एसी फिल्टरिङका लागि २०१८ राम्रो गुणस्तरको पावर क्यापेसिटर - उच्च पावर अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE

छोटो वर्णन:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (२)

हामी उत्कृष्ट र उत्कृष्ट हुन हरसम्भव प्रयास र कडा परिश्रम गर्नेछौं, र अन्तरमहादेशीय शीर्ष-ग्रेड र उच्च-प्रविधि उद्यमहरूको श्रेणीमा उभिनका लागि हाम्रा पाइलाहरूलाई तीव्र पार्नेछौं।ट्युन्ड गरिएको निष्क्रिय फिल्टरिङको लागि एसी क्यापेसिटर , एल्युमिनियम क्यान क्यापेसिटर , उच्च प्रदर्शन फिल्म क्यापेसिटर, हामी विश्वभरका ग्राहकहरूलाई हाम्रो बहुआयामिक सहयोगको साथ हामीलाई भेट्न र नयाँ बजारहरू विकास गर्न, उत्कृष्ट भविष्य निर्माण गर्न एकअर्कासँग काम सम्पन्न गर्न हार्दिक स्वागत गर्दछौं।

एसी फिल्टरिङका लागि २०१८ राम्रो गुणस्तरको पावर क्यापेसिटर - उच्च पावर अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विवरण:

प्राविधिक डेटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम सञ्चालन तापमान।, माथिल्लो, अधिकतम: +१०५℃ माथिल्लो श्रेणीको तापक्रम: +८५ ℃ तल्लो श्रेणीको तापक्रम: -४० ℃
क्षमता दायरा	०.१μF~५.६μF
मूल्याङ्कन गरिएको भोल्टेज	७०० भोल्टेज डीसी~३००० भोल्टेज डीसी
क्याप.टोल	±५%(जे);±१०%(के)
भोल्टेज सहन	१.५Un DC/१०S
अपव्यय कारक	tgδ≤०.०००५ C≤१μF f=१०KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤०.३३μF RS≥१५००० MΩ (२०℃ १००V.DC ६०S मा) C＞०.३३μF RS*C≥५०००S (२०℃ १००V.DC ६०S मा)
स्ट्राइक करेन्ट सहन गर्नुहोस्	डेटासिट हेर्नुहोस्
ज्वाला मंदता	UL94V-0 को लागि सोधपुछ पेश गर्नुहोस्, हामी तपाईंलाई 24 घण्टामा सम्पर्क गर्नेछौं।
आयु	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071; GB/T17702;

विशिष्टता तालिका

भोल्टेज	अन ७००V.DC, Urms४००Vac; Us१०५०V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	१०० किलोहर्ज (मिΩ) मा ESR	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	आईपीके(ए)	Irms @४०℃ @१००KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	३५.५	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	३५.५	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	२८०	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	२३०	१३८०	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	२२०	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33
भोल्टेज	१०००V.DC,Urms५००Vac;Us१५००V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	१८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	१९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32
भोल्टेज	अन १२००V.DC,Urms५५०Vac;Us१८००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	३५.५	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	१८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	१९७४	32
भोल्टेज	अन १७००V.DC,Urms५७५Vac;Us२२५०V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	३५.५	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	१९८०	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
भोल्टेज	२०००V.DC,Urms७००Vac;Us३०००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	३५.५	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	३५.५	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
भोल्टेज	अन ३०००V.DC,Urms७५०Vac;Us४५००V
Cn(μF)	एल(±१)	टी(±१)	एच(±१)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	आईपीके(ए)	आईआरएमहरू
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	१०२०	28

उत्पादन विवरण चित्रहरू:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

कडा उच्च-गुणस्तर व्यवस्थापन र विचारशील खरिदकर्ता समर्थनमा समर्पित, हाम्रा अनुभवी कर्मचारी सदस्यहरू सामान्यतया तपाईंको विशिष्टताहरू छलफल गर्न र २०१८ को लागि पूर्ण खरीददार सन्तुष्टि सुनिश्चित गर्न उपलब्ध छन्। एसी फिल्टरिङको लागि राम्रो गुणस्तरको पावर क्यापेसिटरहरू - उच्च पावर अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE, उत्पादनले विश्वभर आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: म्यासेडोनिया, मस्कट, यमन, हामीसँग नमूना वा रेखाचित्र अनुसार उत्पादनहरू उत्पादन गर्ने पर्याप्त अनुभव छ। हामी हाम्रो कम्पनी भ्रमण गर्न र सँगै एक शानदार भविष्यको लागि हामीसँग सहकार्य गर्न घर र विदेशका ग्राहकहरूलाई हार्दिक स्वागत गर्दछौं।

एसी फिल्म क्यापेसिटर

कस्टम-डिजाइन गरिएको एसी क्यापेसिटर

नवीकरणीय ऊर्जा प्रणालीहरूको लागि Dc-Link क्यापेसिटर

एक्स-रे डिटेक्टरको लागि फिल्म क्यापेसिटर

हार्मोनिक रेजोनान्स क्यापेसिटर

टेस्ला कोइलको लागि उच्च भोल्टेज क्यापेसिटर

उच्च भोल्टेज डीसी क्यापेसिटर

बिक्रीको लागि औद्योगिक क्यापेसिटरहरू

रेडियल फिल्म क्यापेसिटर

स्नबर फिल्म क्यापेसिटर

राम्रो गुणस्तर, उचित मूल्य, प्रशस्त विविधता र उत्तम बिक्री पछिको सेवा, यो राम्रो छ!

स्वीडेनबाट मेरी द्वारा - २०१८.०८.१२ १२:२७

कम्पनीको खाता प्रबन्धकसँग उद्योग ज्ञान र अनुभवको प्रशस्तता छ, उहाँले हाम्रो आवश्यकता अनुसार उपयुक्त कार्यक्रम प्रदान गर्न सक्नुहुन्छ र धाराप्रवाह अंग्रेजी बोल्न सक्नुहुन्छ।

सेशेल्सबाट हेनरी स्टोकेल्ड द्वारा - २०१७.०८.२८ १६:०२