कारखाना होलसेल एल्युमिनियम क्यान एसी क्यापेसिटर - आईजीबीटी अनुप्रयोगको लागि पोलीप्रोपाइलीन फिल्म स्नबर क्यापेसिटरको कम हानि डाइइलेक्ट्रिक - CRE

छोटो विवरण:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

हाम्रो प्राथमिक उद्देश्य सधैं हाम्रा ग्राहकहरूलाई गम्भीर र जिम्मेवार साना व्यापार सम्बन्ध प्रस्ताव गर्नु हो, ती सबैलाई व्यक्तिगत ध्यान प्रदान गर्दैएल्युमिनियम क्यान क्यापेसिटर , डीसी-फिल्टरिङ क्यापेसिटर , उच्च विश्वसनीयता फिल्म संधारित्र, हाम्रा प्रयासहरूसँग, हाम्रा उत्पादनहरू र समाधानहरूले ग्राहकहरूको विश्वास जितेका छन् र यहाँ र विदेशमा धेरै बिक्रीयोग्य छन्।

कारखाना होलसेल एल्युमिनियम क्यान एसी क्यापेसिटर - आईजीबीटी अनुप्रयोगको लागि पोलीप्रोपाइलीन फिल्म स्नबर क्यापेसिटरको कम हानि डाइइलेक्ट्रिक - CRE विवरण:

SMJ-P श्रृंखला

रेटेड भोल्टेज दायरा: 1000 VDC देखि 2000 VDC
क्यापेसिटन्स दायरा: 0.1 uf देखि 3.0 uf सम्म
माउन्टिंग पिच: 22.5 मिमी देखि 48 मिमी
निर्माण: धातुकृत Polypropylene डाइलेक्ट्रिक आन्तरिक श्रृंखला जडान
आवेदन: IGBT संरक्षण, अनुनाद ट्यांक सर्किट

सेल्फ-हिलिंग, ड्राई-टाइप, स्नबर क्यापेसिटर एलिमेन्टहरू विशेष रूपमा प्रोफाइल गरिएको, वेभ कट मेटालाइज्ड पीपी फिल्म प्रयोग गरेर उत्पादन गरिन्छ जसले कम सेल्फ-इन्डक्टन्स, उच्च फुट्ने प्रतिरोध र उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित गर्दछ।अत्यधिक दबाव विच्छेदन आवश्यक मानिने छैन।क्यापेसिटरको शीर्ष स्व-निभाउने इको-मैत्री इपोक्सीले बन्द गरिएको छ।विशेष डिजाइनले धेरै कम सेल्फ इन्डक्टन्स सुनिश्चित गर्दछ।

IMG_0397.HEIC

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33

भोल्टेज	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	सन् १८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	सन् १९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32

भोल्टेज	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	सन् १८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	सन् १९७४	32

भोल्टेज	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32

भोल्टेज	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32

भोल्टेज	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन विवरण चित्र:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

हाम्रा उत्पादनहरू व्यापक रूपमा चिनिन्छन् र मानिसहरूद्वारा विश्वासयोग्य छन् र फ्याक्ट्री थोक एल्युमिनियम क्यान एसी क्यापेसिटरको निरन्तर परिमार्जन गर्ने वित्तीय र सामाजिक आवश्यकताहरू पूरा गर्न सक्छन् - IGBT अनुप्रयोगको लागि पोलीप्रोपाइलिन फिल्म स्नबर क्यापेसिटरको कम हानि डाइइलेक्ट्रिक - CRE, उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: UAE, हंगेरी, चिली, हामी राम्रो गुणस्तर तर अपराजेय कम मूल्य र उत्कृष्ट सेवा प्रदान गर्दछौं।तपाईका नमूनाहरू र रङको घण्टी हामीलाई पोस्ट गर्न स्वागत छ।हामी तपाईंको अनुरोध अनुसार सामानहरू उत्पादन गर्नेछौं।यदि तपाइँ हामीले प्रस्ताव गर्ने कुनै पनि उत्पादनहरूमा रुचि राख्नुहुन्छ भने, कृपया हामीलाई मेल, फ्याक्स, टेलिफोन वा इन्टरनेट मार्फत सिधै सम्पर्क गर्न नहिचकिचाउनुहोस्।हामी यहाँ सोमवार देखि शनिबार सम्म तपाईंका प्रश्नहरूको जवाफ दिन र तपाईंसँग सहयोग गर्न तत्पर छौं।

लागत प्रभावी फिल्म कैपेसिटर

सुख्खा प्रकार फिल्म संधारित्र समाधान

नयाँ ऊर्जा पावर प्रणालीको लागि फिल्म क्यापेसिटर

फिल्म क्यापेसिटर नवाचार

उच्च भोल्टेज फिल्म संधारित्र

औद्योगिक इन्भर्टर क्यापेसिटर

कम क्षमता हानि फिम संधारित्र

पिन लेड फिल्म क्यापेसिटर

पावर कन्भर्टर क्यापेसिटर

Pv इन्भर्टर क्यापेसिटर

उत्पादनहरूको गुणस्तर धेरै राम्रो छ, विशेष गरी विवरणहरूमा, कम्पनीले ग्राहकको चासो, एक राम्रो आपूर्तिकर्ता सन्तुष्ट गर्न सक्रिय रूपमा काम गरेको देख्न सकिन्छ।