2018 उच्च गुणस्तरको हाई पावर फिल्म क्यापेसिटर - पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा GTO स्नबर क्यापेसिटर - CRE
2018 उच्च गुणस्तरको हाई पावर फिल्म क्यापेसिटर - पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा GTO स्नबर क्यापेसिटर - CRE विवरण:
प्राविधिक डाटा
सञ्चालन तापमान दायरा | अधिकतम परिचालन तापमान।, शीर्ष, अधिकतम: + 85 ℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃ |
क्षमता दायरा | ०.२२~3μF |
तोकिएको भोल्टेज | 3000V.DC~10000V.DC |
Cap.tol | ±5%(J) ;±10%(K) |
भोल्टेज सहन | 1.35Un DC/10S |
अपव्यय कारक | tgδ≤0.001 f=1KHz |
इन्सुलेशन प्रतिरोध | C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा) C>0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S मा) |
स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस् | डाटाशीट हेर्नुहोस् |
आयु - संभाव्यता | 100000h(Un; Θhotspot≤70°C) |
सन्दर्भ मानक | IEC 61071 ; |
सुविधा
1. Mylar टेप, राल संग छाप;
2. तामा नट नेतृत्व;
3. उच्च भोल्टेज प्रतिरोध, कम tgδ, कम तापमान वृद्धि;
4. कम ESL र ESR;
5. उच्च पल्स वर्तमान।
आवेदन
1. GTO स्नबर।
2. व्यापक रूपमा पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणमा प्रयोग गरिन्छ जब शिखर भोल्टेज, शिखर वर्तमान अवशोषण सुरक्षा।
सामान्य सर्किट
रूपरेखा रेखाचित्र
निर्दिष्टीकरण
Un=3000V.DC | |||||||
क्षमता (μF) | φD (मिमी) | L(mm) | L1(मिमी) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
०.२२ | 35 | 44 | 52 | 25 | ११०० | २४२ | 30 |
०.३३ | 43 | 44 | 52 | 25 | १००० | ३३० | 35 |
०.४७ | 51 | 44 | 52 | 22 | ८५० | ३९९ | 45 |
०.६८ | 61 | 44 | 52 | 22 | ८०० | ५४४ | 55 |
१ | 74 | 44 | 52 | 20 | ७०० | ७०० | 65 |
१.२ | 80 | 44 | 52 | 20 | ६५० | ७८० | 75 |
१.५ | 52 | 70 | 84 | 30 | ६०० | ९०० | 45 |
२.० | 60 | 70 | 84 | 30 | ५०० | १००० | 55 |
३.० | 73 | 70 | 84 | 30 | ४०० | १२०० | 65 |
४.० | 83 | 70 | 84 | 30 | ३५० | १४०० | 70 |
Un=6000V.DC | |||||||
क्षमता (μF) | φD (मिमी) | L(mm) | L1(मिमी) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
०.२२ | 43 | 60 | 72 | 25 | १५०० | ३३० | 35 |
०.३३ | 52 | 60 | 72 | 25 | १२०० | ३९६ | 45 |
०.४७ | 62 | 60 | 72 | 25 | १००० | ४७० | 50 |
०.६८ | 74 | 60 | 72 | 22 | ९०० | ६१२ | 60 |
१ | 90 | 60 | 72 | 22 | ८०० | ९०० | 75 |
Un=7000V.DC | |||||||
क्षमता (μF) | φD (मिमी) | L(mm) | L1(मिमी) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
०.२२ | 45 | 57 | 72 | 25 | ११०० | २४२ | 30 |
०.६८ | 36 | 80 | 92 | 28 | १००० | ६८० | 25 |
१.० | 43 | 80 | 92 | 28 | ८५० | ८५० | 30 |
१.५ | 52 | 80 | 92 | 25 | ८०० | १२०० | 35 |
१.८ | 57 | 80 | 92 | 25 | ७०० | १२६० | 40 |
२.० | 60 | 80 | 92 | 23 | ६५० | १३०० | 45 |
३.० | 73 | 80 | 92 | 22 | ५०० | १५०० | 50 |
Un=8000V.DC | |||||||
क्षमता (μF) | φD (मिमी) | L(mm) | L1(मिमी) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
०.३३ | 35 | 90 | १०२ | 30 | ११०० | ३६३ | 25 |
०.४७ | 41 | 90 | १०२ | 28 | १००० | ४७० | 30 |
०.६८ | 49 | 90 | १०२ | 28 | ८५० | ५७८ | 35 |
१ | 60 | 90 | १०२ | 25 | ८०० | ८०० | 40 |
१.५ | 72 | 90 | १०२ | 25 | ७०० | १०५० | 45 |
२.० | 83 | 90 | १०२ | 25 | ६५० | १३०० | 50 |
Un=10000V.DC | |||||||
क्षमता (μF) | φD (मिमी) | L(mm) | L1(मिमी) | ESL(nH) | dv/dt(V/μS) | Ipk(A) | Irms(A) |
०.३३ | 45 | ११४ | १२३ | 35 | १५०० | ४९५ | 30 |
०.४७ | 54 | ११४ | १२३ | 35 | १३०० | ६११ | 35 |
०.६८ | 65 | ११४ | १२३ | 35 | १२०० | ८१६ | 40 |
१ | 78 | ११४ | १२३ | 30 | १००० | १००० | 55 |
१.५ | 95 | ११४ | १२३ | 30 | ८०० | १२०० | 70 |
उत्पादन विवरण चित्र:
सम्बन्धित उत्पादन गाइड:
हाम्रो मिशन 2018 को लागि लाभ थपिएको संरचना, विश्व-स्तरीय निर्माण, र सेवा क्षमताहरू प्रस्तुत गरेर उच्च-प्रविधि डिजिटल र सञ्चार उपकरणहरूको अभिनव आपूर्तिकर्ता बन्ने हो - पावर इलेक्ट्रोनिक उपकरणहरूमा GTO स्नबर क्यापेसिटर - CRE, उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: माली, अष्ट्रेलिया, रुवाण्डा, हाम्रो उद्देश्य "हाम्रा ग्राहकहरूको लागि पहिलो चरणका उत्पादनहरू र उत्कृष्ट सेवाहरू आपूर्ति गर्नु हो, त्यसैले हामी निश्चित छौं कि तपाईंसँग सहकार्य गरेर मार्जिन लाभ हुनुपर्दछ"। ।यदि तपाइँ हाम्रो कुनै पनि उत्पादनहरूमा रुचि राख्नुहुन्छ वा अनुकूलन अर्डर बारे छलफल गर्न चाहनुहुन्छ भने, कृपया हामीलाई सम्पर्क गर्न नहिचकिचाउनुहोस्।हामी निकट भविष्यमा संसारभरि नयाँ ग्राहकहरु संग सफल व्यापार सम्बन्ध गठन गर्न तत्पर छौं।
कारखाना प्राविधिक कर्मचारीहरूले हामीलाई सहयोग प्रक्रियामा धेरै राम्रो सल्लाह दिए, यो धेरै राम्रो छ, हामी धेरै आभारी छौं। प्रोभेन्सबाट मोली द्वारा - 2018.12.28 15:18