एसी फिल्टरिङका लागि 2018 राम्रो गुणस्तरको पावर क्यापेसिटरहरू - उच्च पावर अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE

2018 एसी फिल्टरिङका लागि राम्रो गुणस्तरको पावर क्यापेसिटरहरू - उच्च पावर अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विशेष छवि

छोटो विवरण:

हामीलाई इमेल पठाउनुहोस् PDF को रूपमा डाउनलोड गर्नुहोस्

उत्पादन विवरण

उत्पादन ट्यागहरू

सम्बन्धित भिडियो

प्रतिक्रिया (2)

हामी बलियो प्राविधिक बलमा निर्भर छौं र निरन्तर परिष्कृत टेक्नोलोजीहरू सिर्जना गर्दछौं।एसी क्यापेसिटर पावर गुणस्तर र विश्वसनीयता सुधार गर्न को लागी , डिफिब्रिलेटरका लागि क्यापेसिटर , ऊर्जा भण्डारण कनवर्टरको लागि फिल्म क्यापेसिटर प्रयोग, हामी विश्वास गर्छौं कि तपाईं हाम्रो उचित मूल्य, उच्च गुणस्तर उत्पादन र छिटो डेलिभरी संग सन्तुष्ट हुनुहुनेछ।हामी ईमानदारीपूर्वक आशा गर्दछौं कि तपाईंले हामीलाई तपाईंको सेवा गर्ने र तपाईंको उत्तम साझेदार बन्ने अवसर दिनुहुनेछ!

एसी फिल्टरिङका लागि 2018 राम्रो गुणस्तरको पावर क्यापेसिटरहरू - उच्च पावर अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE विवरण:

प्राविधिक डाटा

सञ्चालन तापमान दायरा	अधिकतम।अपरेटिङ तापमान।,शीर्ष,अधिकतम: +105℃ माथिल्लो श्रेणी तापमान: +85 ℃ तल्लो श्रेणी तापमान: -40 ℃
क्षमता दायरा	०.१μF～5.6μF
तोकिएको भोल्टेज	700V.DC～3000V.DC
Cap.tol	±5%(J); ±10%(K)
भोल्टेज सहन	1.5Un DC/10S
अपव्यय कारक	tgδ≤0.0005 C≤1μF f=10KHz tgδ≤0.001 C≥1μF f=10KHz
इन्सुलेशन प्रतिरोध	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S मा) C＞0.33μF RS*C≥5000S(20℃ 100V.DC 60S मा)
स्ट्राइक वर्तमानको सामना गर्नुहोस्	डाटाशीट हेर्नुहोस्
ज्वाला मंदता	UL94V-0
आयु - संभाव्यता	100000h(Un; Θhotspot≤85°C)
सन्दर्भ मानक	IEC61071;GB/T17702;

निर्दिष्टीकरण तालिका

भोल्टेज	Un 700V.DC,Urms400Vac;Us1050V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR @100KHz (mΩ)	ESL(nH)	dv/dt (V/μS)	Ipk(A)	Irms @40℃ @100KHz (A)
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	५००	२३५	8
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	10	25	४८०	३२६.४	10
1	४२.५	२४.५	२७.५	8	24	४५०	४५०	12
१.५	४२.५	३३.५	35.5	7	25	४३०	६४५	5
2	४२.५	33	35.5	6	24	४२०	८४०	15
२.५	४२.५	33	45	6	23	४००	१०००	18
3	४२.५	33	45	५.५	22	३८०	११४०	20
3	५७.५	30	45	5	26	३५०	१०५०	22
३.५	४२.५	33	45	5	23	३५०	१२२५	25
३.५	५७.५	30	45	6	25	३००	१०५०	22
४.७	५७.५	35	50	5	28	280	१३१६	25
५.६	५७.५	38	54	4	30	२५०	१४००	25
6	५७.५	38	54	३.५	33	230	1380	28
६.८	५७.५	४२.५	56	३.२	32	220	१४९६	32
8	५७.५	४२.५	56	२.८	30	२००	१६००	33
भोल्टेज	Un 1000V.DC,Urms500Vac;Us1500V
	आयाम (मिमी)
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	25	१०००	४७०	10
०.६८	४२.५	२४.५	२७.५	8	25	८००	५४४	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	24	८००	८००	15
१.५	४२.५	33	45	6	24	७००	१०५०	15
2	४२.५	33	45	5	22	७००	१४००	20
२.५	५७.५	30	45	5	30	६००	१५००	22
3	५७.५	35	50	4	30	६००	१८००	25
३.३	५७.५	35	50	३.५	28	५५०	सन् १८१५	25
३.५	५७.५	38	54	३.५	28	५००	१७५०	25
4	५७.५	38	54	३.२	26	५००	२०००	28
४.७	५७.५	४२.५	56	3	25	४२०	सन् १९७४	30
५.६	५७.५	४२.५	56	२.८	24	४००	२२४०	32
भोल्टेज	Un 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	11	24	१२००	५६४	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	7	23	११००	७४८	12
1	४२.५	३३.५	35.5	6	22	८००	८००	14
१.५	४२.५	33	45	5	20	८००	१२००	15
2	५७.५	30	45	4	30	७५०	१५००	20
२.५	५७.५	35	50	4	28	७००	१७५०	25
3	५७.५	35	50	4	27	६००	१८००	25
३.३	५७.५	38	54	4	27	५५०	सन् १८१५	28
३.५	५७.५	38	54	३.५	25	५००	१७५०	28
4	५७.५	४२.५	56	३.५	25	४५०	१८००	30
४.७	५७.५	४२.५	56	३.२	23	४२०	सन् १९७४	32
भोल्टेज	Un 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.३३	४२.५	२४.५	२७.५	12	25	१३००	४२९	9
०.४७	४२.५	२४.५	२७.५	10	24	१३००	६११	10
०.६८	४२.५	३३.५	35.5	8	23	१३००	८८४	12
1	४२.५	33	45	7	22	१२००	१२००	15
१.५	४२.५	33	45	6	22	१२००	१८००	18
१.५	५७.५	30	45	5	31	१२००	१८००	20
2	५७.५	30	45	5	30	११००	२२००	22
२.५	५७.५	35	50	4	28	११००	२७५०	25
3	५७.५	38	54	4	27	७००	२१००	25
३.३	५७.५	38	54	३.८	26	६००	1980	28
३.५	५७.५	४२.५	56	३.५	25	५००	१७५०	30
4	५७.५	४२.५	56	३.२	25	४५०	१८००	32
भोल्टेज	Un 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.२२	४२.५	२४.५	२७.५	15	25	१५००	३३०	10
०.३३	४२.५	३३.५	35.5	12	24	१५००	४९५	12
०.४७	४२.५	३३.५	35.5	11	23	१४००	६५८	15
०.६८	४२.५	33	45	8	22	१२००	८१६	18
०.६८	५७.५	30	45	7	30	११००	७४८	20
०.८२	४२.५	33	45	7	28	१२००	९८४	22
1	५७.५	30	45	6	28	११००	११००	25
१.५	५७.५	35	50	5	25	१०००	१५००	28
2	५७.५	38	54	5	24	८००	१६००	28
२.२	५७.५	४२.५	56	4	23	७००	१५४०	32
भोल्टेज	अन 3000V.DC,Urms750Vac;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	T(±1)	H(±1)	ESR(mΩ)	ESL(nH)	dv/dt(V/μS)	Ipk(A)	Irms
०.१५	४२.५	33	45	18	28	२५००	३७५	25
०.२२	४२.५	33	45	15	27	२२००	४८४	28
०.२२	५७.५	35	50	15	25	२०००	३३०	20
०.३३	५७.५	35	50	12	24	१८००	४९५	20
०.४७	५७.५	38	54	11	23	१६००	७५२	22
०.६८	५७.५	४२.५	56	8	22	१५००	1020	28

उत्पादन विवरण चित्र:

सम्बन्धित उत्पादन गाइड:

हामी उच्च व्यापार उद्यम अवधारणा, इमानदार राजस्व र सबैभन्दा ठूलो र छिटो सेवाको साथ उच्च गुणस्तरको सिर्जना प्रस्ताव गर्न जोड दिन्छौं।यसले तपाईलाई उच्च गुणस्तरको समाधान र ठूलो नाफा मात्र ल्याउनेछ, तर अनिवार्य रूपमा सबैभन्दा महत्त्वपूर्ण भनेको एसी फिल्टरिङका लागि 2018 राम्रो गुणस्तरको पावर क्यापेसिटरहरू - उच्च पावर अनुप्रयोगहरूको लागि उच्च-स्तरीय IGBT स्नबर क्यापेसिटर डिजाइन - CRE , उत्पादनले संसारभरि आपूर्ति गर्नेछ, जस्तै: स्लोभाकिया, जर्जिया, युक्रेन, हाम्रा उत्पादनहरू विदेशी ग्राहकहरूबाट अधिक र अधिक मान्यता प्राप्त गरिएको छ, र तिनीहरूसँग दीर्घकालीन र सहकारी सम्बन्ध स्थापना गरिएको छ।हामी प्रत्येक ग्राहकको लागि उत्तम सेवा प्रदान गर्नेछौं र हामीसँग काम गर्न र सँगै पारस्परिक लाभ स्थापना गर्न साथीहरूलाई ईमानदारीपूर्वक स्वागत गर्दछौं।

एसी फिल्म क्यापेसिटर

अनुकूलन-डिजाइन एसी क्यापेसिटर

नवीकरणीय ऊर्जा प्रणालीहरूको लागि डीसी-लिङ्क क्यापेसिटर

एक्स-रे डिटेक्टरको लागि फिल्म क्यापेसिटर

हार्मोनिक अनुनाद संधारित्र

टेस्ला कोइल को लागी उच्च भोल्टेज संधारित्र

उच्च भोल्टेज डीसी संधारित्र

औद्योगिक क्यापेसिटर बिक्रीको लागि

रेडियल फिल्म संधारित्र

स्नबर फिल्म क्यापेसिटर

यो निर्माताले उत्पादनहरू र सेवाहरूलाई सुधार र पूर्णता दिन सक्छ, यो बजार प्रतिस्पर्धाको नियमहरू अनुरूप छ, एक प्रतिस्पर्धी कम्पनी।

बैंककबाट अगस्टिन द्वारा - 2017.09.29 11:19

कम्पनीसँग प्रशस्त स्रोतसाधन, उन्नत मेसिनरी, अनुभवी कामदार र उत्कृष्ट सेवाहरू छन्, आशा छ तपाईंले आफ्ना उत्पादनहरू र सेवाहरूमा सुधार र सुधार गरिरहनु भएको छ, तपाईंलाई अझ राम्रोको कामना!

इरानबाट नीना द्वारा - 2018.12.11 14:13