उच्च दक्षता अनुनाद स्विच संधारित्र

उच्च दक्षता अनुनाद स्विच क्यापेसिटर चित्रित छवि

छोटो विवरण:

RMJ-MT श्रृंखला क्यापेसिटरहरू उच्च शक्ति अनुनाद सर्किटको लागि डिजाइन गरिएको छ र पोलीप्रोपाइलीन फिल्मको कम हानि डाइलेक्ट्रिक प्रयोग गर्दछ।

यो आदर्श कम भोल्टेज, उच्च आवृत्ति, AC गुंजन संधारित्र समाधान छ।

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम परिचालन तापमान।, शीर्ष, अधिकतम: +90 ℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा	1μF～8μF
तोकिएको भोल्टेज	1200V.DC～4000V.DC
Cap.tol	±5%(J) ;±10%(K)
भोल्टेज सहन	1.5Un /10S
अपव्यय कारक	tgδ≤0.001 f=1KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S मा)
आयु - संभाव्यता	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC 61071 ; IEC 60110

सुविधा

1. Mylar टेप प्याकेज, राल संग छाप, हल्का बनाउन;
2. कपर नट नेतृत्व, सानो आकार, सजिलो स्थापना;
3. कम ESL र ESR;
4. उच्च पल्स वर्तमान;
5. उच्च आवृत्ति वर्तमान क्षमता।

आवेदन

1. शृङ्खला / समानान्तर रेजोनन्ट सर्किटमा पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा व्यापक रूपमा प्रयोग गरिन्छ।

2. वेल्डिङ, बिजुली आपूर्ति, इन्डक्शन हीटिंग उपकरण अनुनाद अवसरहरू।

रूपरेखा रेखाचित्र

भोल्टेज	Un 1200V.DC Urms 500V.AC Upeak 710V
Cn(uF)	φD (मिमी)	L(mm)	ESR@100KHz (mΩ))	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (40℃ @100KHz )	Qn (kVar)
१	38	40	४.८	27	९००	९००	35	१५.८
१.५	46	40	३.२	25	८००	१२००	45	२०.३
2	53	40	२.४	25	७५०	१५००	50	२२.५
2	38	47	२.४	28	७२०	१४४०	33	१४.९
3	64	40	१.६	23	६८०	२०४०	60	२७.०
3	45	47	२.१	27	६२०	१८६०	40	१८.०
4	52	47	१.६	26	५५०	२२००	45	२०.३
5	58	47	१.३	25	५००	२५००	53	२३.९
6	63	47	१.१	23	४५०	२७००	58	२६.१
7	68	47	०.९	22	४५०	३१५०	60	२७.०
8	73	47	०.८	20	४००	३२००	65	२९.३

भोल्टेज	अन 2000V.DC Urms 750V.AC Upeak 1050V
Cn(uF)	φD (मिमी)	L(mm)	ESR@100KHz (mΩ))	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (40℃ @100KHz )	Qn (kVar)
१	41	40	४.०	27	११००	११००	38	२५.७
१.५	50	40	२.७	26	१०००	१५००	48	३२.४
2	58	40	२.०	25	९००	१८००	55	३७.१
2	49	60	२.०	26	८५०	१७००	45	३०.४
3	70	40	१.३	23	७५०	२२५०	65	४३.९
3	59	60	१.९	25	६५०	1950	55	३७.१
4	81	40	१.४	22	६००	२४००	75	५०.६
4	68	60	१.४	23	५५०	२२००	62	४१.९
5	76	60	१.१	22	५००	२५००	70	४७.३
6	83	60	०.९	21	४८०	२८८०	75	५०.६

भोल्टेज	अन 30000V.DC Urms 1200V.AC Upeak 1700V
Cn(uF)	φD (मिमी)	L(mm)	ESR@100KHz (mΩ))	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (40℃ @100KHz )	Qn (kVar)
०.३३	43	44	७.२	26	१८००	५९४	40	४३.२
०.४७	51	44	५.५	25	१७००	७९९	48	५१.८
०.५	53	44	४.८	25	१६००	८००	50	५४.०
०.६८	61	44	३.५	24	१५००	1020	56	६०.५
०.७५	64	44	३.२	24	१४००	१०५०	60	६४.८
०.८	66	44	४.०	23	१३५०	१०८०	62	६७.०
१	74	44	३.२	22	१३००	१३००	70	७५.६
१.२	81	44	२.७	21	१२५०	१५००	75	८१.०
१.५	90	44	२.१	20	१२००	१८००	80	८६.४

भोल्टेज	अन 4000V.DC Urms 1500V.AC Upeak 2100V
Cn(uF)	φD (मिमी)	L(mm)	ESR@100KHz (mΩ))	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms (40℃ @100KHz )	Qn (kVar)
०.०८	46	60	१०.०	28	3000	२४०	40	५१.०
०.१	51	60	८.०	27	२८५०	२८५	45	५७.४
०.१२	56	60	६.६	26	२७५०	३३०	50	६३.८
०.१५	63	60	८.५	25	२५००	३७५	58	७४.०
०.१८	64	60	७.१	25	२४००	४३२	60	७६.५
०.२५	80	60	५.१	23	२२००	५५०	75	९५.६
०.३३	52	60	३.९	23	२०००	६६०	48	६१.२
०.४७	62	60	५.१	22	१८००	८४६	58	७४.०
०.५	64	60	४.८	22	१७००	८५०	60	७६.५
०.६८	75	60	३.५	20	१६००	१०८८	70	८९.३
०.७५	78	60	३.२	20	१५००	११२५	72	९१.८