% मूल लागत प्रभावकारी फिल्म क्यापेसिटर - उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि डिजाइन - CRE

छोटो विवरण:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

हामीसँग अब विज्ञापन, QC, र पुस्ता प्रणाली भित्र विभिन्न प्रकारका समस्याग्रस्त समस्याहरूसँग काम गर्ने उत्कृष्ट कर्मचारी सदस्यहरू ग्राहकहरू छन्।पल्स डिस्चार्ज कैपेसिटर , कम क्षमता हानि फिम संधारित्र , पिघलने क्यापेसिटरको लागि प्रेरण संधारित्र, हामीसँग सहकार्य स्थापना गर्न सबै विदेशी साथीहरू र व्यापारीहरूलाई स्वागत छ।हामी तपाईका आवश्यकताहरू पूरा गर्न इमानदार, उच्च गुणस्तर र कुशल सेवा प्रदान गर्नेछौं।

100% मूल लागत प्रभावकारी फिल्म क्यापेसिटर - उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि डिजाइन - CRE विवरण:

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम।अपरेटिङ तापमान।,शीर्ष,अधिकतम: +105℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा	०.१μF～5.6μF
तोकिएको भोल्टेज	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
भोल्टेज सहन	1.5Un DC/10S
अपव्यय कारक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S मा)
स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस्	डाटाशीट हेर्नुहोस्
ज्वाला मंदता	UL94V-0
आयु - संभाव्यता	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071;GB/T17702;

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33
भोल्टेज	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	सन् १८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	सन् १९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32
भोल्टेज	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	सन् १८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	सन् १९७४	32
भोल्टेज	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
भोल्टेज	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
भोल्टेज	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन विवरण चित्र:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

हामी जे गर्छौं त्यो सधैं हाम्रो सिद्धान्तसँग सम्बन्धित छ "ग्राहक पहिले, पहिले विश्वास गर्नुहोस्, १००% मूल लागत प्रभावकारी फिल्म क्यापेसिटरको लागि खाना प्याकेजिङ्ग र वातावरणीय सुरक्षामा समर्पित - IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE, उत्पादन। विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: ब्रिस्बेन, पोर्टो, टर्की, गुणस्तर उत्पादनहरू, उत्कृष्ट सेवा, प्रतिस्पर्धी मूल्यहरू र शीघ्र वितरण हाम्रो कम्पनी एक महत्त्वपूर्ण हुन प्रयास गर्दैछ चीन मा आपूर्तिकर्ता।

एसी क्यापेसिटर पावर गुणस्तर र विश्वसनीयता सुधार गर्न को लागी

पावर इलेक्ट्रोनिकमा एसी क्यापेसिटर

पवन ऊर्जा एकाइहरूको डीसी भोल्टेज मध्यवर्ती सर्किटको लागि डीसी-लिङ्क क्यापेसिटरहरू

पावर कन्भर्टरहरूमा Dc-Link Capacitors

फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन

ऊर्जा भण्डारण कनवर्टरको लागि फिल्म क्यापेसिटर प्रयोग

उच्च गुणस्तर फिल्म संधारित्र

उच्च भोल्टेज पावर इलेक्ट्रोनिक संधारित्र

कम पावर हानि प्रेरण ताप संधारित्र

वायरलेस चार्जिङ एप्लिकेसनका लागि रेजोनन्ट क्यापेसिटर

एक अन्तर्राष्ट्रिय व्यापार कम्पनीको रूपमा, हामीसँग धेरै साझेदारहरू छन्, तर तपाईंको कम्पनीको बारेमा, म भन्न चाहन्छु, तपाईं वास्तवमै राम्रो हुनुहुन्छ, फराकिलो दायरा, राम्रो गुणस्तर, उचित मूल्य, न्यानो र विचारशील सेवा, उन्नत प्रविधि र उपकरणहरू र कामदारहरूले व्यावसायिक प्रशिक्षण पाएका छन्। , प्रतिक्रिया र उत्पादन अद्यावधिक समय सापेक्ष छ, छोटकरीमा, यो एक धेरै रमाइलो सहयोग हो, र हामी अर्को सहयोगको लागि तत्पर छौं!