• बिबिबि

IGBT अनुप्रयोगको लागि पोलिप्रोपाइलिन फिल्म स्नबर क्यापेसिटरको कम नोक्सान डाइइलेक्ट्रिक

छोटो वर्णन:

IGBT स्नबर क्यापेसिटरहरूको CRE दायरा ROHS र REACH अनुरूप छ।

१. UL94-VO अनुरूप प्लास्टिकको घेरा र इपोक्सी एन्ड फिल प्रयोग गरेर ज्वाला प्रतिरोधी विशेषताहरू सुनिश्चित गरिन्छ।

२. टर्मिनल शैली र केस आकारहरू अनुकूलित गर्न सकिन्छ।

 


  • :
  • उत्पादन विवरण

    उत्पादन ट्यागहरू

    SMJ-P श्रृंखला

    मूल्याङ्कन गरिएको भोल्टेज दायरा: १००० VDC देखि २००० VDC सम्म
    क्षमता दायरा: ०.१ uf देखि ३.० uf सम्म
    माउन्टिङ पिच: २२.५ मिमी देखि ४८ मिमी
    निर्माण: धातुकृत पोलिप्रोपाइलिन डाइइलेक्ट्रिक आन्तरिक श्रृंखला जडान
    आवेदन: IGBT सुरक्षा, अनुनाद ट्याङ्क सर्किटहरू

    स्व-उपचार, सुख्खा-प्रकार, स्नबर क्यापेसिटर तत्वहरू विशेष रूपमा प्रोफाइल गरिएको, वेभ कट मेटालाइज्ड पीपी फिल्म प्रयोग गरेर उत्पादन गरिन्छ जसले कम स्व-प्रेरणा, उच्च फुट्ने प्रतिरोध र उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित गर्दछ। अत्यधिक दबाव विच्छेदन आवश्यक मानिने छैन। क्यापेसिटरको माथिल्लो भाग स्व-निभाउने वातावरण-मैत्री इपोक्सीले सिल गरिएको छ। विशेष डिजाइनले धेरै कम स्व-प्रेरणा सुनिश्चित गर्दछ।

    IMG_0397.HEIC को सम्बन्धित उत्पादनहरू

    विशिष्टता तालिका

    भोल्टेज अन ७००V.DC, Urms४००Vac; Us१०५०V
    आयाम (मिमी)
    Cn(μF) एल(±१) टी(±१) एच(±१) १०० किलोहर्ज (मिΩ) मा ESR ESL(nH) dv/dt (V/μS) आईपीके(ए) Irms @४०℃ @१००KHz (A)
    ०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 12 25 ५०० २३५ 8
    ०.६८ ४२.५ २४.५ २७.५ 10 25 ४८० ३२६.४ 10
    1 ४२.५ २४.५ २७.५ 8 24 ४५० ४५० 12
    १.५ ४२.५ ३३.५ ३५.५ 7 25 ४३० ६४५ 5
    2 ४२.५ 33 ३५.५ 6 24 ४२० ८४० 15
    २.५ ४२.५ 33 45 6 23 ४०० १००० 18
    3 ४२.५ 33 45 ५.५ 22 ३८० ११४० 20
    3 ५७.५ 30 45 5 26 ३५० १०५० 22
    ३.५ ४२.५ 33 45 5 23 ३५० १२२५ 25
    ३.५ ५७.५ 30 45 6 25 ३०० १०५० 22
    ४.७ ५७.५ 35 50 5 28 २८० १३१६ 25
    ५.६ ५७.५ 38 54 4 30 २५० १४०० 25
    6 ५७.५ 38 54 ३.५ 33 २३० १३८० 28
    ६.८ ५७.५ ४२.५ 56 ३.२ 32 २२० १४९६ 32
    8 ५७.५ ४२.५ 56 २.८ 30 २०० १६०० 33
    भोल्टेज १०००V.DC,Urms५००Vac;Us१५००V
    आयाम (मिमी)
    Cn(μF) एल(±१) टी(±१) एच(±१) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) आईपीके(ए) आईआरएमहरू
    ०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 11 25 १००० ४७० 10
    ०.६८ ४२.५ २४.५ २७.५ 8 25 ८०० ५४४ 12
    1 ४२.५ ३३.५ ३५.५ 6 24 ८०० ८०० 15
    १.५ ४२.५ 33 45 6 24 ७०० १०५० 15
    2 ४२.५ 33 45 5 22 ७०० १४०० 20
    २.५ ५७.५ 30 45 5 30 ६०० १५०० 22
    3 ५७.५ 35 50 4 30 ६०० १८०० 25
    ३.३ ५७.५ 35 50 ३.५ 28 ५५० १८१५ 25
    ३.५ ५७.५ 38 54 ३.५ 28 ५०० १७५० 25
    4 ५७.५ 38 54 ३.२ 26 ५०० २००० 28
    ४.७ ५७.५ ४२.५ 56 3 25 ४२० १९७४ 30
    ५.६ ५७.५ ४२.५ 56 २.८ 24 ४०० २२४० 32
    भोल्टेज अन १२००V.DC,Urms५५०Vac;Us१८००V
    Cn(μF) एल(±१) टी(±१) एच(±१) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) आईपीके(ए) आईआरएमहरू
    ०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 11 24 १२०० ५६४ 10
    ०.६८ ४२.५ ३३.५ ३५.५ 7 23 ११०० ७४८ 12
    1 ४२.५ ३३.५ ३५.५ 6 22 ८०० ८०० 14
    १.५ ४२.५ 33 45 5 20 ८०० १२०० 15
    2 ५७.५ 30 45 4 30 ७५० १५०० 20
    २.५ ५७.५ 35 50 4 28 ७०० १७५० 25
    3 ५७.५ 35 50 4 27 ६०० १८०० 25
    ३.३ ५७.५ 38 54 4 27 ५५० १८१५ 28
    ३.५ ५७.५ 38 54 ३.५ 25 ५०० १७५० 28
    4 ५७.५ ४२.५ 56 ३.५ 25 ४५० १८०० 30
    ४.७ ५७.५ ४२.५ 56 ३.२ 23 ४२० १९७४ 32
    भोल्टेज अन १७००V.DC,Urms५७५Vac;Us२२५०V
    Cn(μF) एल(±१) टी(±१) एच(±१) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) आईपीके(ए) आईआरएमहरू
    ०.३३ ४२.५ २४.५ २७.५ 12 25 १३०० ४२९ 9
    ०.४७ ४२.५ २४.५ २७.५ 10 24 १३०० ६११ 10
    ०.६८ ४२.५ ३३.५ ३५.५ 8 23 १३०० ८८४ 12
    1 ४२.५ 33 45 7 22 १२०० १२०० 15
    १.५ ४२.५ 33 45 6 22 १२०० १८०० 18
    १.५ ५७.५ 30 45 5 31 १२०० १८०० 20
    2 ५७.५ 30 45 5 30 ११०० २२०० 22
    २.५ ५७.५ 35 50 4 28 ११०० २७५० 25
    3 ५७.५ 38 54 4 27 ७०० २१०० 25
    ३.३ ५७.५ 38 54 ३.८ 26 ६०० १९८० 28
    ३.५ ५७.५ ४२.५ 56 ३.५ 25 ५०० १७५० 30
    4 ५७.५ ४२.५ 56 ३.२ 25 ४५० १८०० 32
    भोल्टेज २०००V.DC,Urms७००Vac;Us३०००V
    Cn(μF) एल(±१) टी(±१) एच(±१) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) आईपीके(ए) आईआरएमहरू
    ०.२२ ४२.५ २४.५ २७.५ 15 25 १५०० ३३० 10
    ०.३३ ४२.५ ३३.५ ३५.५ 12 24 १५०० ४९५ 12
    ०.४७ ४२.५ ३३.५ ३५.५ 11 23 १४०० ६५८ 15
    ०.६८ ४२.५ 33 45 8 22 १२०० ८१६ 18
    ०.६८ ५७.५ 30 45 7 30 ११०० ७४८ 20
    ०.८२ ४२.५ 33 45 7 28 १२०० ९८४ 22
    1 ५७.५ 30 45 6 28 ११०० ११०० 25
    १.५ ५७.५ 35 50 5 25 १००० १५०० 28
    2 ५७.५ 38 54 5 24 ८०० १६०० 28
    २.२ ५७.५ ४२.५ 56 4 23 ७०० १५४० 32
    भोल्टेज अन ३०००V.DC,Urms७५०Vac;Us४५००V
    Cn(μF) एल(±१) टी(±१) एच(±१) ESR(mΩ) ESL(nH) dv/dt(V/μS) आईपीके(ए) आईआरएमहरू
    ०.१५ ४२.५ 33 45 18 28 २५०० ३७५ 25
    ०.२२ ४२.५ 33 45 15 27 २२०० ४८४ 28
    ०.२२ ५७.५ 35 50 15 25 २००० ३३० 20
    ०.३३ ५७.५ 35 50 12 24 १८०० ४९५ 20
    ०.४७ ५७.५ 38 54 11 23 १६०० ७५२ 22
    ०.६८ ५७.५ ४२.५ 56 8 22 १५०० १०२० 28

  • अघिल्लो:
  • अर्को:

  • हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्:

    आफ्नो सन्देश यहाँ लेख्नुहोस् र हामीलाई पठाउनुहोस्।

    हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्: