धातुकृत फिल्म IGBT स्नबर क्यापेसिटर – CRE

छोटो वर्णन:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (२)

हाम्रा कर्मचारीहरूको सपना साकार पार्ने चरण बन्न! अझ खुसी, धेरै एकताबद्ध र धेरै विशेषज्ञ टोली निर्माण गर्न! हाम्रा ग्राहकहरू, आपूर्तिकर्ताहरू, समाज र हामी आफैंको पारस्परिक नाफामा पुग्नको लागिडीसी पावर फिल्म क्यापेसिटरहरू , पीसीबी माउन्ट गरिएको फिल्म क्यापेसिटर , धातुकृत पोलिप्रोपाइलिन फिल्म क्यापेसिटर डीसी-लिङ्क क्यापेसिटर, सटीक प्रक्रिया उपकरणहरू, उन्नत इंजेक्शन मोल्डिंग उपकरण, उपकरण असेंबली लाइन, प्रयोगशालाहरू र सफ्टवेयर उन्नति हाम्रो विशिष्ट विशेषता हुन्।

उत्कृष्ट गुणस्तरको पोलिप्रोपाइलिन फिल्म क्यापेसिटर - धातुकृत फिल्म IGBT स्नबर क्यापेसिटर - CRE विवरण:

प्राविधिक डेटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम सञ्चालन तापमान।, माथिल्लो, अधिकतम: +१०५℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +८५℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -४०℃
क्षमता दायरा	०.१μF~५.६μF
मूल्याङ्कन गरिएको भोल्टेज	७०० भोल्टेज डीसी~३००० भोल्टेज डीसी
क्याप.टोल	±५%(जे); ±१०%(के)
भोल्टेज सहन	१.५Un DC/१०S
अपव्यय कारक	tgδ≤०.०००५ C≤१μF f=१०KHztgδ≤०.००१ C≥१μF f=१०KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤०.३३μF RS≥१५००० MΩ (२०℃ १००V.DC ६०S मा) C＞०.३३μF RS*C≥५०००S (२०℃ १००V.DC ६०S मा)
स्ट्राइक करेन्ट सहन गर्नुहोस्	具体见规格表
ज्वाला मंदता	UL94V-0 को लागि सोधपुछ पेश गर्नुहोस्, हामी तपाईंलाई 24 घण्टामा सम्पर्क गर्नेछौं।
आयु	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071; GB/T17702;

भोल्टेज			अन ७००V.DC, Urms४००Vac; Us१०५०V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	१०० किलोहर्ज (मिΩ) मा ESR	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	आईपीके(ए)	Irms @४०℃ @१००KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	३५.५	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	३५.५	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	२८०	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	२३०	१३८०	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	२२०	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33


भोल्टेज			१०००V.DC,Urms५००Vac;Us१५००V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	१८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	१९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32

भोल्टेज			अन १२००V.DC,Urms५५०Vac;Us१८००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	१८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	१९७४	32

भोल्टेज			अन १७००V.DC,Urms५७५Vac;Us२२५०V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	१९८०	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32

भोल्टेज			२०००V.DC,Urms७००Vac;Us३०००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	३५.५	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	३५.५	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32

भोल्टेज			अन ३०००V.DC,Urms७५०Vac;Us४५००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	१०२०	28

सुविधा

१. प्लास्टिक, रालले सिल गरिएको;

२. टिन-प्लेटेड तामा इन्सर्ट लिडहरू, IGBT को लागि सजिलो स्थापना;

३. उच्च भोल्टेज, कम tgδ, कम तापक्रम वृद्धिको प्रतिरोध;

४. कम ESL र ESR;

५. उच्च पल्स करेन्ट।

कम इन्डक्टेन्स आन्तरिक निर्माणहरू, वैकल्पिक मोल्डेड रेजिन केसहरू, र अनुकूलित टर्मिनेशनहरू प्रयोग गरेर, SMJ-P शृङ्खलाहरू द्रुत स्विचिङ IGBTS को लागि डिजाइन गरिएको हो र स्नबरहरू र उच्च वर्तमान उच्च आवृत्ति इनपुट फिल्टरहरूको रूपमा काम गर्न सक्छ।

उत्पादन विवरण चित्रहरू:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

खरीददारहरूको लागि थप लाभ सिर्जना गर्नु हाम्रो व्यावसायिक दर्शन हो; उत्कृष्ट गुणस्तरको पोलिप्रोपाइलिन फिल्म क्यापेसिटर - मेटलाइज्ड फिल्म IGBT स्नबर क्यापेसिटर - CRE को लागि हाम्रो काम गर्ने खोज भनेको किनमेल बढाउनु हो। यो उत्पादन विश्वभर आपूर्ति गरिनेछ, जस्तै: जापान, डेट्रोइट, ओस्लो, हाम्रो कम्पनीले उत्कृष्ट गुणस्तर, प्रतिस्पर्धी मूल्य र समयमै डेलिभरी र उत्तम भुक्तानी अवधिको साथ ग्राहकहरूलाई सेवा प्रदान गर्न जारी राख्नेछ! हामी विश्वभरका साथीहरूलाई हामीसँग भ्रमण गर्न र सहयोग गर्न र हाम्रो व्यवसाय विस्तार गर्न हार्दिक स्वागत गर्दछौं। यदि तपाईं हाम्रा उत्पादनहरूमा रुचि राख्नुहुन्छ भने, कृपया हामीलाई सम्पर्क गर्न नहिचकिचाउनुहोस्, हामी तपाईंलाई थप जानकारी प्रदान गर्न खुसी हुनेछौं!

एसी फिल्म क्यापेसिटर बैंक

मध्यम आवृत्ति इन्ड्युसन फर्नेसको लागि क्यापेसिटर

डेलिभरी कारको लागि डीसी लिङ्क क्यापेसिटर

फिल्म क्यापेसिटर आपूर्तिकर्ता

उच्च प्रदर्शन फिल्म क्यापेसिटर

उच्च शक्ति अनुनाद क्यापेसिटरहरू

उच्च गुणस्तरको डीसी लिङ्क क्यापेसिटर

उच्च भोल्टेज डीसी लिङ्क क्यापेसिटर

Igbt अवशोषित सर्किट क्यापेसिटर

Mkp क्यापेसिटर