विन्ड पावर इन्भर्टर क्यापेसिटरका लागि चीन कारखाना - उच्च आवृत्ति पावर इलेक्ट्रोनिक्सका लागि अनुकूलित ड्राई फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE

पवन शक्ति इन्भर्टर क्यापेसिटरको लागि चीन कारखाना - उच्च आवृत्ति पावर इलेक्ट्रोनिक्सको लागि अनुकूलित ड्राई फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विशेष छवि

छोटो विवरण:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

हामी प्रगतिलाई जोड दिन्छौं र प्रत्येक वर्षको लागि बजारमा नयाँ व्यापारहरू प्रस्तुत गर्दछौंउच्च भोल्टेज डीसी लिङ्क क्यापेसिटर , ऊर्जा भण्डारण फिल्म संधारित्र , कार क्यापेसिटर, तपाईको व्यवसायलाई सजिलो बनाउनको लागि हामीसँग सामेल हुन तपाईलाई स्वागत छ।हामी सधैं तपाईंको उत्तम साझेदार हौं जब तपाईं आफ्नो व्यवसाय गर्न चाहनुहुन्छ।

विन्ड पावर इन्भर्टर क्यापेसिटरको लागि चीन कारखाना - उच्च आवृत्ति पावर इलेक्ट्रोनिक्सको लागि अनुकूलित ड्राई फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विवरण:

हाम्रा बलहरू

1. CRE ले आकार, वजन र लागत घटाउँदै ऊर्जा घनत्व, विश्वसनीयता र दक्षता बढाउन निरन्तर विकास गरिरहेको छ।

2. एक पेशेवर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइनरको रूपमा, हामी दिइएको अनुप्रयोगको लागि क्यापेसिटर प्रदर्शन विशेषताहरू अनुकूलन गर्न फिल्म/विभाजित फिल्म सामग्री र प्रविधिहरू लागू गर्छौं।

3. वर्षौंको अनुभवको साथ, CRE ले विश्वभरका हाम्रा ग्राहकहरूका लागि नवीन क्यापेसिटर समाधानहरू विकास गरिरहन्छ।

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम परिचालन तापमान: + 70 ℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +60 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा	100μF～20000μF
अन/रेटेड भोल्टेज अन	600V.DC～4000V.DC
क्षमता सहिष्णुता	±5%(J); ±10%(K)
भोल्टेज सहन	Vt-t	1.5Un DC/60S
	Vt-c	1000+2×Un/√2 （V.AC） 60S(min 3000 V.AC)
ओभर भोल्टेज	1.1Un (अन-लोड-को 30%)
	1.15Un (30 मिनेट/दिन)
	1.2Un (5 मिनेट/दिन)
	1.3Un (1 मिनेट/दिन)
	1.5Un (100ms हरेक पटक, 1000 पटक जीवनकालमा)
अपव्यय कारक	tgδ≤0.003 f=100Hz
	tgδ0≤0.0002
ESL	~150 NH
ज्वाला मंदता	UL94V-0
अधिकतम उचाइ	२००० मि
	जब उचाई 2000 मिटर माथि देखि 5000 मिटर भन्दा कम हुन्छ, यो कम रकम को उपयोग को लागी विचार गर्न आवश्यक छ। (1000 मिटर को प्रत्येक वृद्धि को लागी, भोल्टेज र वर्तमान 10% ले घटाइनेछ)
आयु - संभाव्यता	100000h (Un; Θhotspot ≤70 °C)
सन्दर्भ मानक	IEC 61071; IEC 61881;

सुविधा

1. धातु खोल encapsulation, सुख्खा राल इन्फ्यूजन;

2. कपर नट/स्क्रू लीड, सजिलो स्थापना;

3. ठूलो क्षमता, अनुकूलित आयाम;

4. उच्च भोल्टेज को प्रतिरोध, आत्म-उपचार क्षमता संग;

5. उच्च लहर वर्तमान, उच्च dv / dt प्रतिरोध क्षमता।

DKMJ-S

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज	अन 800V.DC Us 1200V Ur 200V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
४०००	३४०	१२५	१९०	5	२०.०	१२०	१.१	०.९	१७.६
८०००	३४०	१२५	३५०	4	३२.०	१८०	०.७२	०.६	३१.२
६०००	४२०	१२५	२४५	5	३०.०	१५०	०.९५	०.७	२६.४
10000	४२०	१२५	३६०	4	४०.०	२००	०.७२	०.५	३९.२
१२०००	४२०	२३५	२४५	4	४८.०	२५०	०.९	०.३	४९.६
20000	४२०	२३५	३६०	3	६०.०	३००	०.६	०.३	७३.६
भोल्टेज	अन 1200V.DC Us 1800V Ur 300V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
२५००	३४०	१२५	१९०	8	२०.०	१२०	१.१	०.९	१७.६
३३००	३४०	१२५	२४५	8	२६.४	१५०	०.९५	०.७	२२.४
५०००	४२०	१२५	३००	7	३५.०	१८०	०.८	०.६	३२.८
7500	४२०	१२५	४३०	५.५	४१.३	२००	०.६६	०.६	४४.८
५०००	३४०	२३५	१९०	8	४०.०	२००	१.१	०.३	३२.८
10000	३४०	२३५	३५०	6	६०.०	२५०	०.८	०.३	५८.४
५०००	४२०	२३५	१७५	8	४०.०	२००	1	०.४	36
7500	४२०	२३५	२४५	7	५२.५	२५०	०.९	०.३	४९.६
10000	४२०	२३५	३००	7	७०.०	२५०	०.८	०.३	६१.६
१५०००	४२०	२३५	४३०	5	७५.०	३००	०.६	०.३	84
भोल्टेज	Un 1500V.DC Us 2250V Ur 450V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
१२००	३४०	१२५	१९०	10	१२.०	१२०	१.१	०.९	१७.६
3000	३४०	१२५	४२०	8	२४.०	१८०	०.६६	०.७	३७.६
२०००	४२०	१२५	२४५	10	२०.०	१५०	०.९५	०.७	२६.४
४०००	४२०	१२५	४३०	8	३२.०	२००	०.६६	०.६	४४.८
५०००	३४०	२३५	३५०	8	४०.०	२५०	०.८	०.३	५८.४
४०००	४२०	२३५	२४५	10	४०.०	२५०	०.९	०.३	४९.६
८०००	४२०	२३५	४३०	8	६४.०	३००	०.६	०.३	84
भोल्टेज	अन 2000V.DC Us 3000V Ur 600V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
१०००	३४०	१२५	२४५	12	१२.०	१५०	०.९५	०.७	२२.४
१५००	३४०	१२५	३५०	10	१५.०	१८०	०.७२	०.६	३१.२
२०००	४२०	१२५	३६०	10	२०.०	२००	०.७२	०.५	३९.२
२४००	४२०	१२५	४३०	9	२१.६	२००	०.६६	०.६	४४.८
३२००	३४०	२३५	३५०	10	३२.०	२५०	०.८	०.३	४६.४
४०००	४२०	२३५	३६०	10	४०.०	280	०.७	०.३	५८.४
४८००	४२०	२३५	४३०	9	४३.२	३००	०.६	०.३	६७.२
भोल्टेज	अन 2200V.DC Us 3300V Ur 600V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms (A) अधिकतम	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	वजन (केजी)
२०००	४२०	२३५	२४५	12	24	१५०	०.९	०७४०७४०७४१	40
२७५०	४२०	२३५	३००	10	२७.५	२००	०.८	०.४६८७५	४९.६
३५००	४२०	२३५	३६०	10	35	२००	०.७	०.५३५७१४२८६	५८.४
भोल्टेज	अन 3000V.DC हामीलाई 4500V र 800V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms (A) अधिकतम	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	वजन (केजी)
१०५०	४२०	२३५	२४५	20	21	१५०	०.९	०७४०७४०७४१	40
१४००	४२०	२३५	३००	15	21	२००	०.८	०.४६८७५	४९.६
१८००	४२०	२३५	३६०	15	27	२००	०.७	०.५३५७१४२८६	५८.४
भोल्टेज	अन 4000V.DC Us 6000V Ur 1000V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms (A) अधिकतम	ESR (mΩ)	Rth (K/W)	वजन (केजी)
६००	४२०	२३५	२४५	20	12	१५०	०.९	०७४०७४०७४१	40
८००	४२०	२३५	३००	20	16	२००	०.८	०.४६८७५	४९.६
१०००	४२०	२३५	३६०	20	20	२००	०.७	०.५३५७१४२८६	५८.४
भोल्टेज	Un 2800V.DC Us 4200V Ur 800V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
2×1000	५६०	१९०	३१०	20	२×२०	२×३५०	1	०.२	60
भोल्टेज	अन 3200V.DC Us 4800V Ur 900V
Cn (μF)	W (मिमी)	T (मिमी)	H (मिमी)	dv/dt (V/μS)	Ip (KA)	Irms(A)50℃@10KHz	ESR (mΩ) @1KHz	Rth (K/W)	वजन (केजी)
२×१२००	३४०	१७५	९५०	15	२×१८	२×२००	१.०	०.५	95

उत्पादन विवरण चित्र:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

हामी उत्कृष्ट र उत्कृष्ट हुनको लागि हरेक प्रयास गर्न जाँदैछौं, र पवन शक्ति इन्भर्टर क्यापेसिटरको लागि चाइना फ्याक्ट्रीको लागि अन्तर्राष्ट्रिय शीर्ष-ग्रेड र उच्च-प्रविधि उद्यमहरूको श्रेणीमा रहँदा उभिनका लागि हाम्रा मार्गहरूलाई गति दिनेछौं - उच्चको लागि अनुकूलित ड्राई फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन। - फ्रिक्वेन्सी पावर इलेक्ट्रोनिक्स - CRE , उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: ग्रीस, मंगोलिया, चेक गणतन्त्र, हाम्रो कम्पनीले घरेलु र विदेशी ग्राहकहरूलाई आउन र हामीसँग व्यापार वार्ता गर्न निमन्त्रणा गर्दछ।हामीलाई एक शानदार भोलि सिर्जना गर्न हात मिलाउन अनुमति दिनुहोस्!हामी एक जीत-जीत स्थिति प्राप्त गर्न ईमानदारीपूर्वक तपाईसँग सहयोग गर्न तत्पर छौं।हामी तपाईंलाई उच्च गुणस्तर र कुशल सेवाहरू प्रदान गर्न सक्दो प्रयास गर्ने वचन दिन्छौं।

एसी पावर सप्लाई क्यापेसिटर

Igbt को लागि क्यापेसिटर