धातुकृत फिल्म IGBT स्नबर क्यापेसिटर – CRE

छोटो वर्णन:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (२)

छिटो र धेरै राम्रो उद्धरणहरू, तपाईंको सबै प्राथमिकताहरू अनुरूप सही सामान छनौट गर्न मद्दत गर्न सूचित सल्लाहकारहरू, छोटो निर्माण समय, जिम्मेवार उत्कृष्ट कमान्ड र भुक्तानी र ढुवानी मामिलाहरूको लागि विभिन्न कम्पनीहरू।उच्च DV/Dt प्रतिरोधी Gto Snubber , Ess क्यापेसिटर , उच्च आवृत्ति एसी फिल्टर क्यापेसिटर, हाम्रो बलियो OEM/ODM क्षमताहरू र विचारशील सेवाहरूबाट लाभ उठाउन, कृपया आजै हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस्। हामी इमानदारीपूर्वक सबै ग्राहकहरूसँग सफलता सिर्जना गर्नेछौं र साझा गर्नेछौं।

धातुकृत फिल्म IGBT स्नबर क्यापेसिटर - CRE विवरण:

प्राविधिक डेटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम सञ्चालन तापमान।, माथिल्लो, अधिकतम: +१०५℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +८५℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -४०℃
क्षमता दायरा	०.१μF~५.६μF
मूल्याङ्कन गरिएको भोल्टेज	७०० भोल्टेज डीसी~३००० भोल्टेज डीसी
क्याप.टोल	±५%(जे); ±१०%(के)
भोल्टेज सहन	१.५Un DC/१०S
अपव्यय कारक	tgδ≤०.०००५ C≤१μF f=१०KHztgδ≤०.००१ C≥१μF f=१०KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤०.३३μF RS≥१५००० MΩ (२०℃ १००V.DC ६०S मा) C＞०.३३μF RS*C≥५०००S (२०℃ १००V.DC ६०S मा)
स्ट्राइक करेन्ट सहन गर्नुहोस्	具体见规格表
ज्वाला मंदता	UL94V-0 को लागि सोधपुछ पेश गर्नुहोस्, हामी तपाईंलाई 24 घण्टामा सम्पर्क गर्नेछौं।
आयु	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071; GB/T17702;

भोल्टेज			अन ७००V.DC, Urms४००Vac; Us१०५०V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	१०० किलोहर्ज (मिΩ) मा ESR	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	आईपीके(ए)	Irms @४०℃ @१००KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	३५.५	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	३५.५	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	२८०	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	२३०	१३८०	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	२२०	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33


भोल्टेज			१०००V.DC,Urms५००Vac;Us१५००V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	१८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	१९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32

भोल्टेज			अन १२००V.DC,Urms५५०Vac;Us१८००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	१८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	१९७४	32

भोल्टेज			अन १७००V.DC,Urms५७५Vac;Us२२५०V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	१९८०	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32

भोल्टेज			२०००V.DC,Urms७००Vac;Us३०००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	३५.५	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	३५.५	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32

भोल्टेज			अन ३०००V.DC,Urms७५०Vac;Us४५००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	१०२०	28

सुविधा

१. प्लास्टिक, रालले सिल गरिएको;

२. टिन-प्लेटेड तामा इन्सर्ट लिडहरू, IGBT को लागि सजिलो स्थापना;

३. उच्च भोल्टेज, कम tgδ, कम तापक्रम वृद्धिको प्रतिरोध;

४. कम ESL र ESR;

५. उच्च पल्स करेन्ट।

कम इन्डक्टेन्स आन्तरिक निर्माणहरू, वैकल्पिक मोल्डेड रेजिन केसहरू, र अनुकूलित टर्मिनेशनहरू प्रयोग गरेर, SMJ-P शृङ्खलाहरू द्रुत स्विचिङ IGBTS को लागि डिजाइन गरिएको हो र स्नबरहरू र उच्च वर्तमान उच्च आवृत्ति इनपुट फिल्टरहरूको रूपमा काम गर्न सक्छ।

उत्पादन विवरण चित्रहरू:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

राम्रोसँग भरिएको परियोजना व्यवस्थापन अनुभवहरू र एक-देखि-एक व्यक्ति समर्थन मोडेलले व्यापार उद्यम सञ्चारको उच्च महत्त्व र ट्रेन्डिङ उत्पादनहरू फोर पिन टर्मिनल क्यापेसिटरको लागि तपाईंको अपेक्षाहरूको हाम्रो सजिलो बुझाइलाई उच्च बनाउँछ। - मेटलाइज्ड फिल्म IGBT स्नबर क्यापेसिटर - CRE, यो उत्पादनले विश्वभरि आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: लियोन, म्याड्रिड, लक्जमबर्ग, ग्राहकहरूलाई हामीमा अझ बढी विश्वस्त बनाउन र सबैभन्दा सहज सेवा प्राप्त गर्न, हामी हाम्रो कम्पनी इमानदारी, इमानदारी र उत्कृष्ट गुणस्तरका साथ चलाउँछौं। हामी दृढ विश्वास गर्छौं कि ग्राहकहरूलाई उनीहरूको व्यवसाय अझ सफलतापूर्वक चलाउन मद्दत गर्नु हाम्रो खुशीको कुरा हो, र हाम्रो अनुभवी सल्लाह र सेवाले ग्राहकहरूको लागि थप उपयुक्त छनौट गर्न सक्छ।

अनुकूलित फिल्म क्यापेसिटर

ड्राई टाइप फिल्म क्यापेसिटर सोलुसन

ऊर्जा बफरिङ क्यापेसिटर

चार पिन टर्मिनल क्यापेसिटर

राम्रो मूल्यको फिल्म क्यापेसिटर

उच्च गुणस्तरको फिल्म क्यापेसिटर

उच्च लहर वर्तमान फिल्म क्यापेसिटर

धातुकृत फिल्म क्यापेसिटर समाधान

एमकेपी कन्डेन्सडोर