IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर करेन्ट स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE

छोटो वर्णन:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (२)

ग्राहकको आनन्द प्राप्त गर्नु हाम्रो कम्पनीको अनन्त लक्ष्य हो। हामी नयाँ र उच्च-गुणस्तरका सामानहरू सिर्जना गर्न, तपाईंको विशेष आवश्यकताहरू पूरा गर्न र तपाईंलाई पूर्व-बिक्री, बिक्रीमा र बिक्री पछिका कम्पनीहरू प्रदान गर्न उत्कृष्ट प्रयास गर्नेछौं।अल्ट्राक्यापेसिटर ब्याट्री , एसी फिल्टरिङ समाधानहरू , ऊर्जा बफरिङ क्यापेसिटर, हामी निकट भविष्यमा हाम्रा उत्पादनहरू तपाईंलाई आपूर्ति गर्न तत्पर छौं, र तपाईंले हाम्रो उद्धरण धेरै उचित छ र हाम्रा उत्पादनहरूको गुणस्तर धेरै उत्कृष्ट पाउनुहुनेछ!

IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर करेन्ट स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विवरण:

प्राविधिक डेटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम सञ्चालन तापमान।, माथिल्लो, अधिकतम: +१०५℃ माथिल्लो श्रेणीको तापक्रम: +८५ ℃ तल्लो श्रेणीको तापक्रम: -४० ℃
क्षमता दायरा	०.१μF~५.६μF
मूल्याङ्कन गरिएको भोल्टेज	७०० भोल्टेज डीसी~३००० भोल्टेज डीसी
क्याप.टोल	±५%(जे);±१०%(के)
भोल्टेज सहन	१.५Un DC/१०S
अपव्यय कारक	tgδ≤०.०००५ C≤१μF f=१०KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤०.३३μF RS≥१५००० MΩ (२०℃ १००V.DC ६०S मा) C＞०.३३μF RS*C≥५०००S (२०℃ १००V.DC ६०S मा)
स्ट्राइक करेन्ट सहन गर्नुहोस्	डेटासिट हेर्नुहोस्
ज्वाला मंदता	UL94V-0 को लागि सोधपुछ पेश गर्नुहोस्, हामी तपाईंलाई 24 घण्टामा सम्पर्क गर्नेछौं।
आयु	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071; GB/T17702;

विशिष्टता तालिका

भोल्टेज	अन ७००V.DC, Urms४००Vac; Us१०५०V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	१०० किलोहर्ज (मिΩ) मा ESR	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	आईपीके(ए)	Irms @४०℃ @१००KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	३५.५	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	३५.५	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	२८०	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	२३०	१३८०	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	२२०	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33
भोल्टेज	१०००V.DC,Urms५००Vac;Us१५००V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	१८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	१९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32
भोल्टेज	अन १२००V.DC,Urms५५०Vac;Us१८००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	१८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	१९७४	32
भोल्टेज	अन १७००V.DC,Urms५७५Vac;Us२२५०V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	१९८०	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
भोल्टेज	२०००V.DC,Urms७००Vac;Us३०००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	३५.५	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	३५.५	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
भोल्टेज	अन ३०००V.DC,Urms७५०Vac;Us४५००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	१०२०	28

उत्पादन विवरण चित्रहरू:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

हामी लगभग हरेक खरीददारलाई उत्कृष्ट कम्पनीहरू प्रदान गर्न सक्दो प्रयास गर्नेछौं, तर हाम्रा खरीददारहरूले सस्तो मूल्यमा कम पावर लस इन्डक्सन हीटिंग क्यापेसिटर - IGBT पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर करेन्ट स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE को लागि प्रस्ताव गरेको कुनै पनि सुझाव प्राप्त गर्न पनि तयार छौं। यो उत्पादन विश्वभरि आपूर्ति गरिनेछ, जस्तै: ग्वाटेमाला, आर्मेनिया, म्यासेडोनिया, अन्तर्राष्ट्रिय व्यापारमा विस्तारित जानकारीको स्रोत प्रयोग गर्ने तरिकाको रूपमा, हामी वेब र अफलाइन सबै ठाउँबाट सम्भावनाहरूलाई स्वागत गर्दछौं। हामीले प्रस्ताव गर्ने उच्च गुणस्तरका वस्तुहरूको बावजुद, प्रभावकारी र सन्तोषजनक परामर्श सेवा हाम्रो योग्य बिक्री पछि सेवा समूहद्वारा आपूर्ति गरिन्छ। वस्तु सूचीहरू र विस्तृत प्यारामिटरहरू र अन्य कुनै पनि जानकारी सोधपुछको लागि तपाईंलाई समयमै पठाइनेछ। त्यसैले कृपया हामीलाई इमेल पठाएर हामीलाई सम्पर्क गर्नुहोस् वा हाम्रो संस्थाको बारेमा कुनै प्रश्नहरू भएमा हामीलाई कल गर्नुहोस्। तपाईं हाम्रो साइटबाट हाम्रो ठेगाना जानकारी पनि प्राप्त गर्न सक्नुहुन्छ र हाम्रो उद्यममा आउन सक्नुहुन्छ। हामी हाम्रो सामानको क्षेत्र सर्वेक्षण प्राप्त गर्छौं। हामी विश्वस्त छौं कि हामी पारस्परिक उपलब्धि साझा गर्नेछौं र यस बजार भित्र हाम्रा साथीहरूसँग ठोस सहयोग सम्बन्ध सिर्जना गर्नेछौं। हामी तपाईंको सोधपुछको लागि अगाडि हेरिरहेका छौं।

अनुकूलित क्यापेसिटर बैंक

ऊर्जा-भण्डारण क्यापेसिटर

पावर इन्भर्टरको लागि फिल्म क्यापेसिटर

चार पिन टर्मिनल क्यापेसिटर

हार्मोनिक रेजोनान्स क्यापेसिटर

Igbt Snubber का थप वस्तुहरू