• bbb

उच्च शक्ति अनुनाद capacitors

छोटो विवरण:

RMJ-MT श्रृंखला क्यापेसिटरहरू

CRE उच्च पावर रेजोनन्ट क्यापेसिटरहरू प्रदान गर्न सक्षम छ जसले सानो कम्प्याक्ट प्याकेज साइजमा ठूला भोल्टेजहरू र धाराहरू ह्यान्डल गर्दछ।


उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा अधिकतम परिचालन तापमान।, शीर्ष, अधिकतम: +90 ℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा 1μF~8μF
तोकिएको भोल्टेज 1200V.DC~4000V.DC
Cap.tol ±5%(J) ;±10%(K)
भोल्टेज सहन 1.5Un /10S
अपव्यय कारक tgδ≤0.001 f=1KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S मा)
आयु - संभाव्यता 100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक IEC 61071 ; IEC 60110

सुविधा

1. प्लास्टिक ट्यूबलर वा Mylar टेप प्याकेज, राल संग छाप;
2. अनुकूलित आयाम;
3. कम ESL र ESR;
4. उच्च पल्स वर्तमान;
5. उच्च आवृत्ति वर्तमान क्षमता।

आवेदन

1. शृङ्खला / समानान्तर रेजोनन्ट सर्किटमा पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ।

2. ताररहित चार्जिङ, इन्भर्टर वेल्डर, इन्डक्शन हीटिंग उपकरण अनुनाद अवसरहरू, आदि

रूपरेखा रेखाचित्र

 

१

भोल्टेज Un 1200V.DC Urms 500V.AC Upeak 710V
Cn(uF) φD (मिमी) L(mm) ESR@100KHz (mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms (40℃ @100KHz ) Qn (kVar)
38 40 ४.८ 27 ९०० ९०० 35 १५.८
१.५ 46 40 ३.२ 25 ८०० १२०० 45 २०.३
2 53 40 २.४ 25 ७५० १५०० 50 २२.५
2 38 47 २.४ 28 ७२० १४४० 33 १४.९
3 64 40 १.६ 23 ६८० २०४० 60 २७.०
3 45 47 २.१ 27 ६२० १८६० 40 १८.०
4 52 47 १.६ 26 ५५० २२०० 45 २०.३
5 58 47 १.३ 25 ५०० २५०० 53 २३.९
6 63 47 १.१ 23 ४५० २७०० 58 २६.१
7 68 47 ०.९ 22 ४५० ३१५० 60 २७.०
8 73 47 ०.८ 20 ४०० ३२०० 65 २९.३

 

भोल्टेज अन 2000V.DC Urms 750V.AC Upeak 1050V
Cn(uF) φD (मिमी) L(mm) ESR@100KHz (mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms (40℃ @100KHz ) Qn (kVar)
41 40 ४.० 27 ११०० ११०० 38 २५.७
१.५ 50 40 २.७ 26 १००० १५०० 48 ३२.४
2 58 40 २.० 25 ९०० १८०० 55 ३७.१
2 49 60 २.० 26 ८५० १७०० 45 ३०.४
3 70 40 १.३ 23 ७५० २२५० 65 ४३.९
3 59 60 १.९ 25 ६५० 1950 55 ३७.१
4 81 40 १.४ 22 ६०० २४०० 75 ५०.६
4 68 60 १.४ 23 ५५० २२०० 62 ४१.९
5 76 60 १.१ 22 ५०० २५०० 70 ४७.३
6 83 60 ०.९ 21 ४८० २८८० 75 ५०.६

 

भोल्टेज अन 30000V.DC Urms 1200V.AC Upeak 1700V
Cn(uF) φD (मिमी) L(mm) ESR@100KHz (mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms (40℃ @100KHz ) Qn (kVar)
०.३३ 43 44 ७.२ 26 १८०० ५९४ 40 ४३.२
०.४७ 51 44 ५.५ 25 १७०० ७९९ 48 ५१.८
०.५ 53 44 ४.८ 25 १६०० ८०० 50 ५४.०
०.६८ 61 44 ३.५ 24 १५०० 1020 56 ६०.५
०.७५ 64 44 ३.२ 24 १४०० १०५० 60 ६४.८
०.८ 66 44 ४.० 23 १३५० १०८० 62 ६७.०
74 44 ३.२ 22 १३०० १३०० 70 ७५.६
१.२ 81 44 २.७ 21 १२५० १५०० 75 ८१.०
१.५ 90 44 २.१ 20 १२०० १८०० 80 ८६.४

 

भोल्टेज अन 4000V.DC Urms 1500V.AC Upeak 2100V
Cn(uF) φD (मिमी) L(mm) ESR@100KHz (mΩ)) ESL(nH) dv/dt(V/μS) Ipk(A) Irms (40℃ @100KHz ) Qn (kVar)
०.०८ 46 60 १०.० 28 3000 २४० 40 ५१.०
०.१ 51 60 ८.० 27 २८५० २८५ 45 ५७.४
०.१२ 56 60 ६.६ 26 २७५० ३३० 50 ६३.८
०.१५ 63 60 ८.५ 25 २५०० ३७५ 58 ७४.०
०.१८ 64 60 ७.१ 25 २४०० ४३२ 60 ७६.५
०.२५ 80 60 ५.१ 23 २२०० ५५० 75 ९५.६
०.३३ 52 60 ३.९ 23 २००० ६६० 48 ६१.२
०.४७ 62 60 ५.१ 22 १८०० ८४६ 58 ७४.०
०.५ 64 60 ४.८ 22 १७०० ८५० 60 ७६.५
०.६८ 75 60 ३.५ 20 १६०० १०८८ 70 ८९.३
०.७५ 78 60 ३.२ 20 १५०० ११२५ 72 ९१.८

भिडियो


  • अघिल्लो:
  • अर्को:

  • हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्:

    यहाँ आफ्नो सन्देश लेख्नुहोस् र हामीलाई पठाउनुहोस्

    हामीलाई आफ्नो सन्देश पठाउनुहोस्: