सस्तो मूल्य कम पावर लस इन्डक्सन हीटिंग क्यापेसिटर - उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि डिजाइन - CRE

सस्तो मूल्य कम पावर लस इन्डक्शन हीटिंग क्यापेसिटर - उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि डिजाइन - CRE विशेष छवि

छोटो विवरण:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

हामी उन्नतिलाई जोड दिन्छौं र प्रत्येक वर्ष बजारमा नयाँ उत्पादनहरू र समाधानहरू प्रस्तुत गर्दछौंअनुकूलित अनुनाद संधारित्र , अनुकूलित संधारित्र बैंक , पावर इलेक्ट्रोनिक एसी क्यापेसिटर, हामी विश्वभरका ग्राहकहरूलाई स्थिर र पारस्परिक रूपमा लाभदायक व्यापार सम्बन्ध स्थापना गर्न, सँगै उज्ज्वल भविष्यको लागि पूर्ण रूपमा स्वागत गर्दछौं।

सस्तो मूल्य कम पावर लस इन्डक्शन हीटिंग क्यापेसिटर - उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि डिजाइन - CRE विवरण:

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम।अपरेटिङ तापमान।,शीर्ष,अधिकतम: +105℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा	०.१μF～5.6μF
तोकिएको भोल्टेज	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
भोल्टेज सहन	1.5Un DC/10S
अपव्यय कारक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S मा)
स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस्	डाटाशीट हेर्नुहोस्
ज्वाला मंदता	UL94V-0
आयु - संभाव्यता	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071;GB/T17702;

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33
भोल्टेज	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	सन् १८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	सन् १९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32
भोल्टेज	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	सन् १८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	सन् १९७४	32
भोल्टेज	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
भोल्टेज	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
भोल्टेज	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन विवरण चित्र:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

हामी हाम्रो उत्कृष्ट व्यापारिक सामानको उच्च गुणस्तर, प्रतिस्पर्धी मूल्य र सस्तो मूल्य कम पावर लस इन्डक्सन हीटिंग क्यापेसिटरको लागि आदर्श सेवाको लागि हाम्रो सम्भावनाहरू बीच अत्यन्त राम्रो स्थितिको आनन्द लिन्छौं - IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE, उत्पादन हुनेछ। सारा संसारमा आपूर्ति, जस्तै: संयुक्त अरब इमिरेट्स, बुरुंडी, अक्रा, हाम्रो कम्पनी सधैं अन्तर्राष्ट्रिय बजार को विकास मा ध्यान केन्द्रित।हामीसँग रूस, युरोपेली देशहरू, संयुक्त राज्य अमेरिका, मध्य पूर्व देशहरू र अफ्रिका देशहरूमा धेरै ग्राहकहरू छन्।हामी सधैं पालन गर्छौं कि गुणस्तर आधार हो जबकि सेवा सबै ग्राहकहरु लाई भेट्ने ग्यारेन्टी हो।

अनुकूलित संधारित्र बैंक

ऊर्जा भण्डारण संधारित्र

पावर इन्भर्टरको लागि फिल्म क्यापेसिटर

चार पिन टर्मिनल संधारित्र

हार्मोनिक अनुनाद संधारित्र

Igbt Snubber