• bbb

धातुकृत फिल्म IGBT Snubber संधारित्र

छोटो विवरण:

1. प्लास्टिक केस, राल संग छाप;

2. टिन-प्लेटेड कपर इन्सर्ट लिडहरू, IGBT को लागि सजिलो स्थापना;

3. उच्च भोल्टेज प्रतिरोध, कम tgδ, कम तापमान वृद्धि;

4. कम ESL र ESR;

5. उच्च पल्स वर्तमान।

 


उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

SMJ-P श्रृंखला

पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूमा, एक स्नबर क्यापेसिटरलाई विद्युतीय तारहरूको परजीवी इन्डक्टन्स कम गर्ने उद्देश्यको लागि ठूलो-वर्तमान स्विचिंग नोडमा जडान गरिएको छ।

परजीवी इन्डक्टन्सले स्विच-अफमा ठूलो वृद्धि निम्त्याउँछ (जब करेन्ट अवरुद्ध हुन्छ), र त्यस्ता सर्जहरू कम्पोनेन्ट रेटिङहरू भन्दा बढी भएमा, सबैभन्दा खराब अवस्थामा नतिजा असफल हुने चिन्ताहरू छन्।

कम इन्डक्टेन्स आन्तरिक निर्माणहरू, वैकल्पिक मोल्डेड रेजिन केसहरू, र अनुकूलित समाप्तिहरू प्रयोग गरेर, SMJ-P श्रृंखलाहरू IGBTS छिटो स्विच गर्नका लागि डिजाइन गरिएको हो र यसले स्नबर्स र उच्च वर्तमान उच्च आवृत्ति इनपुट फिल्टरहरूको रूपमा सेवा गर्न सक्छ।

स्नबर क्यापेसिटर

प्राविधिक डाटा

भोल्टेज Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
आयाम (मिमी)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR @100KHz (mΩ) ESL(nH) dv/dt (V/μS) Ipk(A) Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 12 25 ५०० २३५ 8
०.६८ ४२.५ २४.५ २७.५ 10 25 ४८० ३२६.४ 10
1 ४२.५ २४.५ २७.५ 8 24 ४५० ४५० 12
१.५ ४२.५ ३३.५ 35.5 7 25 ४३० ६४५ 5
2 ४२.५ 33 35.5 6 24 ४२० ८४० 15
२.५ ४२.५ 33 45 6 23 ४०० १००० 18
3 ४२.५ 33 45 ५.५ 22 ३८० ११४० 20
3 ५७.५ 30 45 5 26 ३५० १०५० 22
३.५ ४२.५ 33 45 5 23 ३५० १२२५ 25
३.५ ५७.५ 30 45 6 25 ३०० १०५० 22
४.७ ५७.५ 35 50 5 28 280 १३१६ 25
५.६ ५७.५ 38 54 4 30 २५० १४०० 25
6 ५७.५ 38 54 ३.५ 33 230 1380 28
६.८ ५७.५ ४२.५ 56 ३.२ 32 220 १४९६ 32
8 ५७.५ ४२.५ 56 २.८ 30 २०० १६०० 33
भोल्टेज Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
आयाम (मिमी)
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 11 25 १००० ४७० 10
०.६८ ४२.५ २४.५ २७.५ 8 25 ८०० ५४४ 12
1 ४२.५ ३३.५ 35.5 6 24 ८०० ८०० 15
१.५ ४२.५ 33 45 6 24 ७०० १०५० 15
2 ४२.५ 33 45 5 22 ७०० १४०० 20
२.५ ५७.५ 30 45 5 30 ६०० १५०० 22
3 ५७.५ 35 50 4 30 ६०० १८०० 25
३.३ ५७.५ 35 50 ३.५ 28 ५५० सन् १८१५ 25
३.५ ५७.५ 38 54 ३.५ 28 ५०० १७५० 25
4 ५७.५ 38 54 ३.२ 26 ५०० २००० 28
४.७ ५७.५ ४२.५ 56 3 25 ४२० सन् १९७४ 30
५.६ ५७.५ ४२.५ 56 २.८ 24 ४०० २२४० 32
भोल्टेज Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 11 24 १२०० ५६४ 10
०.६८ ४२.५ ३३.५ 35.5 7 23 ११०० ७४८ 12
1 ४२.५ ३३.५ 35.5 6 22 ८०० ८०० 14
१.५ ४२.५ 33 45 5 20 ८०० १२०० 15
2 ५७.५ 30 45 4 30 ७५० १५०० 20
२.५ ५७.५ 35 50 4 28 ७०० १७५० 25
3 ५७.५ 35 50 4 27 ६०० १८०० 25
३.३ ५७.५ 38 54 4 27 ५५० सन् १८१५ 28
३.५ ५७.५ 38 54 ३.५ 25 ५०० १७५० 28
4 ५७.५ ४२.५ 56 ३.५ 25 ४५० १८०० 30
४.७ ५७.५ ४२.५ 56 ३.२ 23 ४२० सन् १९७४ 32
भोल्टेज Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
०.३३ ४२.५ २४.५ २७.५ 12 25 १३०० ४२९ 9
०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 10 24 १३०० ६११ 10
०.६८ ४२.५ ३३.५ 35.5 8 23 १३०० ८८४ 12
1 ४२.५ 33 45 7 22 १२०० १२०० 15
१.५ ४२.५ 33 45 6 22 १२०० १८०० 18
१.५ ५७.५ 30 45 5 31 १२०० १८०० 20
2 ५७.५ 30 45 5 30 ११०० २२०० 22
२.५ ५७.५ 35 50 4 28 ११०० २७५० 25
3 ५७.५ 38 54 4 27 ७०० २१०० 25
३.३ ५७.५ 38 54 ३.८ 26 ६०० 1980 28
३.५ ५७.५ ४२.५ 56 ३.५ 25 ५०० १७५० 30
4 ५७.५ ४२.५ 56 ३.२ 25 ४५० १८०० 32
भोल्टेज Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
०.२२ ४२.५ २४.५ २७.५ 15 25 १५०० ३३० 10
०.३३ ४२.५ ३३.५ 35.5 12 24 १५०० ४९५ 12
०.४७ ४२.५ ३३.५ 35.5 11 23 १४०० ६५८ 15
०.६८ ४२.५ 33 45 8 22 १२०० ८१६ 18
०.६८ ५७.५ 30 45 7 30 ११०० ७४८ 20
०.८२ ४२.५ 33 45 7 28 १२०० ९८४ 22
1 ५७.५ 30 45 6 28 ११०० ११०० 25
१.५ ५७.५ 35 50 5 25 १००० १५०० 28
2 ५७.५ 38 54 5 24 ८०० १६०० 28
२.२ ५७.५ ४२.५ 56 4 23 ७०० १५४० 32
भोल्टेज अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF) L(±1) T(±1) H(±1) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms
०.१५ ४२.५ 33 45 18 28 २५०० ३७५ 25
०.२२ ४२.५ 33 45 15 27 २२०० ४८४ 28
०.२२ ५७.५ 35 50 15 25 २००० ३३० 20
०.३३ ५७.५ 35 50 12 24 १८०० ४९५ 20
०.४७ ५७.५ 38 54 11 23 १६०० ७५२ 22
०.६८ ५७.५ ४२.५ 56 8 22 १५०० 1020 28

  • अघिल्लो:
  • अर्को:

  • हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्:

    यहाँ आफ्नो सन्देश लेख्नुहोस् र हामीलाई पठाउनुहोस्

    हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्: