मेडिकल इमेजिङका लागि प्रयोग हुने सस्तो मूल्यको फिल्म क्यापेसिटर - आईजीबीटी पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE

मेडिकल इमेजिङका लागि प्रयोग गरिएको सस्तो मूल्यको फिल्म क्यापेसिटर - आईजीबीटी पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विशेष छवि

छोटो विवरण:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

एक उन्नत र विशेषज्ञ आईटी टोली द्वारा समर्थित भएकोले, हामीले पूर्व-बिक्री र बिक्री पछि सेवाहरूमा प्राविधिक सहयोग दिन सक्छौं।अनुकूलित फिल्म संधारित्र , Igbt को लागि Snubber Capacitor , सौर्य शक्ति संधारित्र, हाम्रो कम्पनीको टोलीले अत्याधुनिक प्रविधिहरूको प्रयोग गरी विश्वभरका हाम्रा ग्राहकहरूद्वारा उच्च रूपमा मन पराइएका र प्रशंसा गरिएका त्रुटिरहित गुणस्तरका उत्पादनहरू प्रदान गर्दछ।

मेडिकल इमेजिङका लागि प्रयोग गरिएको सस्तो मूल्यको फिल्म क्यापेसिटर - आईजीबीटी पावर इलेक्ट्रोनिक्स अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विवरण:

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम।अपरेटिङ तापमान।,शीर्ष,अधिकतम: +105℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा	०.१μF～5.6μF
तोकिएको भोल्टेज	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
भोल्टेज सहन	1.5Un DC/10S
अपव्यय कारक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S मा)
स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस्	डाटाशीट हेर्नुहोस्
ज्वाला मंदता	UL94V-0
आयु - संभाव्यता	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071;GB/T17702;

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33
भोल्टेज	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	सन् १८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	सन् १९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32
भोल्टेज	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	सन् १८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	सन् १९७४	32
भोल्टेज	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
भोल्टेज	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
भोल्टेज	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन विवरण चित्र:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

सधैं ग्राहक उन्मुख, र यो हाम्रो अन्तिम लक्ष्य सबैभन्दा भरपर्दो, भरपर्दो र इमानदार आपूर्तिकर्ता मात्र होइन, तर मेडिकल इमेजिङको लागि प्रयोग हुने सस्तो मूल्यको फिल्म क्यापेसिटरको लागि हाम्रा ग्राहकहरूको लागि साझेदार पनि हो - IGBT पावरको लागि उच्च शिखर वर्तमान स्नबर फिल्म क्यापेसिटर डिजाइन। इलेक्ट्रोनिक्स एप्लिकेसनहरू - CRE , उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: रोटरडम, इरान, ह्याम्बर्ग, हामी हाम्रो विकास रणनीतिको दोस्रो चरण प्रारम्भ गर्नेछौं।हाम्रो कम्पनीले "उचित मूल्यहरू, कुशल उत्पादन समय र राम्रो बिक्री पछि सेवा" लाई हाम्रो सिद्धान्तको रूपमा मान्दछ।यदि तपाइँ हाम्रो कुनै पनि उत्पादन र समाधानहरूमा रुचि राख्नुहुन्छ वा अनुकूलन अर्डरमा छलफल गर्न चाहनुहुन्छ भने, निश्चित गर्नुहोस् कि तपाइँ हामीलाई सम्पर्क गर्न स्वतन्त्र महसुस गर्नुहुन्छ।हामी निकट भविष्यमा संसारभरि नयाँ ग्राहकहरु संग सफल व्यापार सम्बन्ध गठन गर्न तत्पर छौं।

Eps अनुप्रयोगको लागि एसी फिल्टर

सेल प्रोलिफेरेटरको लागि संधारित्र

पावर फ्याक्टर सुधारको लागि क्यापेसिटर

पवन पावर जेनरेटरको लागि क्यापेसिटर

ब्याट्री चार्जिङ सिस्टमका लागि डीसी क्यापेसिटर

डीसी लिंक उल फिल्म संधारित्र

उच्च शक्ति मोटर वाहन आवेदन को लागी फिल्म संधारित्र

इन्भर्टर आउटपुट एसी फिल्टर क्यापेसिटर

व्यावसायिक संधारित्र समाधान

स्नबर फिल्म क्यापेसिटर

आशा छ कि कम्पनी "गुणवत्ता, दक्षता, नवीनता र अखण्डता" को उद्यम भावनामा अडिग रहनेछ, यो भविष्यमा अझ राम्रो र राम्रो हुनेछ।