फ्याक्ट्रीले हाई पावर थाइरिस्टरको लागि तातो-बिक्री स्नबर बनाइयो - उच्च पावर अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE

छोटो विवरण:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

हाम्रो राम्रोसँग सुसज्जित सुविधाहरू र असाधारण राम्रो गुणस्तर उत्पादनको सबै चरणहरूमा व्यवस्थापनले हामीलाई पूर्ण पसलको सन्तुष्टिको ग्यारेन्टी गर्न सक्षम बनाउँछ।वेल्डिङ इन्भर्टर डीसी लिङ्क क्यापेसिटर , Abb इन्भर्टरको लागि फिल्म क्यापेसिटर , इलेक्ट्रोनिक क्यापेसिटर, त्यसैले, हामी विभिन्न ग्राहकहरु बाट विभिन्न सोधपुछ पूरा गर्न सक्नुहुन्छ।हाम्रा उत्पादनहरूबाट थप जानकारी जाँच गर्न कृपया हाम्रो वेबसाइट खोज्नुहोस्।

फ्याक्ट्रीले हाई पावर थाइरिस्टरको लागि तातो-बिक्री स्नबर बनाइयो - उच्च पावर अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विवरण:

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम।अपरेटिङ तापमान।,शीर्ष,अधिकतम: +105℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा	०.१μF～5.6μF
तोकिएको भोल्टेज	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
भोल्टेज सहन	1.5Un DC/10S
अपव्यय कारक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S मा)
स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस्	डाटाशीट हेर्नुहोस्
ज्वाला मंदता	UL94V-0
आयु - संभाव्यता	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071;GB/T17702;

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33
भोल्टेज	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	सन् १८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	सन् १९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32
भोल्टेज	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	सन् १८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	सन् १९७४	32
भोल्टेज	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
भोल्टेज	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
भोल्टेज	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन विवरण चित्र:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

हाम्रो इरादा सामान्यतया सुनौलो प्रदायक, उत्कृष्ट दर र उच्च पावर थाइरिस्टरको लागि फ्याक्ट्रीमा बनाइएको हट-सेल स्नबरको लागि राम्रो गुणस्तर प्रस्ताव गरेर हाम्रा खरीददारहरूलाई सन्तुष्ट पार्ने हो - उच्च शक्ति अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE, उत्पादनले सबैलाई आपूर्ति गर्नेछ। संसारभर, जस्तै: मोनाको, पोर्चुगल, मोन्ट्रियल, हामीसँग २० भन्दा बढी देशहरूका ग्राहकहरू छन् र हाम्रो प्रतिष्ठा हाम्रा आदरणीय ग्राहकहरूले पहिचान गरेका छन्।कहिल्यै अन्त्य नहुने सुधार र ०% कमीको लागि प्रयास गर्नु हाम्रा दुई मुख्य गुणस्तर नीतिहरू हुन्।तपाईलाई केहि चाहिन्छ भने, हामीलाई सम्पर्क गर्न नहिचकिचाउनुहोस्।

एसी फिल्टर रेल ट्र्याक्शन पावर प्रणालीको लागि प्रयोग गरिन्छ

औद्योगिक इन्भर्टरहरूको लागि डीसी-लिङ्क क्यापेसिटर

ड्राई टाइप फिल्म संधारित्र

फिल्म क्यापेसिटर कारखाना

फिल्म क्यापेसिटर निर्माता

ग्लोबल क्यापेसिटर आपूर्तिकर्ता

उच्च ऊर्जा भण्डारण Capacitors

Igbt Snubber