तातो नयाँ उत्पादनहरू कम्प्याक्ट डिजाइन फिल्म क्यापेसिटर - आईजीबीटी अनुप्रयोगको लागि पोलीप्रोपाइलीन फिल्म स्नबर क्यापेसिटरको कम हानि डाइइलेक्ट्रिक - CRE

तातो नयाँ उत्पादनहरू कम्प्याक्ट डिजाइन फिल्म क्यापेसिटर - IGBT अनुप्रयोगको लागि पोलीप्रोपाइलीन फिल्म स्नबर क्यापेसिटरको कम हानि डाइइलेक्ट्रिक - CRE विशेष छवि

छोटो विवरण:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

हामी ग्राहकहरूले के सोच्दछौं भन्ने सोच्दछौं, सिद्धान्तको ग्राहक स्थितिको हितमा कार्य गर्न जरुरीताको आवश्यकता, राम्रो गुणस्तरको लागि अनुमति दिँदै, कम प्रशोधन लागत, मूल्यहरू बढी उचित छन्, नयाँ र पुराना ग्राहकहरूको समर्थन र पुष्टि जितेका छौं।एक्स-रे डिटेक्टरको लागि फिल्म क्यापेसिटर , उच्च भोल्टेज डीसी लिङ्क क्यापेसिटर , इन्भर्टर क्यापेसिटर, तपाईको भ्रमणलाई स्वागत छ र तपाईको कुनै पनि सोधपुछ, ईमानदारीपूर्वक आशा छ कि हामी तपाईसँग सहयोग गर्ने मौका पाउन सक्छौं र हामी तपाईसँग लामो राम्रो व्यापार सम्बन्ध निर्माण गर्न सक्छौं।

तातो नयाँ उत्पादनहरू कम्प्याक्ट डिजाइन फिल्म क्यापेसिटर - आईजीबीटी अनुप्रयोगको लागि पोलीप्रोपाइलीन फिल्म स्नबर क्यापेसिटरको कम हानि डाइइलेक्ट्रिक - CRE विवरण:

SMJ-P श्रृंखला

रेटेड भोल्टेज दायरा: 1000 VDC देखि 2000 VDC
क्यापेसिटन्स दायरा: 0.1 uf देखि 3.0 uf सम्म
माउन्टिंग पिच: 22.5 मिमी देखि 48 मिमी
निर्माण: धातुकृत Polypropylene डाइलेक्ट्रिक आन्तरिक श्रृंखला जडान
आवेदन: IGBT संरक्षण, अनुनाद ट्यांक सर्किट

सेल्फ-हिलिंग, ड्राई-टाइप, स्नबर क्यापेसिटर एलिमेन्टहरू विशेष रूपमा प्रोफाइल गरिएको, वेभ कट मेटालाइज्ड पीपी फिल्म प्रयोग गरेर उत्पादन गरिन्छ जसले कम सेल्फ-इन्डक्टन्स, उच्च फुट्ने प्रतिरोध र उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित गर्दछ।अत्यधिक दबाव विच्छेदन आवश्यक मानिने छैन।क्यापेसिटरको शीर्ष स्व-निभाउने इको-मैत्री इपोक्सीले बन्द गरिएको छ।विशेष डिजाइनले धेरै कम सेल्फ इन्डक्टन्स सुनिश्चित गर्दछ।

IMG_0397.HEIC

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33

भोल्टेज	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	सन् १८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	सन् १९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32

भोल्टेज	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	सन् १८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	सन् १९७४	32

भोल्टेज	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32

भोल्टेज	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32

भोल्टेज	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन विवरण चित्र:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

उत्तरदायी उत्कृष्ट र उत्कृष्ट क्रेडिट रेटिङ स्ट्यान्डिङ हाम्रो सिद्धान्तहरू हुन्, जसले हामीलाई शीर्ष-रैंकिङ स्थितिमा मद्दत गर्नेछ।तातो नयाँ उत्पादनहरू कम्प्याक्ट डिजाइन फिल्म क्यापेसिटरको लागि "गुणवत्ता प्रारम्भिक, क्रेता सर्वोच्च" को सिद्धान्तको पालना गर्दै - IGBT अनुप्रयोगको लागि पोलीप्रोपाइलिन फिल्म स्नबर क्यापेसिटरको कम हानि डाइइलेक्ट्रिक - CRE, उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: इस्तानबुल, रुवाण्डा, ग्रीक, उच्च गुणस्तर र उत्कृष्ट पोस्ट-बिक्रीमा भर पर्दै, हाम्रा उत्पादनहरू अमेरिका, युरोप, मध्य पूर्व र दक्षिण अफ्रिकामा राम्रोसँग बेच्छन्।हामी धेरै संसारका प्रसिद्ध उत्पादन ब्रान्डहरूको लागि नियुक्त OEM कारखाना पनि हौं।थप वार्ता र सहयोगको लागि हामीलाई सम्पर्क गर्न स्वागत छ।

मोटर वाहन अनुप्रयोगहरूमा Capacitors

कम्प्याक्ट डिजाइन फिल्म संधारित्र

अनुकूलित अनुनाद संधारित्र

डीसी-फिल्टरिङ क्यापेसिटर

फिल्म क्यापेसिटर निर्माता

हार्मोनिक अनुनाद संधारित्र

कम क्षमता हानि फिम संधारित्र

Polypropylene फिल्म संधारित्र

आत्म-उपचार ड्राई क्यापेसिटर

स्नबर क्यापेसिटर

यो एक धेरै पेशेवर र इमानदार चिनियाँ आपूर्तिकर्ता हो, अब देखि हामी चिनियाँ निर्माण संग प्रेममा पर्यो।

लस भेगासबाट बर्था द्वारा - 2017.01.28 19:59

राम्रो गुणस्तर र छिटो डेलिभरी, यो धेरै राम्रो छ।केही उत्पादनहरूमा अलिकति समस्या छ, तर आपूर्तिकर्ताले समयमै प्रतिस्थापन गर्यो, समग्रमा, हामी सन्तुष्ट छौं।

भेनेजुएलाबाट जोन द्वारा - 2018.07.12 12:19