• bbb

राम्रोसँग डिजाइन गरिएको पावर फ्याक्टर करेक्सन क्यापेसिटर - उच्च शक्ति प्रणालीको लागि डिजाइन गरिएको उन्नत एम्बेडेड पीसीबी क्यापेसिटर - CRE

छोटो विवरण:


उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

भरपर्दो उत्कृष्ट दृष्टिकोण, उत्कृष्ट नाम र आदर्श उपभोक्ता सेवाहरूको साथ, हाम्रो कम्पनी द्वारा उत्पादित उत्पादन र समाधानहरूको श्रृंखला धेरै देशहरू र क्षेत्रहरूमा निर्यात गरिन्छ।पावर उत्पादनको लागि फिल्म पावर क्यापेसिटर , कूलिंग पावर क्यापेसिटरहरू , व्यावसायिक संधारित्र समाधान, हामी तपाईंलाई सहयोग निर्माण गर्न र हामीसँग मिलेर एक शानदार दीर्घकालीन उत्पादन गर्न हार्दिक स्वागत गर्दछौं।
राम्रोसँग डिजाइन गरिएको पावर फ्याक्टर करेक्सन क्यापेसिटर - उच्च शक्ति प्रणालीको लागि डिजाइन गरिएको उन्नत एम्बेडेड पीसीबी क्यापेसिटर - CRE विवरण:

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा

अधिकतम परिचालन तापमान।, शीर्ष, अधिकतम: +105 ℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃

क्षमता दायरा

3~50μF

तोकिएको भोल्टेज

200V.AC~450V.AC

Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)

भोल्टेज सहन

2Un DC/10S

अपव्यय कारक

tgδ≤0.0015f=1KHz

इन्सुलेशन प्रतिरोध

RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC60S मा)

ज्वाला मंदता

UL94V-0

आयु - संभाव्यता

100000h (Un; Θhotspot≤70 °C)

सन्दर्भ मानक

IEC61071;

सञ्चालन तापमान दायरा

अधिकतम परिचालन तापमान।, शीर्ष, अधिकतम: +105 ℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃

क्षमता दायरा

3~50μF

तोकिएको भोल्टेज

200V.AC~450V.AC

Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)

भोल्टेज सहन

2Un DC/10S

अपव्यय कारक

tgδ≤0.0015f=1KHz

इन्सुलेशन प्रतिरोध

RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC60S मा)

ज्वाला मंदता

UL94V-0

आयु - संभाव्यता

100000h (Un; Θhotspot≤70 °C)

सुविधा

1. ड्राई फिल्म निर्माण;
2. टिन लगाएको तामाको तार संग नेतृत्व; सानो आकार। सजिलो स्थापना;
3. कम ESL र ESR;
4. उच्च पल्स वर्तमान।

आवेदन

1. ऊर्जा भण्डारण फिल्टर गर्न DC-Link सर्किटमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ;
2. इलेक्ट्रोलाइटिक क्यापेसिटरहरू, राम्रो प्रदर्शन र लामो जीवन बदल्न सक्छ।
3. Pv इन्भर्टर, पवन पावर कनवर्टर;सबै प्रकारका फ्रिक्वेन्सी कन्भर्टर र इन्भर्टर पावर सप्लाई;
शुद्ध इलेक्ट्रिक र हाइब्रिड कारहरू;चार्जिङ पाइल, UPS, आदि।

रूपरेखा रेखाचित्र

fff

(मिमी)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) φd P1 P2 ESR @10KHz (mΩ) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @10KHz (A)
20 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २.३ 30 ६०० 12
20 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २०.३ १.८ 30 ६०० 22
25 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ ३.८ 17 ४२५ 12
25 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ २०.३ ३.२ 17 ४२५ 22
30 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ ३.५ 17 ५१० 12
30 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ २०.३ २.९ 17 ५१० 22
30 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ १०.२ २.८ 17 ५१० 25
33 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ ३.३ 17 ५६१ 12
33 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ २०.३ २.७ 17 ५६१ 22
33 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ १०.२ २.६ 17 ५६१ 28
35 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ ३.२ 17 ५९५ 12
35 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ २०.३ २.६ 17 ५९५ 22
35 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ १०.२ २.५ 17 ५९५ 30
40 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ 3 17 ६८० 12
40 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ २०.३ २.४ 17 ६८० 22
40 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ १०.२ २.३ 17 ६८० 30
45 ५७.५ 38 54 १.० ५२.५ २.८ 17 ७६५ 12
45 ५७.५ 38 54 १.० ५२.५ २०.३ २.३ 17 ७६५ 22
45 ५७.५ 38 54 १.० ५२.५ १०.२ २.२ 17 ७६५ 32
50 ५७.५ ४२.५ 56 १.२ ५२.५ २.७ 17 ८५० 12
50 ५७.५ ४२.५ 56 १.२ ५२.५ २०.३ २.२ 17 ८५० 22
50 ५७.५ ४२.५ 56 १.२ ५२.५ १०.२ २.१ 17 ८५० 32

 

भोल्टेज अन 400V.DC,Urms250Vac;Us800V
(मिमी)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) φd P1 P2 ESR(mΩ) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
10 ४२.५ ३३.५ 35.5 १.२ ३७.५ २.६ 40 ४०० 12
10 ४२.५ ३३.५ 35.5 १.२ ३७.५ २०.३ 2 40 ४०० 23
15 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २.३ 40 ६०० 28
15 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २०.३ १.८ 40 ६०० 28
15 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ १०.२ १.७ 40 ६०० 28
18 ४२.५ 33 45 १.२ ३७.५ २.२ 40 ७२० 15
18 ४२.५ 33 45 १.२ ३७.५ २०.३ १.७ 40 ७२० 15
18 ४२.५ 33 45 १.२ ३७.५ १०.२ १.६ 40 ७२० 15
20 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ ३.५ 20 ४०० 25
20 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ २०.३ २.९ 20 ४०० 25
20 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ १०.२ २.८ 20 ४०० 25
25 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ ३.४ 20 ५०० 28
25 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ २०.३ २.८ 20 ५०० 28
25 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ १०.२ २.७ 20 ५०० 28
30 ५७.५ 38 54 १.२ ५२.५ ३.२ 20 ६०० 25
30 ५७.५ 38 54 १.२ ५२.५ २०.३ २.७ 20 ६०० 25
30 ५७.५ 38 54 १.२ ५२.५ १०.२ २.६ 20 ६०० 25

 

भोल्टेज अन 600V.DC,Urms330Vac;Us1200V
(मिमी)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) φd P1 P2 ESR(mΩ) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
5 ४२.५ ३३.५ 35.5 १.२ ३७.५ ३.१ 55 २७५ 12
5 ४२.५ ३३.५ 35.5 १.२ ३७.५ २०.३ २.५ 55 २७५ 20
६.८ ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २.८ 55 ३७४ 12
६.८ ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २०.३ २.२ 55 ३७४ 22
9 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २.६ 55 ४९५ 12
9 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २०.३ २.२ 55 ४९५ 22
9 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ १०.२ १.९ 55 ४९५ 28
10 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ ४.२ 30 ३०० 22
10 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ २०.३ ३.७ 30 ३०० 25
15 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ ३.६ 30 ४५० 12
15 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ २०.३ २.८ 30 ४५० 20
15 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ १०.२ २.७ 30 ४५० 28

 

भोल्टेज Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1400V
(मिमी)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) φd P1 P2 ESR(mΩ) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
४.७ ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ 3 70 ३२९ 12
४.७ ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २०.३ २.४ 70 ३२९ 22
5 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २.९ 70 ३५० 12
5 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २०.३ २.३ 70 ३५० 22
6 ४२.५ 33 45 १.२ ३७.५ २.८ 70 ४२० 12
6 ४२.५ 33 45 १.२ ३७.५ २०.३ २.२ 70 ४२० 22
8 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ ४.२ 40 ३२० 12
8 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ २०.३ ३.६ 40 ३२० 22
8 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ १०.२ ३.५ 40 ३२० 28
10 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ ३.९ 40 ४०० 12
10 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ २०.३ ३.३ 40 ४०० 22
10 ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ १०.२ ३.२ 40 ४०० 30
15 ५७.५ 38 54 १.२ ५२.५ ३.६ 40 ६०० 12
15 ५७.५ 38 54 १.२ ५२.५ २०.३ ३.१ 40 ६०० 22
15 ५७.५ 38 54 १.२ ५२.५ १०.२ 3 40 ६०० 30

 

भोल्टेज Un 850V.DC,Urms450Vac;Us1700V
(मिमी)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) φd P1 P2 ESR(mΩ) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
3 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २.४ ११० ३३० 12
3 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २०.३ १.८ ११० ३३० 22
3 ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ १०.२ १.७ ११० ३३० 25
३.३ ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २.३ ११० ३६३ 12
३.३ ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ २०.३ १.७ ११० ३६३ 22
३.३ ४२.५ 30 45 १.२ ३७.५ १०.२ १.६ ११० ३६३ 28
4 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ ३.१ 55 220 12
4 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ २०.३ २.५ 55 220 22
4 ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ १०.२ २.४ 55 220 28
४.७ ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ 3 55 २५८.५ 12
४.७ ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ २०.३ २.४ 55 २५८.५ 22
४.७ ५७.५ 30 45 १.२ ५२.५ १०.२ २.३ 55 २५८.५ 30
५.६ ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ २.९ 55 ३०८ 12
५.६ ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ २०.३ २.२ 55 ३०८ 22
५.६ ५७.५ 35 50 १.२ ५२.५ १०.२ २.२ 55 ३०८ 31
6 ५७.५ 35 50 १.२ ३७.५ २.८ 55 ३३० 12
6 ५७.५ 35 50 १.२ ३७.५ २०.५ २.१ 55 ३३० 22
6 ५७.५ 35 50 १.२ ३७.५ १०.२ 2 55 ३३० 32
६.८ ५७.५ ४२.५ 56 १.२ ३७.५ २.५ 55 ३७४ 12
६.८ ५७.५ ४२.५ 56 १.२ ३७.५ २०.३ १.९ 55 ३७४ 22
६.८ ५७.५ ४२.५ 56 १.२ ३७.५ १०.२ १.८ 55 ३७४ 32

उत्पादन विवरण चित्र:

राम्रोसँग डिजाइन गरिएको पावर फ्याक्टर करेक्सन क्यापेसिटर - उच्च शक्ति प्रणालीको लागि डिजाइन गरिएको उन्नत एम्बेडेड पीसीबी क्यापेसिटर - CRE विवरण चित्रहरू

राम्रोसँग डिजाइन गरिएको पावर फ्याक्टर करेक्सन क्यापेसिटर - उच्च शक्ति प्रणालीको लागि डिजाइन गरिएको उन्नत एम्बेडेड पीसीबी क्यापेसिटर - CRE विवरण चित्रहरू

राम्रोसँग डिजाइन गरिएको पावर फ्याक्टर करेक्सन क्यापेसिटर - उच्च शक्ति प्रणालीको लागि डिजाइन गरिएको उन्नत एम्बेडेड पीसीबी क्यापेसिटर - CRE विवरण चित्रहरू


सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

"घरेलु बजारमा आधारित र विदेशी व्यापार विस्तार गर्नुहोस्" राम्रो डिजाइन गरिएको पावर फ्याक्टर करेक्सन क्यापेसिटरको लागि हाम्रो विकास रणनीति हो - उच्च शक्ति प्रणालीको लागि डिजाइन गरिएको उन्नत इम्बेडेड पीसीबी क्यापेसिटर - CRE, उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: अल्बानिया, रोमानिया, स्टटगार्ट, हाम्रो कम्पनी नीति "गुणवत्ता पहिले, राम्रो र बलियो हुन, दिगो विकास" हो।हाम्रो खोज लक्ष्य "समाज, ग्राहकहरु, कर्मचारीहरु, साझेदारहरु र उद्यमहरु लाई उचित लाभ खोज्न को लागी" हो।हामी सबै विभिन्न अटो पार्ट्स निर्माताहरु, मर्मत पसल, अटो पियर संग सहयोग गर्न को लागी आकांक्षा गर्छौं, त्यसपछि सुन्दर भविष्य सिर्जना गर्नुहोस्!हाम्रो वेबसाइट ब्राउज गर्न समय निकाल्नु भएकोमा धन्यवाद र हामी तपाइँसँग हुन सक्ने कुनै पनि सुझावहरूलाई स्वागत गर्नेछौं जसले हामीलाई हाम्रो साइट सुधार गर्न मद्दत गर्न सक्छ।
  • उत्पादन वर्गीकरण धेरै विस्तृत छ जुन हाम्रो माग, एक पेशेवर थोक व्यापारी पूरा गर्न धेरै सही हुन सक्छ। ५ ताराहरू बार्सिलोनाबाट मिशेल द्वारा - 2018.07.26 16:51
    यो एक धेरै राम्रो, धेरै दुर्लभ व्यापार साझेदार हो, अर्को थप सही सहयोग को लागी हेर्दै! ५ ताराहरू मोल्डोभाबाट एमी द्वारा - 2018.12.10 19:03

    हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्:

    यहाँ आफ्नो सन्देश लेख्नुहोस् र हामीलाई पठाउनुहोस्

    हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्: