IGBT अनुप्रयोगको लागि पोलिप्रोपाइलिन फिल्मको कम नोक्सान डाइइलेक्ट्रिक स्नुबर क्यापेसिटर - CRE

छोटो वर्णन:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (२)

नवीनता, उत्कृष्टता र विश्वसनीयता हाम्रो कम्पनीको मुख्य मूल्य हो। यी सिद्धान्तहरू आज पहिले भन्दा धेरै बढी अन्तर्राष्ट्रिय रूपमा सक्रिय मध्यम आकारको व्यवसायको रूपमा हाम्रो सफलताको आधार बनाउँछन्अटोमोटिभ अनुप्रयोगको लागि Dc-लिङ्क क्यापेसिटर , पावर कन्भर्टरहरूमा Dc-Link क्यापेसिटरहरू , उच्च भोल्टेज पोलिप्रोपाइलिन फिल्म क्यापेसिटर, हामी गुणस्तर र ग्राहक सन्तुष्टिलाई प्राथमिकता दिन्छौं र यसको लागि हामी कडा गुणस्तर नियन्त्रण उपायहरू पालना गर्छौं। हामीसँग आन्तरिक परीक्षण सुविधाहरू छन् जहाँ हाम्रा उत्पादनहरू विभिन्न प्रशोधन चरणहरूमा प्रत्येक पक्षमा परीक्षण गरिन्छ। नवीनतम प्रविधिहरूको स्वामित्वमा, हामी हाम्रा ग्राहकहरूलाई अनुकूलित उत्पादन सुविधा प्रदान गर्दछौं।

Igbt को लागि स्नबर क्यापेसिटर बनाउने कारखाना - IGBT अनुप्रयोगको लागि पोलिप्रोपाइलिन फिल्मको कम नोक्सान डाइइलेक्ट्रिक स्नबर क्यापेसिटर - CRE विवरण:

SMJ-P श्रृंखला

मूल्याङ्कन गरिएको भोल्टेज दायरा: १००० VDC देखि २००० VDC सम्म
क्षमता दायरा: ०.१ uf देखि ३.० uf सम्म
माउन्टिङ पिच: २२.५ मिमी देखि ४८ मिमी
निर्माण: धातुकृत पोलिप्रोपाइलिन डाइइलेक्ट्रिक आन्तरिक श्रृंखला जडान
आवेदन: IGBT सुरक्षा, अनुनाद ट्याङ्क सर्किटहरू

स्व-उपचार, सुख्खा-प्रकार, स्नबर क्यापेसिटर तत्वहरू विशेष रूपमा प्रोफाइल गरिएको, वेभ कट मेटालाइज्ड पीपी फिल्म प्रयोग गरेर उत्पादन गरिन्छ जसले कम स्व-प्रेरणा, उच्च फुट्ने प्रतिरोध र उच्च विश्वसनीयता सुनिश्चित गर्दछ। अत्यधिक दबाव विच्छेदन आवश्यक मानिने छैन। क्यापेसिटरको माथिल्लो भाग स्व-निभाउने वातावरण-मैत्री इपोक्सीले सिल गरिएको छ। विशेष डिजाइनले धेरै कम स्व-प्रेरणा सुनिश्चित गर्दछ।

IMG_0397.HEIC को सम्बन्धित उत्पादनहरू

विशिष्टता तालिका

भोल्टेज	अन ७००V.DC, Urms४००Vac; Us१०५०V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	१०० किलोहर्ज (मिΩ) मा ESR	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	आईपीके(ए)	Irms @४०℃ @१००KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	३५.५	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	३५.५	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	२८०	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	२३०	१३८०	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	२२०	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33

भोल्टेज	१०००V.DC,Urms५००Vac;Us१५००V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	१८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	१९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32

भोल्टेज	अन १२००V.DC,Urms५५०Vac;Us१८००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	१८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	१९७४	32

भोल्टेज	अन १७००V.DC,Urms५७५Vac;Us२२५०V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	१९८०	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32

भोल्टेज	२०००V.DC,Urms७००Vac;Us३०००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	३५.५	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	३५.५	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32

भोल्टेज	अन ३०००V.DC,Urms७५०Vac;Us४५००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	१०२०	28

उत्पादन विवरण चित्रहरू:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

हामी "ग्राहक-मैत्री, गुणस्तर-उन्मुख, एकीकृत, नवीन" लाई उद्देश्यको रूपमा लिन्छौं। "सत्य र इमानदारी" हाम्रो व्यवस्थापनको आदर्श हो Igbt को लागि कारखाना बनाउने स्नबर क्यापेसिटर - IGBT अनुप्रयोगको लागि पोलिप्रोपाइलीन फिल्मको कम हानि डाइइलेक्ट्रिक स्नबर क्यापेसिटर - CRE, यो उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: घाना, हैटी, ब्रासिलिया, हाम्रा उत्पादनहरू प्रयोगकर्ताहरूद्वारा व्यापक रूपमा मान्यता प्राप्त र विश्वास गरिन्छ र निरन्तर परिवर्तन हुने आर्थिक र सामाजिक आवश्यकताहरू पूरा गर्न सक्छन्। भविष्यको व्यापार सम्बन्ध र पारस्परिक सफलताको लागि हामीसँग सम्पर्क गर्न जीवनका सबै क्षेत्रका नयाँ र पुराना ग्राहकहरूलाई स्वागत छ!

एसी फिल्म क्यापेसिटर बैंक

एसी पावर सप्लाई क्यापेसिटर

कम्प्याक्ट डिजाइन फिल्म क्यापेसिटर

अनुकूलन फिल्म क्यापेसिटर

नवीकरणीय ऊर्जा प्रणालीहरूको लागि Dc-Link क्यापेसिटर

इलेक्ट्रोनिक क्यापेसिटर

पीभी इन्भर्टरको लागि डिजाइन गरिएको फिल्म क्यापेसिटर

उच्च प्रदर्शन फिल्म क्यापेसिटर

इन्भर्टर डीसी लिङ्क क्यापेसिटर

उल स्वीकृत फिल्म क्यापेसिटर

उत्पादनको गुणस्तर राम्रो छ, गुणस्तर आश्वासन प्रणाली पूर्ण छ, प्रत्येक लिङ्कले समयमै सोधपुछ गर्न र समस्या समाधान गर्न सक्छ!