मध्यम फ्रिक्वेन्सी इन्ड्युसन फर्नेसको लागि क्यापेसिटरको लागि न्यूनतम मूल्य - उच्च पावर अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE

छोटो विवरण:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

हामी उत्कृष्टताको लागि प्रयास गर्छौं, ग्राहकहरूलाई कम्पनी बनाउँछौं", कर्मचारीहरू, आपूर्तिकर्ताहरू र ग्राहकहरूका लागि शीर्ष सहयोग टोली र हावी कम्पनी बन्ने आशा राख्छौं, मूल्य साझेदारी र निरन्तर मार्केटिङको लागि महसुस गर्दछ।पवन पावर जेनरेटरको लागि क्यापेसिटर , मध्यम आवृत्ति प्रेरण फर्नेस संधारित्र , वायरलेस चार्जिङ एप्लिकेसनका लागि रेजोनन्ट क्यापेसिटर, यदि तपाईं लामो अवधिको व्यापार सम्बन्धको लागि चीनमा राम्रो गुणस्तर, छिटो डेलिभरी, सेवा पछि उत्तम र राम्रो मूल्य आपूर्तिकर्ता खोज्दै हुनुहुन्छ भने, हामी तपाईंको उत्तम छनौट हुनेछौं।

मध्यम फ्रिक्वेन्सी इन्ड्युसन फर्नेसको लागि क्यापेसिटरको लागि सबैभन्दा कम मूल्य - उच्च पावर अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विवरण:

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम।अपरेटिङ तापमान।,शीर्ष,अधिकतम: +105℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा	०.१μF～5.6μF
तोकिएको भोल्टेज	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
भोल्टेज सहन	1.5Un DC/10S
अपव्यय कारक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S मा)
स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस्	डाटाशीट हेर्नुहोस्
ज्वाला मंदता	UL94V-0
आयु - संभाव्यता	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071;GB/T17702;

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33
भोल्टेज	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	सन् १८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	सन् १९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32
भोल्टेज	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	सन् १८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	सन् १९७४	32
भोल्टेज	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
भोल्टेज	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
भोल्टेज	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन विवरण चित्र:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

"ग्राहक-उन्मुख" उद्यम दर्शन, एक कठिन राम्रो गुणस्तर नियन्त्रण प्रविधि, परिष्कृत उत्पादन उपकरण र एक बलियो आर एन्ड डी स्टाफको साथ, हामी सामान्यतया उच्च गुणस्तरको व्यापार, उत्कृष्ट समाधान र मध्यम फ्रिक्वेन्सी इन्ड्युसन फर्नेसको लागि क्यापेसिटरको लागि न्यूनतम मूल्यको लागि आक्रामक दरहरू प्रदान गर्दछौं। उच्च पावर एप्लिकेसनहरूका लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE, उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: हल्याण्ड, अंगोला, मंगोलिया, हाम्रो टोलीले विभिन्न देशहरूमा बजार मागहरू राम्ररी जान्दछ, र उपयुक्त आपूर्ति गर्न सक्षम छ। विभिन्न बजारहरूमा उत्कृष्ट मूल्यहरूमा गुणस्तर उत्पादनहरू र समाधानहरू।हाम्रो कम्पनीले बहु-विजय सिद्धान्तका साथ ग्राहकहरू विकास गर्न अनुभवी, रचनात्मक र जिम्मेवार टोली स्थापना गरिसकेको छ।

सौर्य इन्भर्टरको लागि अनुकूलित क्यापेसिटर

सुख्खा प्रकार फिल्म संधारित्र कारखाना

इलेक्ट्रोनिक फिल्म संधारित्र

Ess को लागि फिल्म क्यापेसिटर

चिकित्सा उपकरणको लागि फिल्म संधारित्र

धातुकृत प्लास्टिक फिल्म संधारित्र

पीसीबी माउन्ट गरिएको क्यापेसिटर

पावर कन्भर्टर क्यापेसिटर

Snubber उच्च भोल्टेज capacitors