OEM निर्माता पावर इलेक्ट्रोनिक फिल्म क्यापेसिटर - IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE

छोटो विवरण:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

हामी उच्च-गुणस्तर र प्रगति, व्यापार, राजस्व र इन्टरनेट मार्केटिङ र सञ्चालनमा राम्रो शक्ति प्रदान गर्दछौंउच्च भोल्टेज पावर इलेक्ट्रोनिक संधारित्र , कम इन्डक्टन्स क्यापेसिटरहरू , फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन, हामी हामीलाई सम्पर्क गर्न र पारस्परिक लाभहरूको लागि सहयोग खोज्न संसारका सबै भागहरूका ग्राहकहरू, व्यापार संघहरू र साथीहरूलाई स्वागत गर्दछौं।

OEM निर्माता पावर इलेक्ट्रोनिक फिल्म क्यापेसिटर - IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विवरण:

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम।अपरेटिङ तापमान।,शीर्ष,अधिकतम: +105℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा	०.१μF～5.6μF
तोकिएको भोल्टेज	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
भोल्टेज सहन	1.5Un DC/10S
अपव्यय कारक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S मा)
स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस्	डाटाशीट हेर्नुहोस्
ज्वाला मंदता	UL94V-0
आयु - संभाव्यता	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071;GB/T17702;

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33
भोल्टेज	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	सन् १८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	सन् १९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32
भोल्टेज	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	सन् १८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	सन् १९७४	32
भोल्टेज	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
भोल्टेज	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
भोल्टेज	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन विवरण चित्र:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

"इमानदारीपूर्वक, असल धर्म र उच्च गुणस्तर उद्यम विकासको आधार हो" को नियमको आधारमा नियमित रूपमा व्यवस्थापन कार्यक्रम बढाउनको लागि, हामी अन्तर्राष्ट्रिय रूपमा लिङ्क गरिएका उत्पादनहरूको सारलाई ठूलो मात्रामा अवशोषित गर्छौं, र पसलहरूको कललाई सन्तुष्ट पार्न निरन्तर नयाँ सामानहरू उत्पादन गर्छौं। OEM निर्माता पावर इलेक्ट्रोनिक फिल्म क्यापेसिटरको लागि - IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE, उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: क्रोएशिया, मियामी, हंगेरी, हामी अब पनि हेर्दैछौं। पारस्परिक लाभ मा आधारित विदेशी ग्राहकहरु संग अधिक सहयोग।हामी हाम्रा उत्पादन र सेवाहरू सुधार गर्न पूर्ण हृदयले काम गर्न जाँदैछौं।हामी हाम्रो सहयोगलाई उच्च स्तरमा उचाल्न र सँगै सफलता साझा गर्न व्यापार साझेदारहरूसँग मिलेर काम गर्ने वाचा गर्छौं।हाम्रो कारखाना ईमानदारीपूर्वक भ्रमण गर्न तपाईलाई हार्दिक स्वागत छ।

अक्षीय स्नबर फिल्म संधारित्र

अनुकूलन-डिजाइन एसी क्यापेसिटर

बेलनाकार प्लास्टिक केस संधारित्र

ड्राई टाइप फिल्म संधारित्र

Ess क्यापेसिटर

नयाँ ऊर्जा पावर प्रणालीको लागि फिल्म क्यापेसिटर

उच्च प्रदर्शन एसी फिल्टरिंग क्यापेसिटरहरू

इन्डक्शन हीटिंग पावर सप्लाई क्यापेसिटर

सेल प्रोलिफेरेटरको लागि धातुकृत फिल्म संधारित्र

स्नबर फिल्म क्यापेसिटर

हाम्रो सहयोग थोक बिक्रेता मा, यो कम्पनी को सबै भन्दा राम्रो गुणस्तर र उचित मूल्य छ, तिनीहरू हाम्रो पहिलो छनोट हो।

Klemen Hrovat क्रोएशिया बाट - 2018.08.12 12:27

यस कम्पनीसँग "राम्रो गुणस्तर, कम प्रशोधन लागत, मूल्यहरू अधिक उचित छन्" को विचार छ, त्यसैले तिनीहरूसँग प्रतिस्पर्धी उत्पादन गुणस्तर र मूल्य छ, त्यो मुख्य कारण हो जुन हामीले सहयोग गर्न रोजेका छौं।

संयुक्त अरब इमिरेट्सबाट जोन बिडलस्टोन द्वारा - 2018.09.21 11:01