IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE

छोटो वर्णन:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (२)

जिम्मेवार उत्कृष्ट र उत्कृष्ट क्रेडिट मूल्याङ्कन हाम्रो सिद्धान्त हो, जसले हामीलाई शीर्ष श्रेणीको स्थितिमा पुग्न मद्दत गर्नेछ। "गुणस्तर प्रारम्भिक, खरीददार सर्वोच्च" को सिद्धान्त पालना गर्दैअनुकूलित क्यापेसिटर समाधान , नयाँ ऊर्जा पावर प्रणालीको लागि फिल्म क्यापेसिटर , पावर फ्याक्टर सुधारको लागि क्यापेसिटर, हामीसँग व्यापक सामान आपूर्ति छ र मूल्य हाम्रो फाइदा हो। हाम्रा उत्पादनहरूको बारेमा सोधपुछ गर्न स्वागत छ।

OEM निर्माता पावर इलेक्ट्रोनिक फिल्म क्यापेसिटर - IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विवरण:

प्राविधिक डेटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम सञ्चालन तापमान।, माथिल्लो, अधिकतम: +१०५℃ माथिल्लो श्रेणीको तापक्रम: +८५ ℃ तल्लो श्रेणीको तापक्रम: -४० ℃
क्षमता दायरा	०.१μF~५.६μF
मूल्याङ्कन गरिएको भोल्टेज	७०० भोल्टेज डीसी~३००० भोल्टेज डीसी
क्याप.टोल	±५%(जे);±१०%(के)
भोल्टेज सहन	१.५Un DC/१०S
अपव्यय कारक	tgδ≤०.०००५ C≤१μF f=१०KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤०.३३μF RS≥१५००० MΩ (२०℃ १००V.DC ६०S मा) C＞०.३३μF RS*C≥५०००S (२०℃ १००V.DC ६०S मा)
स्ट्राइक करेन्ट सहन गर्नुहोस्	डेटासिट हेर्नुहोस्
ज्वाला मंदता	UL94V-0 को लागि सोधपुछ पेश गर्नुहोस्, हामी तपाईंलाई 24 घण्टामा सम्पर्क गर्नेछौं।
आयु	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071; GB/T17702;

विशिष्टता तालिका

भोल्टेज	अन ७००V.DC, Urms४००Vac; Us१०५०V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	१०० किलोहर्ज (मिΩ) मा ESR	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	आईपीके(ए)	Irms @४०℃ @१००KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	३५.५	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	३५.५	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	२८०	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	२३०	१३८०	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	२२०	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33
भोल्टेज	१०००V.DC,Urms५००Vac;Us१५००V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	१८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	१९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32
भोल्टेज	अन १२००V.DC,Urms५५०Vac;Us१८००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	१८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	१९७४	32
भोल्टेज	अन १७००V.DC,Urms५७५Vac;Us२२५०V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	१९८०	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
भोल्टेज	२०००V.DC,Urms७००Vac;Us३०००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	३५.५	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	३५.५	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
भोल्टेज	अन ३०००V.DC,Urms७५०Vac;Us४५००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	१०२०	28

उत्पादन विवरण चित्रहरू:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

ग्राहकहरूको लागि अतिरिक्त मूल्य सिर्जना गर्नु हाम्रो उद्यम दर्शन हो; खरीददार वृद्धि OEM निर्माता पावर इलेक्ट्रोनिक फिल्म क्यापेसिटरको लागि हाम्रो काम गर्ने खोजी हो। - IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE, उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: पोर्चुगल, थाइल्याण्ड, रोम, हामीले समाधानहरूको विकासमा निरन्तर जोड दिएका छौं, प्राविधिक स्तरोन्नतिमा राम्रो कोष र मानव संसाधन खर्च गरेका छौं, र उत्पादन सुधारलाई सहज बनाउँदै, सबै देशहरू र क्षेत्रहरूका सम्भावनाहरूको आवश्यकताहरू पूरा गर्दै।

अक्षीय स्नबर फिल्म क्यापेसिटर

कस्टम-डिजाइन गरिएको एसी क्यापेसिटर

बेलनाकार प्लास्टिक केस क्यापेसिटर

ड्राई टाइप फिल्म क्यापेसिटर

Ess क्यापेसिटर

नयाँ ऊर्जा पावर प्रणालीको लागि फिल्म क्यापेसिटर

उच्च-प्रदर्शन एसी फिल्टरिङ क्यापेसिटरहरू

इन्डक्सन हीटिंग पावर सप्लाई क्यापेसिटर

सेल प्रोलिफेरेटरको लागि धातुकृत फिल्म क्यापेसिटर

स्नबर फिल्म क्यापेसिटर

सामानहरू भर्खरै प्राप्त भयो, हामी धेरै सन्तुष्ट छौं, धेरै राम्रो आपूर्तिकर्ता छौं, अझ राम्रो गर्न निरन्तर प्रयास गर्ने आशा छ।

लन्डनबाट इसाबेल द्वारा - २०१८.११.०२ ११:११

राम्रो गुणस्तर र छिटो डेलिभरी, यो धेरै राम्रो छ। केही उत्पादनहरूमा थोरै समस्या छ, तर आपूर्तिकर्ताले समयमै प्रतिस्थापन गर्यो, समग्रमा, हामी सन्तुष्ट छौं।

स्लोभाकियाबाट कोलिन हेजल द्वारा - २०१८.०३.०३ १३:०९